本发明涉及半导体,更具体地,涉及一种封装结构。
背景技术:
1、参考图1所示,对于现有soc(system on chip,片上系统),管芯(die)10的前侧11(也称为有源侧或主动侧)接合至基板20并用于与基板20进行讯号通信。管芯的背侧12(也称为无源侧或被动侧)经由ivr(integrated voltage regulator,集成电压调节器)30和导电柱40连接至基板20,以接收来自基板20的电源。由于管芯10所需的电源和讯号都是从下方的基板20向上传递至管芯10,因此一个基板20内须同时包含电源线路和讯号线路。随着soc管芯的晶圆节点(wafer node)下降,使得单位面积内的讯号i/o件的数量可能会变多,进而会导致单一基板内的电源线路和讯号线路过于靠近而相互影响。
技术实现思路
1、针对相关技术中的上述问题,本发明提出一种封装结构,能够避免单一基板内的电源线路和讯号线路因过于靠近而相互影响。
2、根据本发明的实施例,提供了一种封装结构,该封装结构包括:管芯;至少一个电压调节器件,设置在管芯上方;第一基板,设置在至少一个电压调节器件上方,用于提供电源;多个导电件,多个导电件中的至少一个第一导电件位于第一供电路径上,多个导电件中的至少一个第二导电件与电压调节器件位于与第一供电路径不同的第二供电路径上,电源从第一基板分别经由第一供电路径和第二供电路径馈入管芯。
3、在一些实施例中,第二供电路径上的第二导电件设置在电压调节器件中。
4、在一些实施例中,至少一个电压调节器件包括第一电压调节器件和第二电压调节器件,第二电压调节器件位于第二供电路径上,其中,第一供电路径上的第一导电件埋设在第一电压调节器件中。
5、在一些实施例中,第一供电路径上的第一导电件设置在电压调节器件外部并且设置在电压调节器件的至少一个侧壁旁。
6、在一些实施例中,至少一个电压调节器件包括第一电压调节器件和第二电压调节器件,其中,第一供电路径上的第一导电件设置在第一电压调节器件和第二电压调节器件之间。
7、在一些实施例中,多个导电件中的至少一个第三导电件位于第三供电路径上,其中,第一电压调节器件和第二电压调节器件中的每个具有远离另一个的侧壁,第三供电路径上的第三导电件设置在第一电压调节器件和第二电压调节器件的侧壁旁。
8、在一些实施例中,第二供电路径上的第二导电件设置在电压调节器件外部。
9、在一些实施例中,至少一个电压调节器件包括第一电压调节器件和第二电压调节器件,其中,第二供电路径上的第二导电件设置在第一电压调节器件和第二电压调节器件的外侧。
10、在一些实施例中,至少一个电压调节器件包括第一电压调节器件和第二电压调节器件,其中,第一供电路径上的第一导电件设置在第一电压调节器件和第二电压调节器件之间。
11、在一些实施例中,封装结构还包括第二基板,第二基板设置在管芯下方并且用于向管芯提供讯号。
1.一种封装结构,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述第二供电路径上的所述第二导电件设置在所述电压调节器件中。
3.根据权利要求2所述的封装结构,其特征在于,所述至少一个电压调节器件包括第一电压调节器件和第二电压调节器件,所述第二电压调节器件位于所述第二供电路径上,其中,所述第一供电路径上的所述第一导电件埋设在所述第一电压调节器件中。
4.根据权利要求2所述的封装结构,其特征在于,所述第一供电路径上的所述第一导电件设置在所述电压调节器件外部并且设置在所述电压调节器件的至少一个侧壁旁。
5.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述至少一个电压调节器件包括第一电压调节器件和第二电压调节器件,其中,所述第一供电路径上的所述第一导电件设置在所述第一电压调节器件和所述第二电压调节器件之间。
6.根据权利要求5所述的封装结构,其特征在于,所述多个导电件中的至少一个第三导电件位于第三供电路径上,其中,所述第一电压调节器件和所述第二电压调节器件中的每个具有远离另一个的侧壁,所述第三供电路径上的所述第三导电件设置在所述第一电压调节器件和所述第二电压调节器件的所述侧壁旁。
7.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述第二供电路径上的所述第二导电件设置在所述电压调节器件外部。
8.根据权利要求7所述的封装结构,其特征在于,所述至少一个电压调节器件包括第一电压调节器件和第二电压调节器件,其中,所述第二供电路径上的所述第二导电件设置在所述第一电压调节器件和所述第二电压调节器件的外侧。
9.根据权利要求7所述的封装结构,其特征在于,所述至少一个电压调节器件包括第一电压调节器件和第二电压调节器件,其中,所述第一供电路径上的所述第一导电件设置在所述第一电压调节器件和所述第二电压调节器件之间。
10.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,还包括: