一种FDSOI工艺多层源漏外延硅生长方法与流程

本发明涉及半导体，特别是涉及一种fdsoi工艺多层源漏外延硅生长方法。

背景技术：

1、fdsoi由于特殊的工艺条件,源漏区域要求生长外延硅来防止接触孔扎穿隔离层。而源漏区外延硅则需要通过生长高掺杂外延硅(pmos sige/nos sip)来降低电阻。对nmos而言,通常生长高掺杂p元素的sip外延硅来实现。其生长流程为一次生长高掺杂外延硅,掺杂元素在外延硅中均匀分布。然而现有技术中的工艺无法有效阻挡离子扩散，并且不能够降低源漏的电阻。

技术实现思路

1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种fdsoi工艺多层源漏外延硅生长方法，用于解决现有技术中的fdsoi工艺无法有效阻挡离子扩散，并且不能够降低源漏的电阻的问题。

2、为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种fdsoi工艺多层源漏外延硅生长方法，至少包括：

3、步骤一、提供衬底，在所述衬底上形成埋氧层；之后在所述埋氧层上形成soi层；

4、步骤二、在所述soi层上形成栅极，所述栅极两侧为源漏区；

5、步骤三、在所述源漏区的所述soi层上形成非掺杂外延层；

6、步骤四、在所述非掺杂外延层上形成第一掺杂外延层；

7、步骤五、在所述第一掺杂外延层上形成第二掺杂外延层；

8、步骤六、使用去离子水对进行步骤五后的所述衬底进行清洗。

9、优选地，步骤一中的所述soi层包括第一soi层以及位于所述第一soi层上的第二soi层。

10、优选地，步骤三中的所述第一非掺杂外延层的厚度小于50埃。

11、优选地，步骤三中形成所述非掺杂外延层的方法为沉积法。

12、优选地，步骤四中形成所述第一掺杂外延层的方法为沉积法。

13、优选地，步骤四中形成的所述第一掺杂外延层的掺杂类型为p型掺杂。

14、优选地，步骤五中形成所述第二非掺杂外延层的方法为沉积法。

15、优选地，步骤四中的所述第一掺杂外延层的掺杂浓度小于所述步骤五中的所述第二掺杂外延层的掺杂浓度。

16、优选地，步骤三中的所述第一非掺杂外延层的作用是防止离子扩散至沟道。

17、如上所述，本发明的fdsoi工艺多层源漏外延硅生长方法，具有以下有益效果：本发明将外延硅由单层结构改为多层结构,其中非掺杂外延硅,可以有效阻挡离子扩散。而中高掺杂外延硅和高掺杂外延硅,可以显著降低源漏电阻，提高器件性能。

技术特征：

1.一种fdsoi工艺多层源漏外延硅生长方法，其特征在于，至少包括：

2.根据权利要求1所述的fdsoi工艺多层源漏外延硅生长方法，其特征在于：步骤一中的所述soi层包括第一soi层以及位于所述第一soi层上的第二soi层。

3.根据权利要求1所述的fdsoi工艺多层源漏外延硅生长方法，其特征在于：步骤三中的所述第一非掺杂外延层的厚度小于50埃。

4.根据权利要求1所述的fdsoi工艺多层源漏外延硅生长方法，其特征在于：步骤三中形成所述非掺杂外延层的方法为沉积法。

5.根据权利要求1所述的fdsoi工艺多层源漏外延硅生长方法，其特征在于：步骤四中形成所述第一掺杂外延层的方法为沉积法。

6.根据权利要求1所述的fdsoi工艺多层源漏外延硅生长方法，其特征在于：步骤四中形成的所述第一掺杂外延层的掺杂类型为p型掺杂。

7.根据权利要求1所述的fdsoi工艺多层源漏外延硅生长方法，其特征在于：步骤五中形成所述第二非掺杂外延层的方法为沉积法。

8.根据权利要求1所述的fdsoi工艺多层源漏外延硅生长方法，其特征在于：步骤四中的所述第一掺杂外延层的掺杂浓度小于所述步骤五中的所述第二掺杂外延层的掺杂浓度。

9.根据权利要求1所述的fdsoi工艺多层源漏外延硅生长方法，其特征在于：步骤三中的所述第一非掺杂外延层的作用是防止离子扩散至沟道。

技术总结
本发明提供一种FDSOI工艺多层源漏外延硅生长方法，提供衬底，在衬底上形成埋氧层；之后在埋氧层上形成SOI层；在SOI层上形成栅极，栅极两侧为源漏区；在源漏区的SOI层上形成非掺杂外延层；在非掺杂外延层上形成第一掺杂外延层；在第一掺杂外延层上形成第二掺杂外延层；使用去离子水对衬底进行清洗。本发明将外延硅由单层结构改为多层结构,其中非掺杂外延硅,可以有效阻挡离子扩散。而中高掺杂外延硅和高掺杂外延硅,可以显著降低源漏电阻，提高器件性能。

技术研发人员：赵鹏,李楠
受保护的技术使用者：上海华力集成电路制造有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15