显示面板及其制作方法与流程

1.本技术涉及显示技术的领域，具体涉及一种显示面板及其制作方法。


背景技术：

2.oled显示器件为了降低压降以减小显示亮度差异，通常会设置辅助阴极，通过辅助阴极与阴极层的搭接实现电阻并联，进而达到降低阴极层的压降、改善显示效果的目的。现阶段，辅助电极与阴极层的搭接通常通过底切工艺形成底切结构实现，阴极层在形成时可以镀入侧向蚀刻部分，从而与下方辅助阴极搭接，实现阴极层与辅助电极的电性连接。
3.当前的底切工艺都是通过氢氟酸(hf)刻蚀辅助电极上的有机/无机绝缘膜层以使辅助电极暴露出来供阴极层搭接，但是，hf会对oled显示器件的玻璃基板也造成腐蚀，一定程度上降低了oled器件的产品良率。


技术实现要素：

4.本技术提供一种显示面板及其制作方法，以改善当前oled显示器件利用氢氟酸进行底切工艺时腐蚀玻璃基板导致的产品良率下降的技术问题。
5.为解决上述技术问题，本技术提供的技术方案如下：
6.本技术提供一种显示面板，包括：
7.衬底；
8.辅助电极，设置于所述衬底上；
9.底切金属层，绝缘设置于所述辅助电极上；
10.搭接孔，沿所述显示面板的出光方向贯穿所述底切金属层，所述搭接孔延伸至所述辅助电极的表面；以及
11.阴极层，绝缘设置于所述底切金属层上；
12.其中，所述底切金属层包括位于所述搭接孔两侧的第一金属部和第二金属部，至少部分所述第一金属部位于所述搭接孔内，以及所述阴极层通过所述搭接孔延伸至与所述辅助电极连接。
13.在本技术的显示面板中，所述底切金属层包括牺牲层与位于所述牺牲层两侧的遮挡层；
14.其中，所述牺牲层的腐蚀速率大于所述遮挡层的腐蚀速率。
15.在本技术的显示面板中，在所述第一金属部中，所述牺牲层与两侧的所述遮挡层形成有底切凹槽，所述底切凹槽与所述搭接孔连通。
16.在本技术的显示面板中，在所述第一金属部中，所述牺牲层远离所述搭接孔的一侧与所述遮挡层远离所述搭接孔的一侧齐平。
17.在本技术的显示面板中，所述第二金属部与所述搭接孔分离设置，以及所述第二金属部的所述牺牲层的面积与所述第二金属部的所述遮挡层的面积相等。
18.在本技术的显示面板中，所述显示面板还包括设置于所述底切金属层上的钝化
层，所述钝化层包括设置在所述第一金属部上的第一钝化部与设置在所述第二金属部上的第二钝化部；
19.所述第一钝化部与所述第二钝化部位于所述搭接孔的两侧。
20.在本技术的显示面板中，所述第一钝化部覆盖所述第一金属部远离所述搭接孔的一侧，所述第二钝化部覆盖全部所述第二金属部，以及所述阴极层覆盖第二钝化部靠近所述搭接孔的表面。
21.在本技术的显示面板中，所述显示面板还包括设置于所述钝化层上的平坦层，所述阴极层设置于所述平坦层上；
22.其中，所述平坦层在所述底切金属层上的正投影与所述第一金属部、所述第二金属部不重合。
23.在本技术的显示面板中，所述显示面板还包括至少一薄膜晶体管，所述底切金属层与所述薄膜晶体管的源漏极层同层设置。
24.本技术还提出了一种显示面板的制作方法，包括：
25.提供一衬底；
26.在所述衬底上形成辅助电极；
27.在所述辅助电极上形成与所述辅助电极绝缘设置的底切金属层；
28.利用铜酸底切刻蚀所述底切金属层，以形成延伸至所述辅助电极表面的搭接孔；
29.在所述底切金属层上形成绝缘设置的阴极层，并使所述阴极层通过所述搭接孔与所述辅助电极搭接。
30.有益效果
31.本技术通过将传统oled显示器件中用于形成底切结构的辅助电极上的有机/无机绝缘膜层替换成底切金属层，使底切工艺中使用的蚀刻酸液也可由氢氟酸(hf)对应替换成金属酸液，从而避免或减少因氢氟酸(hf)对玻璃基板造成的腐蚀，有利于提高oled器件的产品良率。
附图说明
32.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
