发光器件和包括发光器件的电子设备的制作方法

发光器件和包括发光器件的电子设备
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2021年6月29日向韩国知识产权局提交的第10-2021-0084752号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文中。
3.背景
1.技术领域
4.本公开的实施方案的一个或多个方面涉及发光器件和包括发光器件的电子设备。
2.

背景技术：

5.术语“量子点发光器件”(qdled)是指作为纳米尺寸的半导体晶体的量子点(qd)被包括在发射层中的发光器件。可通过在像素中实现qdled来制造电子设备(例如，显示设备)。
6.为此，示例像素包括：可产生单色光(诸如白光或蓝光)的发光器件；量子点层，量子点层用于将单色光转换为用于输出的所需或合适颜色的光(例如，红光、绿光或蓝光)；和滤色器。


技术实现要素：

7.本公开的实施方案的一个或多个方面涉及具有经改善的电子传输能力的发光器件以及包括该发光器件的电子设备。
8.附加的方面部分地将在以下描述中阐述，并且部分地将从描述变得显而易见，或者可通过实施所呈现的本公开的实施方案来知晓。
9.本公开的一个或多个实施方案提供了发光器件，该发光器件包括：
10.第一电极，
11.面对第一电极的第二电极；和
12.在第一电极和第二电极之间并且包括发射层的中间层，
13.其中，中间层可包括：包括金属氧化物的层，并且
14.包括金属氧化物的层的表面可用有机酸处理(例如，包括金属氧化物的层包括经有机酸处理的表面)。
15.本公开的一个或多个实施方案提供了包括发光器件的电子设备。
16.除了上述那些以外的其它方面、特征和优势将从以下附图、权利要求书和详细描述变得显而易见。
附图说明
17.从以下结合附图的描述，本公开的某些实施方案的以上和其它方面、特征和优势将变得更加显而易见，在附图中：
18.图1是显示设备的实施方案的剖面示意视图；
19.图2是发光设备的实施方案的剖面示意视图；
20.图3是发光设备的另一实施方案的剖面示意视图；并且
21.图4是发光设备的另一实施方案的剖面示意视图，在该另一实施方案中包括金属氧化物的层的表面用有机酸处理。
具体实施方式
22.现在将更详细地参照实施方案，而实施方案的实施例在附图中示出，其中，相似的附图标记始终是指相似的元件，并且可不提供对其的重复描述。在这方面，本公开的实施方案可具有不同的形式，并且不应被解释为限于本文中阐述的描述。相应地，下面仅通过参照附图来描述实施方案，以解释本描述的多个方面。如本文中所使用，术语“和/或”包括一个或多个相关列出项目的任何和所有组合。贯穿本公开，表述“a、b和c中的至少一个”指示仅a、仅b、仅c、(例如，同时)a和b两者、(例如，同时)a和c两者、(例如，同时)b和c两者、a、b和c的全部、或其变体。
23.由于本公开允许各种变化和许多实施方案，因此经选择的实施方案将在附图中示出并且在书面描述中更加详细地描述。通过参照示例实施方案和附图，将理解达成本公开的效果、特征和方法。然而，本公开可以许多不同形式实施，并且不应被解释为限于本文中阐述的实施方案。
24.将理解的是，尽管术语第一、第二等可在本文中用于描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。
25.在本说明书中描述的实施方案中，单数形式诸如“一(a)”、“一(an)”和“该(the)”意欲也包括复数形式，除非上下文另有清楚指示。
26.在本说明书中，将理解的是，术语诸如“包括(including)”、“具有”和“包括(comprising)”意欲指示说明书中公开的特征或组件的存在，并且不意欲排除可存在或可添加一个或多个其它特征或组件的可能性。
27.出于解释的方便，附图中的组件的尺寸可被夸大。换句话说，因为出于解释的方便，附图中的组件的尺寸和/或厚度被任意示出，因此以下实施方案不限于此。
28.当示例实施方案可不同地实现时，过程顺序可与所描述的顺序不同地执行。例如，连续描述的两个过程可基本上并发(例如，同时)执行，或者可以与所描述的顺序相反的顺序执行。
29.将理解的是，当层、区或组件被称为与另一层、区或组件“连接”时，该层、区或组件可与该另一层、区或组件直接连接，或者与该另一层、区或组件间接连接(因为存在居间层、区或组件)。例如，将理解的是，当层、区或组件被称为与另一层、区或组件“电连接”时，该层、区或组件可与该另一(其余)层、区或组件直接电连接，或者与该另一层、区或组件通过居间层、区或组件间接电连接。
30.术语“可”将理解为是指“一个或多个实施方案”，其中一些包括所描述的元件，并且其中一些不包括那个元件和/或包括替代元件。类似地，替代语言诸如“或”是指“一个或多个实施方案”，其各自包括对应的列出项。
31.如本文中所使用，术语“使用(use)”、“使用(using)”和“使用(used)”可认为分别与术语“利用(utilize)”、“利用(utilizing)”和“利用(utilized)”同义。如本文中所使用，
当诸如
“……
中的至少一个”、
“……
中的一个”和“选自
……”
的表述在一列元件之前或之后时，修饰整个元件列，并且不修饰该列的单独元件。
32.根据实施方案，发光器件可包括：
33.第一电极；
34.面对第一电极的第二电极；和
35.在第一电极和第二电极之间并且包括发射层的中间层，
36.其中，中间层可包括包含金属氧化物的层，并且包括金属氧化物的层的表面可用有机酸处理。
37.在实施方案中，在发光器件中，第一电极可为阳极，第二电极可为阴极，并且发光器件还可包括：在第一电极和发射层之间并且包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、或它们的任何组合的空穴传输区；和/或在第二电极和发射层之间并且包括空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、或它们的任何组合的电子传输区。
38.在实施方案中，发射层可包括量子点。
39.量子点发光器件(qdled)的发光效率可根据量子点的量子产率、电荷载流子平衡、光提取效率和/或漏电流来确定。例如，为了改善发射层的发光效率，可控制或选择激子以限制在发射层中，可控制或选择空穴和/或电子以平稳地传输到量子点，和/或可防止或减少漏电流。
40.例如，根据一个或多个实施方案的发光器件可为在发射层中包括量子点的量子点发光器件。
41.在根据一个或多个实施方案的量子点发光器件中，包括金属氧化物的层的表面可用有机酸处理以改善电子传输能力，因此改善量子点发光器件的效率。例如，与未用有机酸处理的表面相比，包括金属氧化物的层的表面可具有经减少的氧缺陷的数量或表面密度和/或更高浓度的氢阳离子或氢原子。
42.在实施方案中，包括金属氧化物的层可与第二电极接触。例如，第二电极可为阴极。
43.在一些实施方案中，包括金属氧化物的层可为电子传输层或电子注入层。在一些实施方案中，包括金属氧化物的层可为电子传输层。
44.在实施方案中，有机酸可包括由式1表示的化合物：
45.式1
[0046][0047]
其中，在式1中，r1可选自：未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
烯基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
炔基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷氧基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
10
环烷基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
10
杂环烷基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
10
环烯基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
10
杂环烯基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂芳基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的单价非芳族稠合多环基团和未被取代或
被至少一个r
10a
取代的单价非芳族稠合杂多环基团，并且
[0048]r10a
可为：
[0049]
氘(-d)、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基或硝基；
[0050]c1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基或c
1-c
60
烷氧基，它们各自为未被取代的或被以下取代：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
7-c
60
芳烷基、c
2-c
60
杂芳烷基、-si(q
11
)(q
12
)(q
13
)、-n(q
11
)(q
12
)、-b(q
11
)(q
12
)、-c(＝o)(q
11
)、-s(＝o)2(q
11
)、-p(＝o)(q
11
)(q
12
)、或它们的任何组合；
[0051]c3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
7-c
60
芳烷基或c
2-c
60
杂芳烷基，它们各自为未被取代的或被以下取代：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基、c
1-c
60
