封装体及其制备方法与流程

本发明应用于封装体的，尤其是一种封装体及其制备方法。

背景技术：

1、在芯粒技术路线中，目前最常用的是硅转接板方法。其主要特点是在一个硅片上倒装不同的芯片，硅转接板上包含不同芯片间的互连信号线，同时包括芯片与封装基板的互连载体和通道。

2、硅转接板的最大优势是，基于半导体加工平台制作的硅转接板上的线路层可以实现亚微米级的线路，因此可以极大地缩短芯片间的互连信号线距离。

3、但硅转接板也有不可忽视的劣势：(a)硅转接板与封装基板或印制线路板的材料热膨胀系数差异大，这就导致硅转接板尺寸越大，可靠性风险越高；(b)硅转接板的成本极高；(3)硅转接板中的tsv(硅通孔)结构，以及多次的焊接，对阻抗连续性有不利影响，也会增加可靠性风险。

技术实现思路

1、本发明提供封装体，以解决上述背景技术中所涉及的问题。

2、为解决上述技术问题，本发明提供了一种封装体的制备方法，包括：获取到线路板；在线路板的一侧制备多个金属基；其中，各金属基与线路板中的导电线路连通；将至少一个桥连硅片固定在线路板的一侧，并使各桥连硅片形成有至少两个焊盘的一侧远离线路板；将至少两个芯片的多个凸点分别焊接在对应的各金属基以及各桥连硅片的焊盘上，以制备封装体。

3、其中，在线路板的一侧制备多个金属基；其中，各金属基与线路板中的导电线路连通的步骤包括：在线路板的一侧设置阻挡层，其中，阻挡层上形成有对应裸露各金属基的对应位置的多个通孔；对各通孔进行电镀，直至形成各金属基；去除阻挡层。

4、其中，在线路板的一侧制备多个金属基；其中，各金属基与线路板中的导电线路连通的步骤之前包括：在线路层的一侧整板制备导电种子层；去除阻挡层的步骤包括：去除阻挡层，并蚀刻掉与各金属基不对应的导电种子层。

5、其中，将至少一个桥连硅片固定在线路板的一侧，并使各桥连硅片形成有焊盘的一侧远离线路板的步骤包括：在各桥连硅片远离焊盘的一侧设置贴覆膜；将各桥连硅片贴覆有贴覆膜的一侧贴覆在线路板的一侧。

6、其中，将至少两个芯片的多个凸点分别焊接在对应的各金属基以及各桥连硅片的焊盘上，以制备封装体的步骤之前包括：对多个金属基以及至少一个桥连硅片进行塑封，并裸露各金属基远离线路板的一侧以及裸露各桥连硅片的焊盘，形成第一塑封层。

7、其中，将至少两个芯片的多个凸点分别焊接在对应的各金属基以及各桥连硅片的焊盘上，以制备封装体的步骤还包括：对各芯片进行塑封，以形成包裹各芯片并填充满各芯片与第一塑封层之间的空隙的第二塑封层；在线路板远离芯片的一侧进行植球，以得到加工板件；对加工板件进行切割，以得到封装体。

8、为解决上述技术问题，本发明还提供了一种封装体，包括：至少两个芯片，各芯片的一侧形成有多个凸点；多个金属基，各金属基的第一端分别与各芯片上的部分凸点连接；至少一个桥连硅片，各桥连硅片的一侧形成有至少两个焊盘，各桥连硅片的至少两个焊盘分别与各芯片的另一部分凸点连接；线路板，线路板的一侧与各金属基的第二端连接，且各桥连硅片远离焊盘的一侧与线路板的一侧贴合且固定设置；其中，线路板中的导电线路与各金属基导通。

9、其中，封装体还包括：第一塑封层以及第二塑封层；第一塑封层上形成有多个通孔以及至少一个安装槽，各金属基分别安装在对应的各通孔内，且各桥连硅片分别安装在安装槽内，其中，第二塑封层的相对两侧分别与各金属基的相对两侧对应平齐；第二塑封层贴合设置于第一塑封层远离线路板的一侧，且第二塑封层包裹至少两个芯片。

10、其中，线路板远离芯片的一侧的多个焊盘上分别固定有锡球。

11、本发明的有益效果是：区别于现有技术的情况，本发明提供了一种封装方法和封装体，本技术方案通过在线路板一侧制作多个金属基，然后贴装桥连硅片，可以解决盲槽加工效率低、盲槽底部平整度差不利于桥连硅片高精度贴装及互连的问题；基于阻挡层电镀一次成型的金属基相比多阶盲孔的垂直互连方案，可以减少信号传输损耗，提高封装体结构的信号完整性。

技术特征：

1.一种封装体的制备方法，其特征在于，所述封装体的制备方法包括：

2.根据权利要求1所述的封装体的制备方法，其特征在于，所述在所述线路板的一侧制备多个金属基；其中，各金属基与所述线路板中的导电线路连通的步骤包括：

3.根据权利要求2所述的封装体的制备方法，其特征在于，所述在所述线路板的一侧制备多个金属基；其中，各金属基与所述线路板中的导电线路连通的步骤之前包括：

4.根据权利要求1所述的封装体的制备方法，其特征在于，所述将至少一个桥连硅片固定在所述线路板的一侧，并使各所述桥连硅片形成有焊盘的一侧远离所述线路板的步骤包括：

5.根据权利要求1所述的封装体的制备方法，其特征在于，所述将至少两个芯片的多个凸点分别焊接在对应的各金属基以及各桥连硅片的焊盘上，以制备所述封装体的步骤之前包括：

6.根据权利要求5所述的封装体的制备方法，其特征在于，所述将至少两个芯片的多个凸点分别焊接在对应的各金属基以及各桥连硅片的焊盘上，以制备所述封装体的步骤还包括：

7.一种封装体，其特征在于，所述封装体包括：

8.根据权利要求7所述的封装体，其特征在于，所述封装体还包括：第一塑封层以及第二塑封层；

9.根据权利要求7所述的封装体，其特征在于，

技术总结
本发明公开了封装体及其制备方法，其中，封装体的制备方法包括：获取到线路板；在线路板的一侧制备多个金属基；其中，各金属基与线路板中的导电线路连通；将至少一个桥连硅片固定在线路板的一侧，并使各桥连硅片形成有至少两个焊盘的一侧远离线路板；将至少两个芯片的多个凸点分别焊接在对应的各金属基以及各桥连硅片的焊盘上；对各芯片进行塑封，以制备封装体。通过上述方法，本发明能够提高芯片间的互联密度，也可以提高桥连硅片贴装及与芯片互连的精度，提高封装体的结构稳定性。

技术研发人员：朱凯,缪桦,黄立湘
受保护的技术使用者：深南电路股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/16