33.图1是本技术所述显示面板的叠层结构示意图；
34.图2是本技术所述显示面板的制作方法的流程框图；
35.图3至图7是本技术所述显示面板的制作流程示意图；
36.附图标记说明：
37.100、衬底；
38.200、辅助电极；
39.300、绝缘缓冲层；
40.400、底切金属层；401、牺牲层；402、遮挡层；403、底切凹槽；410、第一金属部；420、第二金属部；430、搭接孔；440、源漏极层；
41.500、钝化层；510、第一钝化部；520、第二钝化部；530、第一层间过孔；
42.600、平坦层；610、第二层间过孔；
43.700、阴极层。
具体实施方式
44.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本技术，并不用于限制本技术。在本技术中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
45.现阶段，oled显示器件中，辅助电极与阴极层的搭接通常通过底切工艺形成底切结构实现，当前的底切工艺都是通过氢氟酸(hf)刻蚀辅助电极上的有机/无机绝缘膜层以使辅助电极暴露出来供阴极层搭接。但是，hf会对oled显示器件的玻璃基板也造成腐蚀，一定程度上降低了oled器件的产品良率。本技术基于上述技术问题提出了以下方案。
46.请参阅图1，本技术提供一种显示面板，包括衬底100、设置在衬底100上的辅助电极200、绝缘设置在辅助电极200上的底切金属层400、设置在所述底切金属层400上的搭接孔430以及绝缘设置在所述底切金属层400上的阴极层700。所述搭接孔430沿所述显示面板的出光方向贯穿所述底切金属层400，所述搭接孔430延伸至所述辅助电极200的表面。所述底切金属层400包括位于所述搭接孔430两侧的第一金属部410和第二金属部420，至少部分所述第一金属部410位于所述搭接孔430内，以及所述阴极层700通过所述搭接孔430延伸至与所述辅助电极200连接。
47.本技术通过将传统oled显示器件中用于形成底切结构的辅助电极200上的有机/无机绝缘膜层替换成底切金属层400，使底切工艺中使用的蚀刻酸液也可由氢氟酸(hf)对应替换成金属酸液，从而避免或减少因氢氟酸(hf)对玻璃基板造成的腐蚀，同时也能避免或减少后续激光剥离工艺异常以及载台设备对基板的吸真空异常，有利于提高oled器件的产品良率。
48.现结合具体实施例对本技术的技术方案进行描述。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。
49.在本实施例中，所述衬底100可以为玻璃基板、聚酰亚胺基板、聚酯基板等基板底材。所述辅助电极200、所述底切金属层400与所述阴极层700可以为导电金属材料。
50.在本实施例中，所述显示面板还可以包括设置于所述辅助电极200与所述底切金属层400之间的绝缘缓冲层300，所述辅助电极200设置在所述绝缘缓冲层300上，所述底切金属层400与辅助电极200通过所述绝缘缓冲层300实现绝缘设置。所述搭接孔430可以贯穿所述辅助电极200上的所述绝缘缓冲层300，直至延伸至所述辅助电极200的表面。
51.在本实施例中，所述底切金属层400在所述辅助电极200上的正投影可以与所述辅助电极200至少部分重合，以使所述底切金属层400能够经底切工艺在所述辅助电极200上形成底切结构和所述搭接孔430，从而实现所述阴极层700与所述辅助电极200的连接。
52.在本实施例中，所述底切金属层400与所述阴极层700之间的其他绝缘膜层上可以对应所述搭接孔430设置有层间过孔，所述层间过孔可以与所述搭接孔430连通，以构成供所述阴极层700延伸至所述辅助电极200的连接通道。