烷氧基、c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
7-c
60
芳烷基、c
2-c
60
杂芳烷基、-si(q
21
)(q
22
)(q
23
)、-n(q
21
)(q
22
)、-b(q
21
)(q
22
)、-c(＝o)(q
21
)、-s(＝o)2(q
21
)、-p(＝o)(q
21
)(q
22
)、或它们的任何组合；或
[0052]-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)、-b(q
31
)(q
32
)、-c(＝o)(q
31
)、-s(＝o)2(q
31
)或-p(＝o)(q
31
)(q
32
)，并且
[0053]
其中，q
11
至q
13
、q
21
至q
23
和q
31
至q
33
可各自独立地为：氢；氘；-f；-cl；-br；-i；羟基；氰基；硝基；c
1-c
60
烷基；c
2-c
60
烯基；c
2-c
60
炔基；c
1-c
60
烷氧基；或c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团，它们各自为未被取代的或被以下取代：氘、-f、氰基、c
1-c
60
烷基、c
1-c
60
烷氧基、苯基(phenyl group)、联苯基、或它们的任何组合；c
7-c
60
芳烷基；或c
2-c
60
杂芳烷基。
[0054]
在实施方案中，由式1表示的有机酸可包括以下化合物中的一个：
[0055][0056]
在实施方案中，有机酸可包括由式2表示的化合物：
[0057]
式2
[0058]r2-ooh，
[0059]
其中，在式2中，r2可选自：未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
烯基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
炔基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷氧基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
10
环烷基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
10
杂环烷基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
10
环烯基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
10
杂环烯基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂芳基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的单价非芳族稠合多环基团和未被取代或被至少一个r
10a
取代的单价非芳族稠合杂多环基团，并且
[0060]r10a
可为：
[0061]
氘(-d)、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基或硝基；
[0062]c1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基或c
1-c
60
烷氧基，它们各自为未被取代的或被以下取代：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
7-c
60
芳烷基、c
2-c
60
杂芳烷基、-si(q
11
)(q
12
)(q
13
)、-n(q
11
)(q
12
)、-b(q
11
)(q
12
)、-c(＝o)(q
11
)、-s(＝o)2(q
11
)、-p(＝o)(q
11
)(q
12
)、或它们的任何组合；
[0063]c3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
7-c
60
芳烷基或c
2-c
60
杂芳烷基，它们各自为未被取代的或被以下取代：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基、c
1-c
60
烷氧基、c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
7-c
60
芳烷基、c
2-c
60
杂芳烷基、-si(q
21
)(q
22
)(q
23
)、-n(q
21
)(q
22
)、-b(q
21
)(q
22
)、-c(＝o)(q
21
)、-s(＝o)2(q
21
)、-p(＝o)(q
21
)(q
22
)、或它们的任何组合；或
[0064]-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)、-b(q
31
)(q
32
)、-c(＝o)(q
31
)、-s(＝o)2(q
31
)或-p(＝o)(q
31
)(q
32
)，并且
[0065]
其中，q
11
至q
13
、q
21
至q
23
和q
31
至q
33
可各自独立地为：氢；氘；-f；-cl；-br；-i；羟基；氰基；硝基；c
1-c
60
烷基；c
2-c
60
烯基；c
2-c
60
炔基；c
1-c
60
烷氧基；或c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团，它们各自为未被取代的或被以下取代：氘、-f、氰基、c
1-c
60
烷基、c
1-c
60
烷氧基、苯基、联苯基、或它们的任何组合；c
7-c
60
芳烷基；或c
2-c
60
杂芳烷基。
[0066]
在实施方案中，由式2表示的有机酸可包括以下化合物中的一个：
[0067][0068]
在一些实施方案中，金属氧化物中的金属可包括碱土金属、过渡金属、第13族金属或第14族金属。
[0069]
在一些实施方案中，金属氧化物中的金属可包括锌(zn)、钛(ti)、锆(zr)、锡(sn)、钨(w)、钽(ta)、镍(ni)、钼(mo)、铜(cu)、镁(mg)、钴(co)、锰(mn)、钇(y)、铝(al)、或它们的任何组合。
[0070]
在实施方案中，金属氧化物可由式3表示：
[0071]
式3
[0072]
maob，
[0073]
其中，在式3中，m可为zn、ti、zr、sn、w、ta、ni、mo或cu，并且a和b可各自独立地为1至5的整数。
[0074]
在实施方案中，金属氧化物可由式4表示：
[0075]
式4
[0076]
zn
(1-c)
m'co，
[0077]
其中，在式4中，m'可为mg、co、ni、zr、mn、sn、y、al、或它们的任何组合，并且c可为1至5的整数。
[0078]
在一些实施方案中，包括金属氧化物的层的用有机酸处理的表面可与第二电极接触。
[0079]
在一些实施方案中，包括金属氧化物并且具有用有机酸处理的表面的层可与发射层和第二电极接触。包括金属氧化物的层的与发射层接触的表面(例如，邻近发射层的表面)可不用有机酸处理，并且包括金属氧化物的层的与第二电极接触的表面可为用有机酸处理的表面。
[0080]
在一些实施方案中，发射层可包括第ii-vi族半导体化合物、第iii-v族半导体化合物、第iii-vi族半导体化合物、第i-iii-vi族半导体化合物、第iv-vi族半导体化合物、第iv族元素或化合物、或它们的任何组合。
[0081]
根据另一方面，电子设备可包括发光器件。
[0082]
在一些实施方案中，电子设备还可包括薄膜晶体管，
[0083]
其中，薄膜晶体管可包括源电极和漏电极，并且
[0084]
发光器件的第一电极可电连接到薄膜晶体管的源电极或漏电极中的至少一个。
[0085]
在实施方案中，电子设备可包括包含有机酸的聚合物。可通过参照本文中提供的有机酸的描述来理解有机酸(例如，可为与关于包括金属氧化物的层的经处理的表面所描述的相同的有机酸)。
[0086]
聚合物没有特别限制并且可为通常利用的聚合物。例如，聚合物可为树脂。聚合物可包括例如基于聚硅氧烷的聚合物、基于丙烯酸酯的聚合物或基于乙烯基醚的聚合物。聚合物可包括例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)和/或聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)。
[0087]
有机酸可与聚合物物理混合。因此，在高温下，有机酸可从聚合物中出来(例如，去除或蒸发)。例如，有机酸可在约60℃至约160℃的温度下从聚合物中出来。
[0088]
在一些实施方案中，包括有机酸的聚合物可与发光器件分离(例如，物理分离)。如本文中所使用，术语“分离”是指包括有机酸的聚合物不与发光器件直接物理接触。在这方面，为了进一步的细节，将提供以下描述。
[0089]
在一些实施方案中，电子设备还可包括滤色器、颜色转换层、触摸屏层、偏振层、或它们的任何组合。
[0090]
如本文中所使用的术语“中间层”是指所有层中的位于发光器件中的第一电极和第二电极之间的单层和/或多个层。
[0091]
图1的描述
[0092]
图1是根据实施方案的发光器件10的示意图。发光器件10可包括第一电极110、中间层130和第二电极150。
[0093]
在下文中，将结合图1描述根据实施方案的发光器件10的结构和根据实施方案的制造发光器件10的方法。
[0094]
第一电极110
[0095]
在图1中，衬底可附加地位于第一电极110下方和/或第二电极150上方。衬底可为玻璃衬底和/或塑料衬底。衬底可为柔性衬底，柔性衬底包括具有优异或合适的耐热性和/或耐久性的塑料，例如聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚芳酯(par)、聚醚酰亚胺、或它们的任何组合。
