半导体装置的制作方法

实施方式涉及半导体装置。

背景技术：

1、对于半导体装置的高耐压化来说，重要的是提高包围活性区域的末端区域的耐受电压。

技术实现思路

1、实施方式提供能够提高末端区域的耐受电压的半导体装置。

2、实施方式的半导体装置具备第一导电型的第一半导体层、第二导电型的第二至第五半导体层、第一电极和第二电极。所述第一电极及所述第二电极电连接于所述第一半导体层。所述第一半导体层具有活性区域和包围所述活性区域的末端区域。所述第一半导体层在所述活性区域中设于所述第一电极与所述第二电极之间。所述第二半导体层设于所述第一半导体层与所述第二电极之间，在从所述第一电极朝向所述第二电极的第一方向上具有第一层厚。所述第三半导体层设于所述末端区域，包围所述第二半导体层，在所述第一方向上具有比所述第一层厚长的第二层厚。所述第四半导体层设于所述末端区域，包围所述第二半导体层及所述第三半导体层，与所述第三半导体层分离，并且在所述第一方向上具有比所述第二层厚短的第三层厚。所述第五半导体层连接于所述第二半导体层，在所述末端区域中连接于所述第三半导体层及所述第四半导体层。所述第三半导体层及所述第四半导体层设于所述第一半导体层与所述第五半导体层之间。

技术特征：

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

5.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

6.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

11.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

12.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

技术总结
半导体装置具备第一导电型的第一半导体层、第二导电型的第二至第五半导体层、第一及第二电极。第一及第二电极电连接于第一半导体层。第一半导体层具有活性区域和末端区域。第一半导体层在活性区域中设于第一及第二电极之间。第二半导体层设于第一半导体层与第二电极之间，在从第一电极朝向第二电极的第一方向上具有第一层厚。第三半导体层设于末端区域，包围第二半导体层，在第一方向上具有比第一层厚长的第二层厚。第四半导体层包围第二及第三半导体层，与第三半导体层分离，且在第一方向上具有比第二层厚短的第三层厚。第五半导体层连接于第二半导体层，在末端区域中连接于第三及第四半导体层。第三及第四半导体层设于第一与第五半导体层之间。

技术研发人员：朝羽俊介,河野洋志
受保护的技术使用者：株式会社东芝
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15