53.在本实施例中，“至少部分所述第一金属部410位于所述搭接孔430内”可以理解为：所述第一金属部410靠近所述搭接孔430的一侧可以延伸至所述搭接孔430内。此时，所述第一金属部410靠近所述搭接孔430的一侧未受到膜层覆盖，而是暴露于外部环境中，以便后续通过金属酸液对所述第一金属部410靠近所述搭接孔430的一侧进行底切工艺形成底切结构。
54.请参阅图1，在本技术的显示面板中，所述显示面板可以包括阵列设置的多个开口区和位于所述开口区至少一侧的非开口区。所述开口区内设置有发光器件，所述辅助电极200、所述底切金属层400和所述搭接孔430设置于所述非开口区内，以避免因设置辅助电极200、底切金属层400和搭接孔430而降低显示面板的开口率，保持显示面板较好的显示效果。
55.在本实施例中，所述发光器件可以包括阳极层、设置于所述阳极层上的有机发光层和设置于有机发光层上的所述阴极层700。所述发光器件的所述阳极层和所述有机发光层设置于所述开口区内，所述发光器件的所述阴极层700延伸至所述非开口区并形成整面的膜层结构。
56.在本实施例中，所述显示面板还可以包括设置于所述非开口区内的所述衬底100上的薄膜晶体管，所述发光器件的阳极层可以与所述薄膜晶体管的源极或漏极电性连接。所述底切金属层400可以与所述薄膜晶体管的源漏极层440同层设置，具体地，所述底切金属层400与所述薄膜晶体管的源漏极层440可以通过相同的金属材料层在同一制程中制作，以减少不必要的膜层设置并简化显示面板的制程，利于显示面板轻薄化与低成本制作。
57.请参阅图1，在本技术的显示面板中，所述底切金属层400可以包括牺牲层401与位于所述牺牲层401两侧的遮挡层402，具体地，所述底切金属层400可以包括至少三层膜层结构，这三层膜层沿所述显示面板的出光方向叠层设置，其中位于中间的是所述牺牲层401，位于两侧的是所述遮挡层402。
58.在本实施例中，所述牺牲层401的腐蚀速率需大于所述遮挡层402的腐蚀速率，从而在利用金属酸液刻蚀所述底切金属层400时，位于中间的所述牺牲层401的腐蚀速度更快，形成“向内”的凹陷结构。需要说明的是，此处“向内”是位于中间的所述牺牲层401相较于位于两侧的所述遮挡层402内缩，或者说，是位于两侧的所述遮挡层402相较于位于中间的所述牺牲层401外延。
59.在本实施例中，所述底切金属层400可以为三层金属moti/cu/moti的叠层结构，其中，cu位于中间作为所述牺牲层401，两层moti位于cu两侧作为所述遮挡层402。与此对应地，底切工艺中采用的金属酸液可以为铜酸，cu在铜酸中的腐蚀速度大于moti在铜酸中的腐蚀速度，从而可以形成底切结构。
60.在本实施例中，由于所述底切金属层400可以与所述薄膜晶体管的源漏极层440同层设置，因此，所述薄膜晶体管的源漏极层440材料也可以为moti/cu/moti的叠层结构。
61.需要说明的是，在本实施例中，所述底切金属层400还可以为其他不同材料的金属膜层叠加，并对应采用可以腐蚀中间金属材料的金属酸液进行刻蚀形成底切结构。本实施
例仅以moti/cu/moti的叠层结构为例进行说明，不代表对其他可实现相同效果的叠层结构的限制。
62.请参阅图1，在本技术的显示面板中，在所述第一金属部410中，所述牺牲层401与两侧的所述遮挡层402可以形成有底切凹槽403，具体地，如上所述，位于中间的所述牺牲层401的腐蚀速度更快，形成“向内”的凹陷结构即为所述底切凹槽403。此处“向内”是位于中间的所述牺牲层401相较于位于两侧的所述遮挡层402内缩，或者说，是位于两侧的所述遮挡层402相较于位于中间的所述牺牲层401外延。
63.在本实施例中，所述底切凹槽403位于所述第一金属部410延伸至所述搭接孔430的一侧，并且所述底切凹槽403可以与所述搭接孔430连通。换言之，所述底切凹槽403是所述第一金属部410延伸至所述搭接孔430的一侧因暴露于外部环境中受到铜酸腐蚀而形成。