[0096]
第一电极110可通过在衬底上沉积和/或溅射用于形成第一电极110的材料来形成。当第一电极110为阳极时，可容易注入空穴的高功函数材料可利用为用于第一电极110的材料。
[0097]
第一电极110可为反射电极、半透射半反射电极或透射电极。当第一电极110为透射电极时，用于形成第一电极110的材料可为氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锡(sno2)、氧化锌(zno)、或它们的任何组合。在一些实施方案中，当第一电极110为半透射半反射电极或反射电极时，镁(mg)、银(ag)、铝(al)、铝-锂(al-li)、钙(ca)、镁-铟(mg-in)、镁-银(mg-ag)、或它们的任何组合可利用为用于形成第一电极110的材料。
[0098]
第一电极110可具有包括单层(例如，由其组成)的单层结构或包括两层或更多层的多层结构。在一些实施方案中，第一电极110可具有ito/ag/ito的三层结构。
[0099]
中间层130
[0100]
中间层130可在第一电极110上。中间层130可包括发射层。
[0101]
中间层130还可包括在第一电极110和发射层之间的空穴传输区和在发射层和第二电极150之间的电子传输区。
[0102]
除了各种合适的有机材料之外，中间层130还可包括含有金属的化合物(诸如有机金属化合物)、无机材料(诸如量子点)和/或类似物。
[0103]
中间层130可包括：i)依次堆叠在第一电极110和第二电极150之间的至少两个发光单元；和ii)位于该至少两个发光单元之间的电荷产生层。当中间层130包括该至少两个发光单元和电荷产生层时，发光器件10可为串联发光器件。
[0104]
中间层130中的空穴传输区
[0105]
空穴传输区可具有：i)包括由单一材料组成的单层(例如，由其组成)的单层结构；ii)包括包含多种不同材料的单层(例如，由其组成)的单层结构；或者iii)具有包括多种不同材料的多层的多层结构。
[0106]
空穴传输区可包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层、或它们的组合。
[0107]
例如，空穴传输区可具有多层结构，例如，空穴注入层/空穴传输层结构、空穴注入层/空穴传输层/发射辅助层结构、空穴注入层/发射辅助层结构、空穴传输层/发射辅助层结构、或空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层结构，其中，每个结构的层在第一电极110上以各自陈述的顺序依次堆叠。
[0108]
空穴传输区可包括由式201表示的化合物、由式202表示的化合物、或它们的任何组合：
[0109]
式201
[0110][0111]
式202
[0112][0113]
其中，在式201和式202中，
[0114]
l
201
至l
204
可各自独立地为未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、或者未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，
[0115]
l
205
可为*-o-*'、*-s-*'、*-n(q
201
)-*'、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
20
亚烷基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
20
亚烯基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、或者未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，
[0116]
xa1至xa4可各自独立地为0至5的整数，
[0117]
xa5可为1至10的整数，
[0118]r201
至r
204
和q
201
可各自独立地为未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、或者未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，
[0119]r201
和r
202
可任选地通过以下彼此连接：单键、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c5亚烷基、或者未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
2-c5亚烯基，以形成未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
8-c
60
多环基团(例如，咔唑基和/或类似物)，
[0120]r203
和r
204
可任选地通过以下彼此连接：单键、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c5亚烷基、或者未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
2-c5亚烯基，以形成未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
8-c
60
多环基团，并且
[0121]
na1可为1至4的整数。
[0122]
在一些实施方案中，式201和式202可各自包括由式cy201至式cy217表示的基团中的至少一个：
[0123][0124]
其中，在式cy201至式cy217中，r
10b
和r
10c
可各自通过参照r
10a
的描述来理解，环cy
201
至环cy
204
可各自独立地为c
3-c
20
碳环基团或c
1-c
20
杂环基团，并且在式cy201至式cy217中的至少一个氢可未被取代或被r
10a
取代。
[0125]
在实施方案中，在式cy201至式cy217中，环cy
201
至环cy
204
可各自独立地为苯的基团(benzene group)、萘基、菲基或蒽基。
[0126]
在一个或多个实施方案中，式201和式202可各自包括由式cy201至式cy203表示的基团中的至少一个。
[0127]
在一个或多个实施方案中，式201可包括由式cy201至式cy203表示的基团中的至少一个和由式cy204至式cy217表示的基团中的至少一个。
[0128]
在一个或多个实施方案中，在式201中，xa1可为1，r
201
可由式cy201至式cy203中的一个表示，xa2可为0，并且r
202
可由式cy204至式cy207中的一个表示。
[0129]
在一个或多个实施方案中，式201和式202可各自不包括由式cy201至式cy203表示的基团。
[0130]
在一个或多个实施方案中，式201和式202可各自不包括由式cy201至式cy203表示的基团，并且包括由式cy204至式cy217表示的基团中的至少一个。
[0131]
在一个或多个实施方案中，式201和式202可各自不包括由式cy201至式cy217表示的基团。
[0132]
在一些实施方案中，空穴传输区可包括m-mtdata、tdata、2-tnata、npb(npd)、β-npb、tpd、螺-tpd、螺-npb、甲基化-npb、tapc、hmtpd、4,4',4"-三(n-咔唑基)三苯基胺(tcta)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(pani/dbsa)、聚(3,4-乙烯二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(pedot/pss)、聚苯胺/樟脑磺酸(pani/csa)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸)(pani/pss)、或它们的任何组合：
[0133][0134]
空穴传输区的厚度可在约50埃至约(例如，约至约)的范围中。当空穴传输区包括空穴注入层、空穴传输层、或它们的任何组合时，空穴注入层的厚度可在约至约(例如，约至约)的范围中，并且空穴传输层的厚度可在约至约(例如，约至约)的范围中。当空穴传输区、空穴注入层和/或空穴传输层的厚度在这些范围中的任何内时，则在不显著增加驱动电压的情况下可获得优异的或合适的空穴传输特性。
[0135]
发射辅助层可通过补偿发射层发射的光的波长的光学共振距离来增加发光效率。电子阻挡层可防止或减少电子从发射层到空穴传输区的渗漏。可包括在空穴传输区中的材料也可包括在发射辅助层和电子阻挡层中。
[0136]
p型掺杂剂
[0137]
空穴传输区可包括电荷产生材料以及前述材料，以改善空穴传输区的导电性能。电荷产生材料可基本上均匀或非均匀地分散在空穴传输区中(例如，作为包括电荷产生材料(例如，由其组成)的单层)。
[0138]
例如，电荷产生材料可包括p型掺杂剂。
[0139]
在一些实施方案中，p型掺杂剂的最低未占分子轨道(lumo)能级可为-3.5ev或更低。
[0140]
在一些实施方案中，p型掺杂剂可包括醌衍生物、含有氰基的化合物、含有元素el1和元素el2的化合物、或它们的任何组合。
[0141]
醌衍生物的实例可包括tcnq、f4-tcnq和/或类似物，
[0142]
含有氰基的化合物的实例包括hat-cn、由式221表示的化合物和/或类似物：
[0143][0144]
式221
[0145][0146]
其中，在式221中，
[0147]r221
至r
223
