晶片载放台的制作方法

本发明涉及晶片载放台。

背景技术：

1、以往，已知有如下晶片载放台，该晶片载放台具备：陶瓷基材，其具有晶片载放面且内置有电极；冷却基材，其具有冷媒流路；以及接合层，其将陶瓷基材和冷却基材接合。例如，专利文献1、2中记载有如下内容，即，该晶片载放台中，作为冷却基材，采用由线热膨胀系数与陶瓷基材相同程度的金属基复合材料制作的部件。另外，记载有如下内容，即，在晶片载放台设置供用于向电极供电的供电端子插穿的端子孔、用于向晶片的背面供给he气体的气体孔、供将晶片自晶片载放面抬起的升降销插穿的升降销孔。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特许第5666748号公报

5、专利文献2：日本特许第5666749号公报

技术实现思路

1、然而，冷媒流路的顶面至晶片的距离从冷媒流路的入口至出口恒定，因此，晶片具有在冷媒流路的入口附近容易变冷、在出口附近难以变冷的趋势，结果，有时无法充分得到晶片的均热性。

2、本发明是为了解决上述课题而实施的，其主要目的在于，提高晶片的均热性。

3、本发明的晶片载放台具备：

4、陶瓷基材，该陶瓷基材在上表面具有能够载放晶片的晶片载放面，且内置有电极；

5、冷却基材，该冷却基材具有冷媒流路；以及

6、接合层，该接合层将所述陶瓷基材和所述冷却基材接合，

7、所述晶片载放台的特征在于，

8、关于所述冷媒流路中的俯视与所述晶片载放面重复的区域处的最上游部和最下游部的所述冷媒流路的顶面至所述晶片载放面的距离，所述最下游部的该距离比所述最上游部的该距离短。

9、该晶片载放台中，关于冷媒流路中的俯视与晶片载放面重复的区域处的最上游部和最下游部的冷媒流路的顶面至晶片载放面的距离，冷媒流路的最下游部的该距离比最上游部的该距离短。在晶片载放台使用时，冷媒一边从高温的晶片中夺取热一边从冷媒流路的最上游部向最下游部流动，因此，最下游部与最上游部相比，流通于冷媒流路的冷媒的温度升高。另一方面，冷媒流路的最下游部与最上游部相比，冷媒流路的顶面至晶片载放面的距离较短，因此，最下游部与最上游部相比，冷媒流路的顶面至晶片载放面的热阻降低。因此，综合来讲，能够使晶片载放面的与冷媒流路的最上游部对置的位置和与最下游部对置的位置之间的温度差变小。所以，晶片的均热性提高。

10、本发明的晶片载放台中，所述冷媒流路的顶面至所述晶片载放面的距离可以从所述冷媒流路的所述最上游部趋向所述最下游部而逐渐变短。据此，晶片的均热性进一步提高。

11、本发明的晶片载放台中，所述冷媒流路的顶面至所述晶片载放面的距离可以通过所述冷媒流路的顶面至所述冷却基材的上表面的距离、所述接合层的厚度及所述陶瓷基材的厚度中的至少一者进行调整。其中，冷媒流路的顶面至晶片载放面的距离优选通过冷媒流路的顶面至冷却基材的上表面的距离进行调整。

12、本发明的晶片载放台中，所述最下游部处的所述冷媒流路的顶面至所述晶片载放面的距离优选为所述最上游部处的所述冷媒流路的顶面至所述晶片载放面的距离的50～90％。如果该比例为90％以下，则晶片w的均热性充分提高。另外，如果该比例为50％以上，则能够避免在最下游部的上方产生裂纹。

13、本发明的晶片载放台中，所述冷却基材可以由金属基复合材料制作，所述接合层可以为金属接合层。冷却基材为金属基复合材料且接合层为金属接合层的结构中，冷媒流路至晶片载放面的热阻较小，因此，晶片温度容易受到冷媒的温度梯度的影响。因此，应用本发明的意义大。另外，金属接合层的热传导率高，因此，适合于排热。此外，陶瓷基材和金属基复合材料制的冷却基材能够使热膨胀差减小，因此，即便金属接合层的应力缓和性较低，也不易产生问题。

14、本发明的晶片载放台可以具备沿着上下方向贯穿所述冷却基材的孔，所述冷媒流路可以构成为，所述孔的周边区域与偏离了所述孔的周边区域的区域相比，所述冷媒流路的顶面至所述晶片载放面的距离变短。通常，晶片中的该孔的正上方周边容易成为热点，不过，此处，该孔的周边区域与偏离了该孔的周边区域的区域相比，冷媒流路的顶面至晶片载放面的距离变短。因此，孔的周边区域的排热得以促进。所以，晶片的均热性进一步提高。

技术特征：

1.一种晶片载放台，其具备：

2.根据权利要求1所述的晶片载放台，其特征在于，

3.根据权利要求1或2所述的晶片载放台，其特征在于，

4.根据权利要求1～3中的任一项所述的晶片载放台，其特征在于，

5.根据权利要求1～4中的任一项所述的晶片载放台，其特征在于，

6.根据权利要求1～5中的任一项所述的晶片载放台，其特征在于，

技术总结
本发明提供晶片载放台，提高晶片的均热性。晶片载放台(10)具备：陶瓷基材(20)、冷却基材(30)、以及金属接合层(40)。陶瓷基材(20)在上表面具有能够载放晶片的晶片载放面(22a)且内置有晶片吸附用电极(26)。冷却基材(30)具有冷媒流路(32)。金属接合层(40)将陶瓷基材(20)和冷却基材(30)接合。关于冷媒流路(32)中的俯视与晶片载放面(22a)重复的区域处的最上游部(32U)和最下游部(32L)的冷媒流路(32)的顶面至晶片载放面(22a)的距离(d)，最下游部(32L)的距离(d)比最上游部(32U)的距离(d)短。

技术研发人员：井上靖也,久野达也,森冈育久
受保护的技术使用者：日本碍子株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/12