半导体封装的制作方法

本发明构思涉及半导体封装和/或其制造方法。

背景技术：

1、随着电子工业的发展，电子产品对于高性能、高速度和紧凑尺寸的需求不断增长。为了满足该趋势，最近已经开发了将多个半导体芯片安装在单个封装中的封装技术。

2、提供半导体封装来实现有资格在电子产品中使用的集成电路芯片。通常，在半导体封装中，半导体芯片安装在印刷电路板(pcb)上，并且使用接合线或焊块将半导体芯片电连接到印刷电路板。随着近来电子工业的发展，半导体封装得以多样的开发以实现紧凑尺寸、轻重量和/或低制造成本的目标。此外，出现了多种类型的半导体封装，其应用领域扩展到诸如大容量存储设备。

技术实现思路

1、本发明构思的一些实施例提供了紧凑尺寸的半导体封装。

2、本发明构思的一些实施例提供了具有增强的电气性质的半导体封装。

3、根据本发明构思的一些实施例，一种半导体封装可以包括：封装基板；连接基板，位于所述封装基板上并且具有穿透所述连接基板的开口；芯片堆叠，位于所述封装基板上并且位于所述开口中；再分布层，位于所述连接基板和所述芯片堆叠上；上半导体芯片，位于所述再分布层的第一再分布焊盘上；以及多个外部端子，位于所述封装基板的底表面上。所述芯片堆叠可以包括：位于所述封装基板的基板焊盘上的第一半导体芯片、以及位于所述第一半导体芯片上并且位于所述再分布层的第二再分布焊盘上的第二半导体芯片。所述再分布层可以包括：与所述上半导体芯片重叠的第一区和在所述上半导体芯片旁边的第二区。所述第一再分布焊盘可以位于所述第一区上。所述第二再分布焊盘可以位于所述第二区上。

4、根据本发明构思的一些实施例，一种半导体封装可以包括：封装基板；再分布层，位于所述封装基板上；连接基板，所述连接基板将所述封装基板连接到所述再分布层，所述连接基板具有竖直地穿透所述连接基板的开口；位于所述开口中的第一半导体芯片，所述第一半导体芯片的第一有源表面与所述封装基板接触；位于所述开口中的第二半导体芯片，所述第二半导体芯片的第二有源表面与所述再分布层接触；以及第三半导体芯片，位于所述再分布层上。所述再分布层可以包括：电介质图案；第一再分布焊盘和第二再分布焊盘，位于所述电介质图案的顶表面上；第一再分布通孔，竖直地穿透所述电介质图案以将所述第一再分布焊盘连接到所述第二半导体芯片的芯片焊盘；以及保护层，位于所述电介质图案的所述顶表面上，所述保护层覆盖所述第一再分布焊盘和所述第二再分布焊盘。所述第三半导体芯片可以通过芯片端子直接连接到在所述保护层上显露的所述第二再分布焊盘。所述第一再分布焊盘和所述第二再分布焊盘可以位于距所述封装基板相同的高度上。

5、根据本发明构思的一些实施例，一种半导体封装，可以包括：封装基板；第一半导体芯片，位于所述封装基板上；再分布层，位于所述第一半导体芯片上；第二半导体芯片，位于所述再分布层的第一表面上；第三半导体芯片，位于所述再分布层的第二表面上；以及连接构件，位于所述封装基板与所述再分布层之间并且位于所述第一半导体芯片的旁边，所述连接构件将所述封装基板连接到所述再分布层。所述再分布层可以包括：位于距所述封装基板相同的高度上的第一再分布焊盘和第二再分布焊盘。所述第二半导体芯片可以通过第一端子直接安装在所述第一再分布焊盘上。所述第三半导体芯片可以通过第二端子直接安装在所述第二再分布焊盘上。所述再分布层可以包括设置有所述第一再分布焊盘的第一区和上面设置有所述第二再分布焊盘的第二区。所述第二区可以与所述第二半导体芯片和所述第三半导体芯片两者竖直地重叠。所述第一区可以与所述第三半导体芯片水平地间隔开。

技术特征：

1.一种半导体封装，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，

3.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，

4.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，

5.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，

6.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，

7.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述再分布层包括：

8.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述再分布层包括：

9.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，

10.一种半导体封装，包括：

11.根据权利要求10所述的半导体封装，其中，所述再分布层具有：

12.根据权利要求10所述的半导体封装，其中，

13.根据权利要求10所述的半导体封装，其中，所述再分布层还包括：

14.根据权利要求10所述的半导体封装，其中，所述再分布层中包括的所述电介质图案的一部分延伸到所述连接基板的所述开口中，以填充所述连接基板与所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片之间的空间。

15.一种半导体封装，包括：

16.根据权利要求15所述的半导体封装，其中，

17.根据权利要求15所述的半导体封装，其中，

18.根据权利要求15所述的半导体封装，其中，所述再分布层包括：

19.根据权利要求15所述的半导体封装，还包括：电介质层，所述电介质层填充所述封装基板与所述再分布层之间的空间，

20.根据权利要求15所述的半导体封装，还包括：

技术总结
一种半导体封装包括连接基板，位于封装基板上并且具有穿透其的开口。芯片堆叠位于封装基板上并且位于开口中。再分布层位于连接基板和芯片堆叠上。上半导体芯片位于再分布层的第一再分布焊盘上。外部端子位于封装基板的底表面上。芯片堆叠包括位于封装基板的基板焊盘上的第一半导体芯片、以及位于第一半导体芯片和再分布层的第二再分布焊盘上的第二半导体芯片。再分布层包括与上半导体芯片重叠的第一区和在上半导体芯片旁边的第二区。第一再分布焊盘位于第一区上。第二再分布焊盘位于第二区上。

技术研发人员：金俊成
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/12