可各自独立地为未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、或者未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，
[0148]r221
至r
223
中的至少一个可各自独立地为：c
3-c
60
碳环基团或c
1-c
60
杂环基团，它们被以下取代：氰基；-f；-cl；-br；-i；被氰基、-f、-cl、-br、-i、或它们的任何组合取代的c
1-c
20
烷基；或它们的任何组合。
[0149]
在含有元素el1和元素el2的化合物中，元素el1可为金属、类金属、或它们的组合，并且元素el2可为非金属、类金属、或它们的组合。
[0150]
金属的实例可包括：碱金属(例如，锂(li)、钠(na)、钾(k)、铷(rb)、铯(cs)和/或类似物)；碱土金属(例如，铍(be)、镁(mg)、钙(ca)、锶(sr)、钡(ba)和/或类似物)；过渡金属(例如，钛(ti)、锆(zr)、铪(hf)、钒(v)、铌(nb)、钽(ta)、铬(cr)、钼(mo)、钨(w)、锰(mn)、锝(tc)、铼(re)、铁(fe)、钌(ru)、锇(os)、钴(co)、铑(rh)、铱(ir)、镍(ni)、钯(pd)、铂(pt)、铜(cu)、银(ag)、金(au)和/或类似物)；后过渡金属(例如，锌(zn)、铟(in)、锡(sn)和/或类似物)；镧系金属(例如，镧(la)、铈(ce)、镨(pr)、钕(nd)、钷(pm)、钐(sm)、铕(eu)、钆(gd)、铽(tb)、镝(dy)、钬(ho)、铒(er)、铥(tm)、镱(yb)、镥(lu)和/或类似物)；和/或类似物。
[0151]
类金属的实例可包括硅(si)、锑(sb)、碲(te)和/或类似物。
[0152]
非金属的实例可包括氧(o)、卤素(例如，f、cl、br、i和/或类似物)和/或类似物。
[0153]
例如，含有元素el1和元素el2的化合物可包括金属氧化物、金属卤化物(例如，金属氟化物、金属氯化物、金属溴化物、金属碘化物和/或类似物)、类金属卤化物(例如，类金属氟化物、类金属氯化物、类金属溴化物、类金属碘化物和/或类似物)、金属碲化物、或它们的任何组合。
[0154]
中间层130中的发射层
[0155]
中间层130中的发射层可包括量子点。
[0156]
如本文中利用的术语“量子点”是指半导体化合物的晶体，并且可包括能够根据晶
体的尺寸发射一种或多种合适长度的发射波长的光的任何合适的材料。
[0157]
量子点的直径可例如在约1nm至约10nm的范围中。
[0158]
量子点可通过湿化学工艺、金属有机化学气相沉积工艺、分子束外延工艺或任何类似的工艺来合成。
[0159]
湿化学工艺为将前体材料与有机溶剂混合以生长量子点颗粒晶体的方法。当晶体生长时，有机溶剂可自然地用作配位在量子点晶体表面上的分散剂，从而控制晶体的生长。因此，与气相沉积工艺(诸如金属有机化学气相沉积(mocvd)工艺或分子束外延(mbe)工艺)相比，湿化学工艺可更容易执行。此外，可以更低的制造成本来控制或选择量子点颗粒的生长。
[0160]
量子点可包括：第ii-vi族半导体化合物；第iii-v族半导体化合物；第iii-vi族半导体化合物；第i-iii-vi族半导体化合物；第iv-vi族半导体化合物；第iv族元素或化合物；或它们的任何组合。
[0161]
第ii-vi族半导体化合物的实例可包括：二元化合物(诸如cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、mgse和/或mgs)；三元化合物(诸如cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、mgznse和/或mgzns)；四元化合物(诸如cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete和/或hgznste)；或它们的任何组合。
[0162]
第iii-v族半导体化合物的实例可包括：二元化合物(诸如gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas和/或insb)；三元化合物(诸如ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、ingap、innp、inalp、innas、innsb、inpas和/或inpsb)；四元化合物(诸如gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas和/或inalpsb)；或它们的任何组合。在一些实施方案中，第iii-v族半导体化合物还可包括第ii族元素。还包括第ii族元素的第iii-v族半导体化合物的实例可包括inznp、ingaznp、inalznp和/或类似物。
[0163]
第iii-vi族半导体化合物的实例可包括：二元化合物(诸如gas、gase、ga2se3、gate、ins、inse、in2s3、in2se3、inte和/或类似物)；三元化合物(诸如ingas3、ingase3和/或类似物)；或它们的任何组合。
[0164]
第i-iii-vi族半导体化合物的实例可包括：三元化合物(诸如agins、agins2、cuins、cuins2、cugao2、aggao2和/或agalo2)；或它们的任何组合。
[0165]
第iv-vi族半导体化合物的实例可包括：二元化合物(诸如sns、snse、snte、pbs、pbse和/或pbte)；三元化合物(诸如snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse和/或snpbte)；四元化合物(诸如snpbsse、snpbsete和/或snpbste)；或它们的任何组合。
[0166]
第iv元素或化合物可为单一元素物质(诸如si和/或ge)；二元化合物(诸如sic和/或sige)；或它们的任何组合。
[0167]
包括在多元素化合物(诸如二元化合物、三元化合物和/或四元化合物)中的单独元素可以基本上均匀或非均匀的浓度存在于其颗粒中。
[0168]
量子点可具有单一结构(在该单一结构中，包括在量子点中的每个元素的浓度为基本上均匀的)或核-壳双重结构。在一些实施方案中，包括在核中的材料可与包括在壳中的材料不同。
[0169]
量子点的壳可用作用于防止或减少核的化学变性以保持半导体特性的保护层，和/或用作用于赋予量子点电泳特性的充电层。壳可为单层或多层。核和壳之间的界面可具有存在于壳中的元素的浓度朝向核递减的浓度梯度。
[0170]
量子点的壳的实例包括金属、类金属或非金属的氧化物、半导体化合物、或它们的组合。金属、类金属或非金属的氧化物的实例可包括：二元化合物(诸如sio2、al2o3、tio2、zno、mno、mn2o3、mn3o4、cuo、feo、fe2o3、fe3o4、coo、co3o4或nio)；三元化合物(诸如mgal2o4、cofe2o4、nife2o4或comn2o4)；或它们的任何组合。半导体化合物的实例可包括：第ii-vi族半导体化合物；第iii-v族半导体化合物；第iii-vi族半导体化合物；第i-iii-vi族半导体化合物；第iv-vi族半导体化合物；或它们的任何组合。在一些实施方案中，半导体化合物可为cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、znses、zntes、gaas、gap、gasb、hgs、hgse、hgte、inas、inp、ingap、insb、alas、alp、alsb、或它们的任何组合。
[0171]
量子点可具有约45nm或更小、约40nm或更小、或者约30nm或更小的发射波长的光谱半峰全宽(fwhm)。当量子点的fwhm在这个范围内时，可改善颜色纯度或颜色再现性。在一些实施方案中，因为通过量子点发射的光在所有方向上发射，所以可改善光学视角。
[0172]
在一些实施方案中，例如，量子点可为球形、金字塔形、多臂和/或立方体的纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米纤维和/或纳米板。
[0173]
通过调节量子点发射层中的量子点的尺寸，也可调节能带隙，从而提供各种合适波长的光。通过利用一种或多种合适尺寸的量子点，可使可发射一种或多种合适波长的光的发光器件成为现实。在一些实施方案中，可选择量子点的尺寸以使得量子点可发射红光、绿光和/或蓝光。在一些实施方案中，可选择量子点的尺寸以使得量子点可通过组合一种或多种合适的光的颜色来发射白光。
[0174]
中间层130中的电子传输区
[0175]
电子传输区可具有：i)包括单层(例如，由其组成)的单层结构，该单层包括单一材料(例如，由其组成)；ii)包括单层(例如，由其组成)的单层结构，该单层包括多种不同材料；或iii)具有包括多种不同材料的多层的多层结构。
[0176]
在一些实施方案中，电子传输区可包括空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、或它们的组合。
[0177]
在一些实施方案中，电子传输区可具有电子传输层/电子注入层结构、或空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层结构，其中，每个结构的层以陈述的顺序依次堆叠在发射层上。
[0178]
电子传输区(例如，电子传输区中的空穴阻挡层或电子传输层)可包括不含金属且包括至少一种缺乏π电子的含有氮的c
1-c
60
环状基团的化合物。
[0179]
在一些实施方案中，电子传输区可包括由式601表示的化合物：
[0180]
式601
[0181]
[ar
601
]
xe11-[(l
601
)
xe1-r
601
]
xe21
，
[0182]
