光芯片的封装模块的制作方法

本申请属于光通信，尤其涉及一种光芯片的封装模块。

背景技术：

1、现有光芯片的封装模块通常将光芯片的p电极通过金属引线连接至热沉，而实现通过热沉对光芯片进行散热。但这样，光芯片的包括p电极在内的主要发热区域将距离热沉较远，导致光芯片热积累严重，致使光芯片易性能恶化甚至烧坏。

技术实现思路

1、本申请实施例的目的在于提供一种光芯片的封装模块，以解决现有光芯片的封装模块中，光芯片热积累严重，致使光芯片易性能恶化甚至烧坏的技术问题。

2、为实现上述目的，本申请采用的技术方案是：一种光芯片的封装模块，包括由绝缘导热材料制成的热沉，以及封装于所述热沉上的光芯片，所述光芯片的面向所述热沉的一侧设有第一p电极，所述热沉的面向所述光芯片的一侧设有第二p电极，所述第二p电极与所述第一p电极相抵接并电连接。

3、在一个实施例中，所述第二p电极包括导电板和设于所述导电板背离所述热沉的一侧的导电柱，所述导电柱与所述第一p电极相抵接并电连接，所述导电板的板面凸出于所述光芯片。

4、在一个实施例中，所述光芯片的面向所述热沉的一侧设有供所述导电柱插设于其中的插接孔，所述插接孔的孔底设有所述第一p电极，所述插接孔的孔壁与设于其中的所述导电柱和所述第一p电极均绝缘接触。

5、在一个实施例中，所述光芯片的面向所述热沉的一侧设有绝缘层，所述绝缘层上设有所述插接孔。

6、在一个实施例中，所述热沉的面向所述光芯片的一侧设有绝缘层，所述绝缘层上设有贯通且供所述导电柱和所述第一p电极插设于其中的插接孔。

7、在一个实施例中，所述光芯片包括沿出光方向依次对接的激光器、电吸收调制器和光放大器，所述激光器用于通电并输出光信号，所述电吸收调制器用于对所述激光器输出的光信号进行信号调制，所述光放大器用于对所述电吸收调制器调制的光信号进行放大，其中，所述出光方向平行于所述热沉。

8、在一个实施例中，所述第一p电极的设置数量为三个，三个所述第一p电极分设于所述激光器、所述电吸收调制器和所述光放大器上，所述第二p电极的设置数量为三个，三个所述第二p电极与三个所述第一p电极一一对应连接。

9、在一个实施例中，所述第一p电极的设置数量为两个，其中一个所述第一p电极电连接于所述激光器和所述光放大器，另外一个所述第一p电极电连接于所述电吸收调制器，所述第二p电极的设置数量为两个，两个所述第二p电极与两个所述第一p电极一一对应连接。

10、在一个实施例中，所述光芯片的背离所述热沉的一侧设有第一n电极，所述第一n电极与所述激光器、所述电吸收调制器和所述光放大器均电连接；

11、所述热沉的面向所述光芯片的一侧设有第二n电极，所述第二n电极与所述光芯片错位设置，且所述第二n电极与所述第一n电极通过金属引线电连接。

12、在一个实施例中，所述光芯片还包括设于所述光放大器沿所述出光方向的一侧的无源区，所述无源区用于供所述光放大器放大的光信号低损耗通过；所述无源区沿所述出光方向至少部分凸出于所述热沉。

13、在一个实施例中，所述光芯片还包括设于所述无源区沿所述出光方向的一侧的增透膜。

14、本申请提供的有益效果在于：

15、本申请实施例提供的光芯片的封装模块，将光芯片以第一p电极面向热沉的姿态封装于由绝缘导热材料制成的热沉上，并使光芯片的第一p电极与热沉的第二p电极抵接并电连接在一起，而形成整体化、规模化的光芯片的封装模块，基于此，电流可依次经由第二p电极和第一p电极流入光芯片，以使光芯片可通电并输出光信号，而在光芯片通电并输出光信号的期间，光芯片尤其第一p电极产生的热量可依次经由第一p电极和第二p电极直接传导至热沉中，以由具有较佳导热性能的热沉实现对光芯片进行可靠散热。由此，即可有效降低光芯片出现热积累的风险、程度，进而可保障并提高光芯片的使用性能，可保障并延长光芯片的使用寿命，尤其可降低光芯片的发光性能恶化甚至光芯片烧坏的风险。