64.请参阅图1，在本技术的显示面板中，所述显示面板还可以包括设置于所述底切金属层400与所述绝缘缓冲层300上的钝化层500，所述钝化层500设置于所述底切金属层400与所述阴极层700之间。具体地，所述钝化层500可以包括设置在所述第一金属部410上的第一钝化部510与设置在所述第二金属部420上的第二钝化部520，与所述第一金属部410、所述第二金属部420对应地，所述第一钝化部510与所述第二钝化部520可以位于所述搭接孔430的两侧。所述钝化层500可以实现所述阴极层700与所述底切金属层400的绝缘设置，避免或减少所述阴极层700在所述搭接孔430处与所述底切金属层400连接导致的电流损失，降低电能损耗。
65.在本实施例中，所述第一钝化部510可以覆盖所述第一金属部410远离所述搭接孔430的一侧，具体地，在所述第一金属部410中，所述牺牲层401远离所述搭接孔430的一侧与所述遮挡层402远离所述搭接孔430的一侧可以相互齐平。此时，所述第一金属部410远离所述搭接孔430的一侧因被所述第一钝化部510覆盖而在底切工艺中得到保护，所述第一金属部410远离所述搭接孔430的一侧未被金属酸液腐蚀，因而可以使所述牺牲层401与所述遮挡层402的边缘保持齐平。
66.在本实施例中，所述第二钝化部520可以覆盖全部所述第二金属部420，此时，所述第二金属部420被所述第二钝化部520完全包覆以实现与外部环境的完全隔绝。在进行所述底切工艺时，所述第二金属部420受到所述第二钝化部520的保护作用而不被腐蚀。
67.在本实施例中，所述第二金属部420由于被所述第二钝化部520全部覆盖，因此不与所述搭接孔430接触，换言之，所述第二金属部420与所述搭接孔430之间通过所述第二钝化部520隔开，或者说，所述第二金属部420与所述搭接孔430分离设置。在本实施例中，因整个所述第二金属部420受到所述第二钝化部520的保护作用，所述第二金属部420的所述牺牲层401与所述遮挡层402均未受到金属酸液的腐蚀，因此第二金属部420的所述牺牲层401与所述遮挡层402的形状、面积也相同。
68.在本实施例中，整面制作的所述阴极层700不仅可以形成在所述钝化层500远离所述辅助电极200的一侧，还能形成在所述第二钝化部520靠近所述搭接孔430的表面。此时，形成在所述第一金属部410一侧的所述阴极层700在所述第一金属部410的底切结构处断开，而形成在所述第二金属部420一侧的所述阴极层700则顺着所述第二钝化部520的表面连续设置至所述辅助电极200的表面，实现与所述辅助电极200的电性连接。
69.请参阅图1，在本技术的显示面板中，所述显示面板还可以包括设置于所述钝化层
500上的平坦层600，所述阴极层700可以整面设置于所述平坦层600上。
70.在本实施例中，所述钝化层500与所述平坦层600在所述搭接孔430位置可以设置有沿所述显示面板的出光方向延伸的层间过孔。具体地，所述钝化层500在所述搭接孔430位置可以设置有第一层间过孔530，所述第一层间过孔530可以设置于所述底切金属层400上的所述钝化层500上，所述第一层间过孔530与所述搭接孔430连通。所述钝化层500的所述第一钝化部510与所述第二钝化部520分别位于所述第一层间过孔530的两侧。所述平坦层600在所述搭接孔430位置可以设置有第二层间过孔610，所述第二层间过孔610可以沿所述显示面板的出光方向贯穿所述平坦层600，所述第二层间过孔610可以与所述第一层间过孔530连通。
71.在本实施例中，所述平坦层600内的所述第二层间过孔610的平面尺寸可以大于所述钝化层500内的所述第一层间过孔530的平面尺寸，以使所述平坦层600与所述钝化层500形成台阶结构，便于形成所述阴极层700时供阴极材料连续附着。