其中，在式601中，
[0183]
ar
601
和l
601
可各自独立地为未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、或
者未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，
[0184]
xe11可为1、2或3，
[0185]
xe1可为0、1、2、3、4或5，
[0186]r601
可为未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团、-si(q
601
)(q
602
)(q
603
)、-c(＝o)(q
601
)、-s(＝o)2(q
601
)或-p(＝o)(q
601
)(q
602
)，
[0187]
其中，q
601
至q
603
可各自通过参照本文中提供的q
11
的描述来理解，xe21可为1、2、3、4或5，并且
[0188]
ar
601
、l
601
和r
601
中的至少一个可独立地为未被取代或被至少一个r
10a
取代的缺乏π电子的含有氮的c
1-c
60
环状基团。
[0189]
例如，在式601中，当xe11为2或更大时，至少两个ar
601
可彼此通过单键连接。
[0190]
在一些实施方案中，在式601中，ar
601
可为被取代或未被取代的蒽基。
[0191]
在一些实施方案中，电子传输区可包括由式601-1表示的化合物：
[0192]
式601-1
[0193][0194]
其中，在式601-1中，
[0195]
x
614
可为n或c(r
614
)，x
615
可为n或c(r
615
)，x
616
可为n或c(r
616
)，并且x
614
至x
616
中的至少一个可为n，
[0196]
l
611
至l
613
可各自通过参照本文中提供的l
601
的描述来理解，
[0197]
xe611至xe613可各自通过参照本文中提供的xe1的描述来理解，
[0198]r611
至r
613
可各自通过参照本文中提供的r
601
的描述来理解，并且
[0199]r614
至r
616
可各自独立地为氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
1-c
20
烷基、c
1-c
20
烷氧基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、或者未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团。
[0200]
例如，在式601和式601-1中，xe1和xe611至xe613可各自独立地为0、1或2。
[0201]
电子传输区可包括2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bcp)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bphen)、alq3、balq、taz、ntaz、或它们的任何组合：
[0202][0203]
电子传输区的厚度可在约100埃至约(例如，约至约)
铟(mg-in)、镁-银(mg-ag)、镱(yb)、银-镱(ag-yb)、ito、izo、或它们的任何组合。第二电极150可为透射电极、半透射半反射电极或反射电极。
[0215]
第二电极150可具有单层结构或者包括两层或更多层的多层结构。
[0216]
覆盖层
[0217]
第一覆盖层可位于第一电极110外部，和/或第二覆盖层可位于第二电极150外部。在一些实施方案中，发光器件10可具有：第一覆盖层、第一电极110、中间层130和第二电极150以这个陈述的顺序依次堆叠的结构；第一电极110、中间层130、第二电极150和第二覆盖层以这个陈述的顺序依次堆叠的结构；或者第一覆盖层、第一电极110、中间层130、第二电极150和第二覆盖层以这个陈述的顺序依次堆叠的结构。
[0218]
在发光器件10中，从中间层130中的发射层发射的光可穿过第一电极110(第一电极110可为半透射半反射电极或透射电极)并穿过第一覆盖层至外部。在发光器件10中，从中间层130中的发射层发射的光可穿过第二电极150(第二电极150可为半透射半反射电极或透射电极)并且穿过第二覆盖层至外部。
[0219]
基于相长干涉的原理，第一覆盖层和第二覆盖层可改善器件的外部发光效率。相应地，可增加发光器件10的光提取效率，因此改善了发光器件10的发光效率。
[0220]
第一覆盖层和第二覆盖层可各自包括具有(在589nm处)1.6或更高的折射率的材料。
[0221]
第一覆盖层和第二覆盖层可各自独立地为包括有机材料的有机覆盖层、包括无机材料的无机覆盖层、或者包括有机材料和无机材料的有机-无机复合覆盖层。
[0222]
第一覆盖层或第二覆盖层中的至少一个可各自独立地包括碳环化合物、杂环化合物、含有胺基的化合物、卟啉衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、碱金属配合物、碱土金属配合物、或它们的任何组合。碳环化合物、杂环化合物和含有胺基的化合物可任选地被如下的取代基取代：氧(o)、氮(n)、硫(s)、硒(se)、硅(si)、氟(f)、氯(cl)、溴(br)、碘(i)、或它们的任何组合取代。在一些实施方案中，第一覆盖层或第二覆盖层中的至少一个可各自独立地包括含有胺基的化合物。
[0223]
在一些实施方案中，第一覆盖层或第二覆盖层中的至少一个可各自独立地包括由式201表示的化合物、由式202表示的化合物、或它们的任何组合。
[0224]
在一个或多个实施方案中，第一覆盖层或第二覆盖层中的至少一个可各自独立地包括式201和式202中的一个、化合物cp1至化合物cp6中的一个、β-npb、或它们的任何组合：
[0225][0226][0227]
电子设备
[0228]
发光器件可包括在各种合适的电子设备中。在一些实施方案中，包括发光器件的电子设备可为发光设备或认证设备。
[0229]
除了发光器件之外，电子设备(例如，发光设备)还可包括：i)滤色器；ii)颜色转换层；或者iii)滤色器和颜色转换层。滤色器和/或颜色转换层可在从发光器件发射的光的至少一个传播方向上布置(例如，与从发光器件发射的光的至少一个传播方向相交)。例如，从发光器件发射的光可为蓝光和/或白光。发光器件可参照本文中提供的描述来理解。在一些实施方案中，颜色转换层可包括量子点。量子点可为例如本文中描述的量子点。
[0230]
电子设备可包括第一衬底。第一衬底可包括多个子像素区域，滤色器可包括分别对应于多个子像素区域的多个滤色器区域，并且颜色转换层可包括分别对应于多个子像素区域的多个颜色转换区域。
[0231]
像素限定膜可位于多个子像素区域之间，以限定每个子像素区域。
[0232]
滤色器还可包括多个滤色器区域和在多个滤色器区域之间的遮光图案，并且颜色转换层还可包括多个颜色转换区域和在多个颜色转换区域之间的遮光图案。
[0233]
多个滤色器区域(或多个颜色转换区域)可包括：发射第一颜色光的第一区域；发射第二颜色光的第二区域；和/或发射第三颜色光的第三区域，并且第一颜色光、第二颜色光和/或第三颜色光可具有不同的最大发射波长。在一些实施方案中，第一颜色光可为红
光，第二颜色光可为绿光，并且第三颜色光可为蓝光。在一些实施方案中，多个滤色器区域(或多个颜色转换区域)可各自包括量子点。在一些实施方案中，第一区域可包括红色量子点，第二区域可包括绿色量子点，并且第三区域可不包括(例如，可排除)量子点。量子点可通过参照本文中提供的量子点的描述来理解。第一区域、第二区域和/或第三区域还可各自包括发射体。
[0234]
子像素可包括可发射光的有源子像素和可不发射光的伪(dummy)子像素。伪子像素可不包括(例如，可排除)电极或中间层。将在以下描述中描述伪子像素。
[0235]
在一些实施方案中，发光器件可发射第一光，第一区域可为吸收第一光以发射1-1颜色光，第二区域可为吸收第一光以发射2-1颜色光，并且第三区域可吸收第一光以发射3-1颜色光。在该实施方案中，1-1颜色光、2-1颜色光和3-1颜色光可各自具有不同的最大发射波长。在一些实施方案中，第一光可为蓝光，1-1颜色光可为红光，2-1颜色光可为绿光，并且3-1颜色光可为蓝光。
[0236]
除了发光器件之外，电子设备还可包括薄膜晶体管。薄膜晶体管可包括源电极、漏电极和有源层，其中，源电极和漏电极中的一个可电连接到发光器件的第一电极和第二电极中的一个。
[0237]
薄膜晶体管还可包括栅电极、栅绝缘膜和/或类似物。
[0238]
有源层可包括晶体硅、非晶硅、有机半导体和/或氧化物半导体。
[0239]
电子设备还可包括用于密封发光器件的封装单元。封装单元可位于滤色器和/或颜色转换层与发光器件之间。封装单元可允许光从发光器件经过至外部和同时防止或减少空气和/或湿气渗透到发光器件中。封装单元可为包括透明玻璃和/或塑料的密封衬底。封装单元可为包括至少一个有机层和/或无机层的薄膜封装层。当封装单元为薄膜封装层时，电子设备可为柔性的。
[0240]
依据电子设备的意欲用途，除了滤色器和/或颜色转换层之外，一个或多个合适的功能层还可布置在封装单元上。功能层的实例可包括触摸屏层、偏光层和/或类似物。触摸屏层可为电阻式触摸屏层、电容式触摸屏层或红外光束触摸屏层。认证设备可为例如根据生物测定信息(例如，指尖、瞳孔和/或类似物)来认证个人的生物测定认证设备。
[0241]
除了上述发光器件之外，认证设备还可包括生物测定信息收集单元。
[0242]
电子设备可应用于各种合适的显示器、光源、照明、个人计算机(例如，移动个人计算机)、移动电话、数码相机、电子笔记本、电子词典、电子游戏机、医疗装置(例如，电子温度计、血压计、血糖仪、脉搏测量装置、脉搏波测量装置、心电图记录仪、超声波诊断装置和/或内窥镜显示装置)、鱼探测器、各种合适的测量装置、仪表(例如，车辆、飞机和/或船舶的仪表)和/或投影仪。
