半导体装置的制作方法

实施方式涉及一种半导体装置。

背景技术：

1、在电力控制用半导体装置中，要求减少导通电阻，提高开关速度以及电流耐受量。

技术实现思路

1、实施方式提供一种能够提高开关速度以及电流耐受量的半导体装置。

2、实施方式的半导体装置具备第一电极、与所述第一电极分离的第二电极、设于所述第一电极与所述第二电极之间的半导体部、以及控制电极。所述半导体部包含第一导电型的第一半导体层、第二导电型的第二半导体层、第一导电型的第三半导体层、所述第二导电型的多个第四半导体层以及所述第二导电型的第五半导体层。所述第一半导体层在所述第一电极与所述第二电极之间延伸，所述第二半导体层设于所述第一半导体层与所述第二电极之间。所述第三半导体层在所述第二半导体层与所述第二电极之间，局部地设于所述第二半导体层上。所述多个第四半导体层设于所述第一半导体层中，在从所述第一电极朝向所述第二电极的第一方向上延伸，在与所述第一方向正交的第二方向上排列。所述第五半导体层局部地设于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间，位于在所述第二方向上相邻的两个第四半导体层之间，与所述相邻的两个第四半导体层连接。所述控制电极位于所述多个第四半导体层的各个与所述第二电极之间，隔着所述第一绝缘膜与所述第二半导体层相向。

技术特征：

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

11.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，

12.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

13.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

14.根据权利要求13所述的半导体装置，其特征在于，

技术总结
实施方式的半导体装置具备第一电极、从第一电极分离的第二电极、设于第一电极与第二电极间的半导体部、及控制电极。半导体部含第一导电型的第一半导体层、第二导电型的第二半导体层、第一导电型的第三半导体层、第二导电型的多个第四半导体层及第二导电型的第五半导体层。第一半导体层在第一电极与第二电极间延伸，第二半导体层设于第一半导体层与第二电极间。第三半导体层在第二半导体层与第二电极间局部地设于第二半导体层上。多个第四半导体层设于第一半导体层中在从第一电极朝第二电极的第一方向上延伸，在与第一方向正交的第二方向上排列。第五半导体层局部地设于第一半导体层与第二半导体层间位于在第二方向上相邻的两个第四半导体层间，与相邻的两个第四半导体层连接。控制电极位于多个第四半导体层的各个与第二电极间隔着第一绝缘膜与第二半导体层相向。

技术研发人员：朝羽俊介,田中克久,河野洋志
受保护的技术使用者：株式会社东芝
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15