半导体装置和半导体装置的制造方法与流程

本发明的实施方式涉及一种半导体装置和半导体装置的制造方法。

背景技术：

1、在功率半导体的终止端构造中，有时在电极和配线等的金属膜上设置半绝缘性膜(sinsin膜:semi-insulating silicon nitride膜，半绝缘氮化硅膜)以确保耐压性。然而，存在以下担忧：在形成半绝缘性膜时金属膜中的金属与半绝缘性膜中的si发生反应，由此半绝缘性膜的导电率上升从而发生电极和配线的短路。

技术实现思路

1、实施方式提供一种能够抑制半绝缘性膜的导电率的上升的半导体装置和半导体装置的制造方法。

2、根据一个实施方式，半导体装置具有半导体层、导电膜、第一绝缘膜以及第二绝缘膜。半导体层具有设置有半导体元件的元件区域和包围所述元件区域的末端区域。导电膜设置在所述元件区域上和所述末端区域上。第一绝缘膜在所述末端区域上以及所述元件区域的与所述末端区域相邻的部分上设置在所述导电膜上。第二绝缘膜设置在所述第一绝缘膜上，具有比所述第一绝缘膜的电阻率低且比所述导电膜的电阻率高的电阻率。

技术特征：

1.一种半导体装置，具有：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的半导体装置，其中，

5.根据权利要求1至3中的任一项所述的半导体装置，其中，

6.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，

8.一种半导体装置的制造方法，包括：

9.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其中，还包括：

技术总结
实施方式提供一种能够抑制半绝缘性膜的导电率的上升的半导体装置和半导体装置的制造方法。根据一个实施方式，半导体装置具有半导体层、导电膜、第一绝缘膜以及第二绝缘膜。半导体层具有设置有半导体元件的元件区域和包围所述元件区域的末端区域。导电膜设置在所述元件区域上和所述末端区域上。第一绝缘膜在所述末端区域上以及所述元件区域的与所述末端区域相邻的部分上设置在所述导电膜上。所述第二绝缘膜设置在所述第一绝缘膜上，具有比所述第一绝缘膜的电阻率低且比所述导电膜的电阻率高的电阻率。

技术研发人员：井上绘美子,岸田基也,早濑茂昭,前多和诗
受保护的技术使用者：株式会社东芝
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15