[0243]
图2和图3的描述
[0244]
图2是电子设备的实施方案的剖面示意视图。
[0245]
图2的电子设备可包括衬底100、薄膜晶体管、发光器件和密封发光器件的封装单元300。
[0246]
衬底100可为柔性衬底、玻璃衬底和/或金属衬底。缓冲层210可在衬底100上。缓冲层210可防止或减少杂质通过衬底100渗透，并且在衬底100上提供平坦表面。
[0247]
薄膜晶体管可在缓冲层210上。薄膜晶体管可包括有源层220、栅电极240、源电极
260和漏电极270。
[0248]
有源层220可包括无机半导体(诸如硅和/或多晶硅)、有机半导体或氧化物半导体，并且包括源区域、漏区域和沟道区域。
[0249]
用于将有源层220与栅电极240绝缘的栅绝缘膜230可在有源层220上，并且栅电极240可在栅绝缘膜230上。
[0250]
中间层绝缘膜250可在栅电极240上。中间层绝缘膜250可在栅电极240和源电极260之间并且在栅电极240和漏电极270之间，以在其间提供绝缘。
[0251]
源电极260和漏电极270可在中间层绝缘膜250上。中间层绝缘膜250和栅绝缘膜230可形成为暴露有源层220的源区域和漏区域，并且源电极260和漏电极270可与有源层220的经暴露的源区域和经暴露的漏区域相邻。
[0252]
这样的薄膜晶体管可电连接到发光器件以驱动发光器件，并且可被钝化层280保护。钝化层280可包括无机绝缘膜、有机绝缘膜或它们的组合。发光器件可在钝化层280上。发光器件可包括第一电极110、中间层130和第二电极150。
[0253]
第一电极110可在钝化层280上。钝化层280可不完全覆盖漏电极270并可因此暴露漏电极270的设定或预先确定的区域，并且第一电极110可布置为连接到漏电极270的经暴露的区域。
[0254]
像素限定膜290可在第一电极110上。像素限定膜290可暴露第一电极110的设定或预先确定的区域，并且中间层130可形成在第一电极110的经暴露的区域中。像素限定膜290可为聚酰亚胺或聚丙烯酸的有机膜。在一些实施方案中，中间层130的一些较高层可延伸至像素限定膜290的上部，并且可以公共层的形式布置。
[0255]
第二电极150可在中间层130上，并且覆盖层170可附加地形成在第二电极150上。覆盖层170可形成为覆盖第二电极150。
[0256]
封装单元300可在覆盖层170上。封装单元300可在发光器件上，以保护发光器件免受湿气和/或氧气的影响。封装单元300可包括：无机膜，无机膜包括硅氮化物(sin
x
)、硅氧化物(sio
x
)、氧化铟锡、氧化铟锌、或它们的任何组合；有机膜，有机膜包括pet、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸酯、聚甲醛、聚芳酯、六甲基二硅氧烷、丙烯酸树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸和/或类似物)、环氧树脂(例如，脂肪族缩水甘油醚(age)和/或类似物)、或它们的任何组合；或者无机膜和有机膜的组合。
[0257]
图3为电子设备的另一实施方案的剖面示意视图。
[0258]
除了遮光图案500和功能区域400附加地位于封装单元300上以外，图3中所示的电子设备与图2中所示的电子设备基本上相同。功能区域400可为：i)滤色器区域；ii)颜色转换区域；或者iii)滤色器区域和颜色转换区域的组合。在一些实施方案中，包括在电子设备中的图3中所示的发光器件可为串联发光器件。
[0259]
术语一般定义
[0260]
本文中所使用的术语“c
3-c
60
碳环基团”是指仅由碳原子组成且具有3至60个碳原子作为成环原子的环状基团。本文中所使用的术语“c
1-c
60
杂环基团”是指具有1至60个碳原子且还具有除了碳原子以外的杂原子作为成环原子的环状基团。c
3-c
60
碳环基团和c
1-c
60
杂环基团可各自为由一个环组成的单环基团或至少两个环稠合的多环基团。例如，c
1-c
60
杂环基团的成环原子的数量可在3至61范围中。
[0261]
本文中所使用的“环状基团”可包括c
3-c
60
碳环基团和c
1-c
60
杂环基团。
[0262]
术语“富含π电子的c
3-c
60
环状基团”是指具有3至60个碳原子并且不包括*-n＝*'作为成环部分的环状基团。本文中所使用的术语“缺乏π电子的含有氮的c
1-c
60
环状基团”是指具有1至60个碳原子和*-n＝*'作为成环部分的杂环基团。
[0263]
在一些实施方案中，
[0264]c3-c
60
碳环基团可为：i)(下面定义的)t1基团；或ii)至少两个t1基团稠合的基团(例如，环戊二烯基、金刚烷基、降冰片烷基、苯的基团、戊搭烯基、萘基、薁基、引达省基、苊烯基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、基、苝基、并五苯基、庚搭烯基、萘并萘基、苉基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、六苯并苯基、卵苯基、茚基、芴基、螺-双芴基、苯并芴基、茚并非基、或茚并蒽基)，
[0265]c1-c
60
杂环基团可为：i)(下面定义的)t2基团；ii)至少两个t2基团稠合的基团；或iii)至少一个t2基团和至少一个t1基团稠合的基团(例如，吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并硅杂环戊二烯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并硅杂环戊二烯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并硅杂环戊二烯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并硅杂环戊二烯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基、苯并噻吩并二苯并噻吩基、吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、苯并噻唑基、苯并异噻唑基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、菲咯啉、噌啉基、酞嗪基、萘啶基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并硅杂环戊二烯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基和/或类似物)，
[0266]
富含π电子的c
3-c
60
环状基团可为：i)t1基团；ii)至少两个t1基团稠合的稠合基团；iii)(下面定义的)t3基团；iv)至少两个t3基团稠合的稠合基团；或v)至少一个t3基团和至少一个t1基团稠合的稠合基团(例如，c
3-c
60
碳环基团、1h-吡咯基、硅杂环戊二烯基(silole)、硼杂环戊二烯基(borole)、2h-吡咯基、3h-吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并硅杂环戊二烯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并硅杂环戊二烯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并硅杂环戊二烯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并硅杂环戊二烯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基、苯并噻吩并二苯并噻吩基和/或类似物)，并且
[0267]
缺乏π电子的含有氮的c
1-c
60
环状基团可为：i)(下面定义的)t4基团；ii)至少两个t4基团稠合的基团；iii)至少一个t4基团和至少一个t1基团稠合的基团；iv)至少一个t4基团和至少一个t3基团稠合的基团；或v)至少一个t4基团、至少一个t1基团和至少一个t3基团稠合的基团(例如，吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、苯并噻唑基、苯并异噻唑基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉
基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、菲咯啉基、噌啉基、酞嗪基、萘啶基、咪唑并吡啶、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并硅杂环戊二烯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基和/或类似物)，
[0268]
其中，t1基团可为环丙烷基、环丁烷基、环戊烷基、环己烷基、环庚烷基、环辛烷基、环丁烯基、环戊烯基、环戊二烯基、环己烯基、环己二烯基、环庚烯基、金刚烷基、降冰片烷(或双环[2.2.1]庚烷)基团、降冰片烯基、双环[1.1.1]戊烷基、双环[2.1.1]己烷基、双环[2.2.2]辛烷基或苯的基团，
[0269]
t2基团可为呋喃基、噻吩团、1h-吡咯团、硅杂环戊二烯基、硼杂环戊二烯基、2h-吡咯基、3h-吡咯基、咪唑基、吡唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、氮杂硅杂环戊二烯基、氮杂硼杂环戊二烯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、四嗪基、吡咯烷基、咪唑烷基、二氢吡咯基、哌啶基、四氢吡啶基、二氢吡啶基、六氢嘧啶基、四氢嘧啶基、二氢嘧啶基、哌嗪基、四氢吡嗪基、二氢吡嗪基、四氢哒嗪基或二氢哒嗪基，