72.本实施例中，所述第一层间过孔530在所述底切金属层400上的正投影与所述第一金属部410存在部分重叠，换言之，所述第一金属部410靠近所述平坦层600一侧的表面部分裸露在外部环境中，以便于金属酸液对所述第一金属部410进行刻蚀。
73.在本实施例中，所述第一金属部410、所述第二金属部420在所述平坦层600内的正投影可以位于所述第二层间过孔610内。换言之，所述平坦层600在所述底切金属层400上的正投影与所述第一金属部410、所述第二金属部420不重合，以确保所述平坦层600不会覆盖在所述第一金属部410裸露在外部环境的表面上，从而避免或减少所述平坦层600对所述第一金属部410的底切工艺造成不利影响。
74.本技术通过将传统oled显示器件中用于形成底切结构的辅助电极200上的有机/无机绝缘膜层替换成底切金属层400，使底切工艺中使用的蚀刻酸液也可由氢氟酸(hf)对应替换成金属酸液，从而避免或减少因氢氟酸(hf)对玻璃基板造成的腐蚀，同时也能避免或减少后续激光剥离工艺异常以及载台设备对基板的吸真空异常，有利于提高oled器件的产品良率。
75.请参阅图2至图7，本技术实施例还提供一种显示面板的制作方法，包括s100、提供一衬底100，如图3所示。
76.s200、在所述衬底100上形成辅助电极200，如图4所示。
77.s300、在所述辅助电极200上形成与所述辅助电极200绝缘设置的底切金属层400，如图5所示。
78.s400、利用金属酸液底切刻蚀所述底切金属层400，以形成延伸至所述辅助电极200表面的搭接孔430，如图6所示。
79.s500、在所述底切金属层400上形成绝缘设置的阴极层700，并使所述阴极层700通过所述搭接孔430与所述辅助电极200搭接，如图7所示。
80.本技术通过在底切工艺中利用金属酸液底切刻蚀底切金属层400，一方面使所述底切金属层400形成底切结构和搭接孔430以供所述阴极层700与所述辅助电极200进行搭接，另一方面也可以利用金属酸液无法腐蚀玻璃基材的性质而对玻璃基板材质的衬底100起到较好的保护作用，从而避免或减少传统底切工艺中因氢氟酸(hf)对玻璃基板造成的腐蚀，而且也能避免或减少后续激光剥离工艺异常以及载台设备对基板的吸真空异常，有利
于提高oled器件的产品良率。
81.在本实施例中，所述s300步骤可以包括：
82.s310、在所述辅助电极200上形成绝缘缓冲层300，并使所述缓冲金属层覆盖所述辅助电极200。
83.s320、在所述绝缘缓冲层300上形成底切金属材料层，并通过图案化处理形成所述底切金属层400；
84.在本实施例中，所述s400步骤可以包括：
85.s410、在所述底切金属层400上依次形成钝化层500、平坦层600。
86.s420、在所述辅助电极200对应的平坦层600上形成第二层间过孔610。
87.s430、在所述辅助电极200对应的钝化层500上形成第一层间过孔530。
88.s440、利用金属酸液刻蚀所述底切金属层400以形成贯穿所述底切金属层400的搭接孔430和底切结构。
89.s450、在所述绝缘缓冲层300对应所述搭接孔430的位置形成层间过孔，以使所述搭接孔430连通该层间过孔延伸至所述辅助电极200的表面。
90.s460、在所述平坦层600上整面形成阴极层700，并使所述阴极层700通过所述搭接孔430延伸至与所述辅助电极200连接。
91.以上对本技术实施例所提供的一种显示面板及其制作方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本技术的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本技术的限制。