布线图案的制作方法

本公开有关于布线图案，且特别有关于形成于半导体芯片上的布线图案。

背景技术：

1、光刻(photolithography)工艺为集成电路(integrated circuits，ics)制造中重要的工艺之一，其可应用于将布线图案自光掩模上以一定的比例转移至半导体芯片表面上的光刻胶层，进而将集成电路的布线图案转移至半导体芯片上。上述形成布线图案的工艺还可能包含使用流体的清洁步骤与干燥步骤，以去除多个处理步骤留下的残余物。

2、然而，随着集成电路的复杂度与集成度日益提升，布线图案的线宽与间距亦随之不断缩小，具有细小线宽与间距的布线图案容易倒塌(collapse)，进而降低产品的可靠度(reliability)与良率。

3、因此，改善图案倒塌问题是相当重要的。

技术实现思路

1、本公开有关于布线图案(routing pattern)，其可改善图案倒塌问题，并可有效提升布线图案制造过程的工艺窗口(process window)。

2、根据本公开的一实施例，提供布线图案。布线图案包含多个线型特征与配置于多个线型特征中的二者之间的内连线特征。多个线型特征沿着第一方向延伸且具有沿着第二方向的第一线宽(line width)。第二方向垂直于第一方向。内连线特征包含沿着第二方向凹陷的凹部。内连线特征具有沿着第二方向的第二线宽。第一线宽小于第二线宽。

3、根据本公开的一实施例，提供布线图案。布线图案包含第一布线区域、第二布线区域与内连线区。第一布线区域包含多条沿着第一方向延伸的第一导线。多条第一导线沿垂直于该第一方向的第二方向具有第一节距(pitch)。第二布线区域包含多条沿着第一方向延伸的第二导线。多条第二导线沿着第二方向具有第二节距，第二节距大致相等于第一节距。内连线区包含二沿着第一方向分离配置的主体部、以及连接于二主体部的连接部。连接部沿着第二方向的宽度小于二主体部沿着第二方向的宽度。

4、为了对本公开的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举实施例，并配合附图详细说明如下。

技术特征：

1.一种布线图案，包含：

2.根据权利要求1所述的布线图案，其中，该内连线区的这些主体部和该连接部界定出一凹部，该凹部的开口沿该第二方向朝向该第一布线区域或该第二布线区。

3.根据权利要求1所述的布线图案，还包含两个通孔元件，这些通孔元件分别配置于该内连线区的这些主体部。

4.一种布线图案，包含：

5.根据权利要求4所述的布线图案，其中该内连线特征包含两个沿着该第一方向分离配置的主体部、以及一连接于这些主体部的连接部，该连接部沿着该第二方向的一宽度小于这些主体部沿着该第二方向的一宽度。

6.根据权利要求4所述的布线图案，其中该内连线特征的该凹部沿着该第二方向从该内连线特征的一第一侧边朝向一第二侧边凹陷，该第一侧边相对于该第二侧边，

7.根据权利要求4所述的布线图案，其中该内连线特征的该凹部具有沿着该第一方向的一凹部长度，该凹部长度介于该第一线宽的2倍至4倍之间。

8.根据权利要求4所述的布线图案，还包含配置于该内连线特征的两个通孔元件，这些通孔元件分别配置于该内连线特征的该凹部的相对两侧。

9.根据权利要求4所述的布线图案，其中该内连线特征包含两个该凹部，这些凹部在该第二方向上不重叠。

10.根据权利要求9所述的布线图案，还包含配置于该内连线特征的三个通孔元件，这些通孔元件与该内连线特征的这些凹部沿着该第一方向交错配置。

技术总结
本公开提供一种布线图案。布线图案包含第一布线区域、第二布线区域与内连线区。第一布线区域包含多条沿着第一方向延伸的第一导线。多条第一导线沿垂直于该第一方向的第二方向具有第一节距。第二布线区域包含多条沿着第一方向延伸的第二导线。多条第二导线沿着第二方向具有第二节距，第二节距大致相等于第一节距。内连线区包含二沿着第一方向分离配置的主体部、以及连接于二主体部的连接部。连接部沿着第二方向的宽度小于二主体部沿着第二方向的宽度。

技术研发人员：杨金成,林云珠
受保护的技术使用者：旺宏电子股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15