[0270]
t3基团可为呋喃基、噻吩基、1h-吡咯基、硅氧环戊二烯基或硼杂环戊二烯基，并且
[0271]
t4基团可为2h-吡咯基、3h-吡咯基、咪唑基、吡唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、氮杂硅杂环戊二烯基、氮杂硼杂环戊二烯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基或四嗪基。
[0272]
本文中所使用的术语“环状基团”、“c
3-c
60
碳环基团”、“c
1-c
60
杂环基团”、“富含π电子的c
3-c
60
环状基团”或“缺乏π电子的含有氮的c
1-c
60
环状基团”可为与任何合适的环状基团、单价基团或多价基团(例如，二价基团、三价基团、四价基团和/或类似物)稠合的基团，这取决于应用该术语的式的结构。例如，“苯的基团”可为苯环、苯基、亚苯基和/或类似物，并且依据包括“苯的基团”的式的结构，这可被本领域普通技术人员理解。
[0273]
在一些实施方案中，单价c
3-c
60
碳环基团和单价c
1-c
60
杂环基团的实例可包括c
3-c
10
环烷基、c
1-c
10
杂环基团、c
3-c
10
环烯基、c
1-c
10
杂环烯基、c
6-c
60
芳基、c
1-c
60
杂芳基、单价非芳族稠合多环基团和单价非芳族稠合杂多环基团，并且二价c
3-c
60
碳环基团和二价c
1-c
60
杂环基团的实例可包括c
3-c
10
亚环烷基、c
1-c
10
亚杂环烷基、c
3-c
10
亚环烯基、c
1-c
10
亚杂环烯基、c
6-c
60
亚芳基、c
1-c
60
亚杂芳基、二价非芳族稠合多环基团和二价非芳族稠合杂多环基团。
[0274]
本文中所使用的术语“c
1-c
60
烷基”是指具有1至60个碳原子的直链或支链的脂族烃单价基团。c
1-c
60
烷基的实例可包括甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、叔戊基、新戊基、异戊基、仲戊基、3-戊基、仲异戊基、正己基、异己基、仲己基、叔己基、正庚基、异庚基、仲庚基、叔庚基、正辛基、异辛基、仲辛基、叔辛基、正壬基、异壬基、仲壬基、叔壬基、正癸基、异癸基、仲癸基和/或叔癸基。本文中所使用的术语“c
1-c
60
亚烷基”是指具有与c
1-c
60
烷基基本上相同的结构的二价基团。
[0275]
本文中所使用的术语“c
2-c
60
烯基”是指在c
2-c
60
烷基的中间或末端具有至少一个碳-碳双键的单价烃基。其实例可包括乙烯基、丙烯基和/或丁烯基。本文中所使用的术语“c
2-c
60
亚烯基”是指具有与c
2-c
60
烯基基本上相同的结构的二价基团。
[0276]
本文中所使用的术语“c
2-c
60
炔基”是指在c
2-c
60
烷基的中间或末端具有至少一个
碳-碳三键的单价烃基。其实例可包括乙炔基和/或丙炔基。本文中所使用的术语“c
2-c
60
亚炔基”是指具有与c
2-c
60
炔基基本上相同的结构的二价基团。
[0277]
本文中所使用的术语“c
1-c
60
烷氧基”是指由-oa
101
表示的单价基团(其中，a
101
为c
1-c
60
烷基)。其实例可包括甲氧基、乙氧基和/或异丙氧基。
[0278]
本文中所使用的术语“c
3-c
10
环烷基”是指包括3至10个碳原子的单价饱和烃单环基团。本文中所使用的c
3-c
10
环烷基的实例可包括环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基(双环[2.2.1]庚基)、双环[1.1.1]戊基、双环[2.1.1]己基和/或双环[2.2.1]辛基。本文中所使用的术语“c
3-c
10
亚环烷基”是指具有与c
3-c
10
环烷基基本上相同的结构的二价基团。
[0279]
本文中所使用的术语“c
1-c
10
杂环烷基”是指单价环状基团，单价环状基团除了碳原子以外还包括至少一个杂原子作为成环原子，并且具有1至10个碳原子。其实例可包括1,2,3,4-氧杂三唑烷基、四氢呋喃基和/或四氢噻吩基。本文中所使用的术语“c
1-c
10
亚杂环烷基”是指具有与c
1-c
10
杂环烷基基本上相同的结构的二价基团。
[0280]
本文中所使用的术语“c
3-c
10
环烯基”是指其环中具有3至10个碳原子和至少一个碳-碳双键并且为非芳族的单价环状基团。其实例可包括环戊烯基、环己烯基和/或环庚烯基。本文中所使用的术语“c
3-c
10
亚环烯基”是指具有与c
3-c
10
环烯基基本上相同的结构的二价基团。
[0281]
本文中所使用的术语“c
1-c
10
杂环烯基”是指单价环状基团，单价环状基团包括除了碳原子以外的至少一个杂原子作为成环原子、1至10个碳原子和在其环中的至少一个双键。c
1-c
10
杂环烯基的实例可包括4,5-二氢-1,2,3,4-噁三唑基、2,3-二氢呋喃基和/或2,3-二氢噻吩基。本文中所使用的术语“c
1-c
10
亚杂环烯基”是指具有与c
1-c
10
杂环烯基基本上相同的结构的二价基团。
[0282]
本文中所使用的术语“c
6-c
60
芳基”是指具有碳环芳族体系的单价基团，该碳环芳族体系具有6至60个碳原子。本文中所使用的术语“c
6-c
60
亚芳基”是指具有碳环芳族体系的二价基团，该碳环芳族体系具有6至60个碳原子。c
6-c
60
芳基的实例可包括苯基、并环戊二烯基(pentalenyl)、萘基、薁基、引达省基、苊基、萉基(phenalenyl)、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲、芘基、基、苝基、戊芬基(pentaphenyl)、庚搭烯、并四苯基、苉基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、晕苯基和/或莪基。当c
6-c
60
芳基和c
6-c
60
亚芳基各自独立地包括两个或更多个的环时，各自的环可为稠合的。
[0283]
本文中所使用的术语“c
1-c
60
杂芳基”是指具有杂环芳族体系的单价基团，该杂环芳族体系还包括除了碳原子以外的至少一个杂原子作为成环原子以及1至60个碳原子。本文中所使用的术语“c
1-c
60
亚杂芳基”是指具有杂环芳族体系的二价基团，该杂环芳族体系还包括除了碳原子以外的至少一个杂原子作为成环原子以及1至60个碳原子。c
1-c
60
杂芳基的实例可包括吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、苯并喹啉基、异喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、噌啉基、菲咯啉基、酞嗪基和/或萘啶基。当c
1-c
60
杂芳基和c
1-c
60
亚杂芳基各自独立地包括两个或更多个的环时，各自的环可为稠合的。
[0284]
本文中所使用的术语“单价非芳族稠合多环基团”是指具有两个或更多个的稠合环且仅碳原子(例如，8至60个碳原子)作为成环原子的单价基团，其中，当整体考虑(例如，
以其整体考虑)时分子结构为非芳族的(例如，芳族共轭体系没有延伸至整个结构)。单价非芳族稠合多环基团的实例可包括茚基、芴基、螺-双芴基、苯并芴基、茚并菲基和/或茚并蒽基。本文中所使用的术语“二价非芳族稠合多环基团”是指与单价非芳族稠合多环基团具有基本上相同的结构的二价基团。
[0285]
本文中所使用的术语“单价非芳族稠合杂多环基团”是指具有两个或更多个的稠合环且除了碳原子(例如，1至60个碳原子)以外的至少一个杂原子作为成环原子的单价基团，其中，当整体考虑时分子结构为非芳族的(例如，芳族共轭体系没有延伸至整个结构)。单价非芳族稠合杂多环基团的实例可包括：吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并硅杂环戊二烯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并硅杂环戊二烯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂苯并硅杂环戊二烯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基、吡唑基、咪唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噻唑基、异噻唑基、噁二唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、苯并噁二唑基、苯并噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并硅杂环戊二烯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并硅杂环戊二烯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基和/或苯并噻吩并苯并噻吩基。本文中所使用的术语“二价非芳族稠合杂多环基团”是指与单价非芳族稠合杂多环基团具有基本上相同的结构的二价基团。
[0286]
本文中所使用的术语“c
6-c
60
芳氧基”是指-oa
102
(其中，a
102
为c
6-c
60
芳基)。本文中所使用的术语“c
6-c
60
芳硫基”是指-sa
103
(其中，a
103
为c
6-c
60
芳基)。
[0287]