技术特征：

1.一种光芯片的封装模块，其特征在于，包括由绝缘导热材料制成的热沉，以及封装于所述热沉上的光芯片，所述光芯片的面向所述热沉的一侧设有第一p电极，所述热沉的面向所述光芯片的一侧设有第二p电极，所述第二p电极与所述第一p电极相抵接并电连接。

2.如权利要求1所述的光芯片的封装模块，其特征在于，所述第二p电极包括导电板和设于所述导电板背离所述热沉的一侧的导电柱，所述导电柱与所述第一p电极相抵接并电连接，所述导电板的板面凸出于所述光芯片。

3.如权利要求2所述的光芯片的封装模块，其特征在于，所述光芯片的面向所述热沉的一侧设有供所述导电柱插设于其中的插接孔，所述插接孔的孔底设有所述第一p电极，所述插接孔的孔壁与设于其中的所述导电柱和所述第一p电极均绝缘接触。

4.如权利要求3所述的光芯片的封装模块，其特征在于，所述光芯片的面向所述热沉的一侧设有绝缘层，所述绝缘层上设有所述插接孔。

5.如权利要求2所述的光芯片的封装模块，其特征在于，所述热沉的面向所述光芯片的一侧设有绝缘层，所述绝缘层上设有贯通且供所述导电柱和所述第一p电极插设于其中的插接孔。

6.如权利要求1-5中任一项所述的光芯片的封装模块，其特征在于，所述光芯片包括沿出光方向依次对接的激光器、电吸收调制器和光放大器，所述激光器用于通电并输出光信号，所述电吸收调制器用于对所述激光器输出的光信号进行信号调制，所述光放大器用于对所述电吸收调制器调制的光信号进行放大，其中，所述出光方向平行于所述热沉。

7.如权利要求6所述的光芯片的封装模块，其特征在于，所述第一p电极的设置数量为三个，三个所述第一p电极分设于所述激光器、所述电吸收调制器和所述光放大器上，所述第二p电极的设置数量为三个，三个所述第二p电极与三个所述第一p电极一一对应连接；

8.如权利要求6所述的光芯片的封装模块，其特征在于，所述光芯片的背离所述热沉的一侧设有第一n电极，所述第一n电极与所述激光器、所述电吸收调制器和所述光放大器均电连接；

9.如权利要求6所述的光芯片的封装模块，其特征在于，所述光芯片还包括设于所述光放大器沿所述出光方向的一侧的无源区，所述无源区用于供所述光放大器放大的光信号低损耗通过；所述无源区沿所述出光方向至少部分凸出于所述热沉。

10.如权利要求9所述的光芯片的封装模块，其特征在于，所述光芯片还包括设于所述无源区沿所述出光方向的一侧的增透膜。

技术总结
本申请涉及光通信领域，提供一种光芯片的封装模块，包括由绝缘导热材料制成的热沉，以及封装于热沉上的光芯片，光芯片的面向热沉的一侧设有第一P电极，热沉的面向光芯片的一侧设有第二P电极，第二P电极与第一P电极相抵接并电连接。光芯片的封装模块将光芯片以第一P电极面向热沉的姿态封装于热沉上，并使光芯片的第一P电极与热沉的第二P电极抵接并电连接在一起，基于此，在光芯片通电并输出光信号的期间，光芯片尤其第一P电极产生的热量可依次经由第一P电极和第二P电极直接传导至热沉中，以由热沉对光芯片进行可靠散热。由此，即可降低光芯片出现热积累的风险、程度，进而可降低光芯片的发光性能恶化甚至光芯片烧坏的风险。

技术研发人员：李少卿
受保护的技术使用者：芯辰半导体（苏州）有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/16