本文中所使用的术语“c
7-c
60
芳烷基”是指-a
104a105
(其中，a
104
为c
1-c
54
亚烷基并且a
105
为c
6-c
59
芳基)。本文中所使用的术语“c
2-c
60
杂芳烷基”是指-a
106a107
(其中，a
106
为c
1-c
59
亚烷基并且a
107
为c
1-c
59
杂芳基)。
[0288]
本文中所使用的术语“r
10a”可为：
[0289]
氘(-d)、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基或硝基；
[0290]c1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基或c
1-c
60
烷氧基，它们各自为未被取代的或被以下取代：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
7-c
60
芳烷基、c
2-c
60
杂芳烷基、-si(q
11
)(q
12
)(q
13
)、-n(q
11
)(q
12
)、-b(q
11
)(q
12
)、-c(＝o)(q
11
)、-s(＝o)2(q
11
)、-p(＝o)(q
11
)(q
12
)、或它们的任何组合；
[0291]c3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
7-c
60
芳烷基或c
2-c
60
杂芳烷基，它们各自为未被取代的或被以下取代：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基、c
1-c
60
烷氧基、c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
7-c
60
芳烷基、c
2-c
60
杂芳烷基、-si(q
21
)(q
22
)(q
23
)、-n(q
21
)(q
22
)、-b(q
21
)(q
22
)、-c(＝o)(q
21
)、-s(＝o)2(q
21
)、-p(＝o)(q
21
)(q
22
)、或它们的任何组合；或
[0292]-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)、-b(q
31
)(q
32
)、-c(＝o)(q
31
)、-s(＝o)2(q
31
)或-p(＝o)(q
31
)(q
32
)。
[0293]q11
至q
13
、q
21
至q
23
和q
31
至q
33
可各自独立地为：氢；氘；-f；-cl；-br；-i；羟基；氰基；硝基；c
1-c
60
烷基；c
2-c
60
烯基；c
2-c
60
炔基；c
1-c
60
烷氧基；或c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团，
它们各自为未被取代的或被以下取代：氘、-f、氰基、c
1-c
60
烷基、c
1-c
60
烷氧基、苯基、联苯基、或它们的任何组合；c
7-c
60
芳烷基；或c
2-c
60
杂芳烷基。
[0294]
本文中所使用的术语“杂原子”是指除碳原子以外的任何原子。杂原子的实例可包括o、s、n、p、si、b、ge、se、或它们的任何组合。
[0295]
存在时，本文中所使用的术语“第三行过渡金属”可包括铪(hf)、钽(ta)、钨(w)、铼(re)、锇(os)、铱(ir)、铂(pt)、和/或金(au)。
[0296]
存在时，本文中所使用的“ph”表示苯基，本文中所使用的“me”表示甲基，本文中所使用的“et”表示乙基，本文中所使用的“ter-bu”或“bu
t”表示叔丁基，并且本文中所使用的“ome”表示甲氧基。
[0297]
本文中所使用的术语“联苯基”是指被苯基取代的苯基。“联苯基”属于具有“c
6-c
60
芳基”作为取代基的“取代的苯基”。
[0298]
本文中所使用的术语“三联苯基”是指被联苯基取代的苯基。“三联苯基”属于具有“被c
6-c
60
芳基取代的c
6-c
60
芳基”作为取代基的“取代的苯基”。
[0299]
定义中的最大碳原子的数目仅为说明性的。例如，c
1-c
60
烷基中的最大碳原子数60为一个实例，并且也可适用于c
1-c
20
烷基的情形。其它情形也可为相同的。
[0300]
除非另有定义，否则本文中使用的符号*和*'是指对应式或部分中与相邻原子的结合位点。
[0301]
在下文中，参照实施例，将更详细地描述根据一个或多个实施方案的发光设备和包括发光设备的电子设备的制造和评价。
[0302]
实施例1
[0303]
如图4中所示，在包括薄膜晶体管tft和ito阳极100的衬底上形成对应于像素限定膜的像素限定层pdl。形成不包括发光器件的伪子像素以及包括发光器件的有源子像素。
[0304]
将ht1真空沉积在有源子像素上以形成具有的厚度的空穴传输层htl。然后，通过溶液工艺将zns涂覆在空穴传输层htl上以形成具有的厚度的发射层eml。
[0305]
将zn(oac)2和naoh的混合物通过溶液工艺涂覆在发射层eml上以形成厚度为的包括zno的电子传输层etl。在其上进一步真空沉积al以形成具有的厚度的阴极150。
[0306]
如图4中所示，将包括异丁酸的丙烯酸酯基树脂20(“具有h
+
的聚合物”)施涂在伪子像素上。在一些实施方案中，可将包括异丁酸的丙烯酸酯基树脂30(“具有h
+
的聚合物”)施加在像素限定层pdl的外部上。例如，可将包括异丁酸的丙烯酸酯基树脂30与发光器件隔开。
[0307]
将密封剂seal涂覆在衬底的边缘部分上，由利用封装单元的封装随后，以制造显示设备。
[0308]
接下来，将显示设备在75℃的温度下放置72小时，从而允许氢阳离子(例如，质子，h
+
)沿电子传输层etl和阴极150之间的界面扩散。如图4中所示，虚线箭头指示氢阳离子沿电子传输层etl和阴极150之间的界面扩散。
[0309]
当包括异丁酸的丙烯酸酯基树脂与发光器件接触(例如，直接接触)时，一旦温度
升高，氢阳离子不仅可扩散到电子传输层etl和阴极150之间的界面，而且可扩散到发射层eml和电子传输层etl之间的界面和/或发射层eml和空穴传输层htl之间的界面。
[0310]
此外，当像素限定层pdl包括有机酸时，像素限定层pdl可能由于有机酸从像素限定层pdl的排出(例如，损失)而发生体积变化，并且因此，像素限定层pdl可能不用作(例如，可能不限定)子像素。
[0311][0312]
实施例2
[0313]
在包括薄膜晶体管tft和ito(阳极)100的衬底上形成像素限定层pdl。形成不包括发光器件的伪子像素以及包括发光器件的有源子像素。
[0314]
将ht1真空沉积在有源子像素上以形成具有的厚度的空穴传输层htl。然后，通过溶液工艺将zns涂覆在空穴传输层htl上以形成具有的厚度的发射层eml。
[0315]
将zn(oac)2和naoh的混合物通过溶液工艺涂覆在发射层eml上以形成厚度为的包括zno的电子传输层etl。接下来，电子传输层etl的表面用异丁酸原位进行气相处理。
[0316]
在其上进一步真空沉积al以形成具有的厚度的阴极150。
[0317]
伪子像素或像素限定层pdl的外部未涂覆包括异丁酸的丙烯酸酯基树脂。然后，在衬底的边缘部分涂覆密封剂，由利用封装单元的封装随后，以制造显示设备。
[0318]
没有加热该显示设备。
[0319]
比较例1
[0320]
除了电子传输层etl的表面没有用异丁酸进行气相处理以外，显示设备以与实施例2中的基本上相同的方式制造。
[0321]
电流密度和效率在10毫安每平方厘米(ma/cm2)的电流密度下测量，以评估实施例1和实施例2以及比较例1的显示设备的特性。
[0322]
利用源表(keithley instrument，2400系列)来测量发光器件的电流密度。利用hamamatsu absolute pl测量系统c9920-2-12来测量发光器件的效率。
[0323]
表1
[0324][0325]
参照表1的结果，与比较例1的显示设备相比，发现实施例1和实施例2的显示设备具有优异或合适的特性。
[0326]
这可能因由电子俘获减少导致的电子注入和传输的增加而导致，而电子俘获减少由于氢阳离子对zno层的表面的氧缺陷的影响(例如，反应)。
[0327]
在评估之后，拆开实施例1的显示设备以分析包括异丁酸的丙烯酸酯基树脂。结果，确认了异丁酸的存在。
[0328]
从前面的描述显而易见的是，根据一个或多个实施方案的发光器件可具有经改善的电子传输能力、电流密度和/或效率。
[0329]
诸如“基本上”、“约”和“～”的术语被用作近似的术语而不为程度的术语，并且意欲说明本领域普通技术人员将认识到的测量值或计算值中的固有偏差。考虑到与该量的测量相关联的限制和误差，它们可包括陈述的值和如由本领域普通技术人员确定的可接受的偏差范围。例如，“约”可是指一个或多个标准偏差，或陈述的值的
±
30％、20％、10％、5％。
[0330]
本文中公开的数值范围包括并且意欲公开相同数值精度的所有归入的子范围。例如，“1.0至10.0”的范围包括具有等于或大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值的所有子范围，诸如，以2.4至7.6为例。因此，申请人保留修改本说明书(包括权利要求书)以明确列举归入在本文中明确列举的范围内的任何子范围的权利。
[0331]
应理解的是，本文中描述的实施方案应仅被认为在描述性的意义上，而不是出于限制的目的。在每个实施方案内的特征或方面的描述通常应被认为可适用于其它实施方案中的其它类似特征或方面。虽然已参照附图描述了一个或多个实施方案，但是本领域普通技术人员将理解，在不脱离如由所附权利要求书及其等同物限定的精神和范围的情况下，可在其中在形式和细节上进行各种合适的改变。