三维闪存元件的制作方法

本公开关于一种半导电元件及其制造方法，尤其涉及一种三维闪存元件及其制造方法。

背景技术：

1、非易失性存储器具有可使得存入的数据在断电后也不会消失的优点，因此广泛采用于个人计算机和其他电子设备中。目前业界较常使用的三维存储器包括或非式(nor)存储器以及与非式(nand)存储器。此外，另一种三维存储器为与式(and)存储器，其可应用在多维度的存储器阵列中而具有高集成度与高面积利用率，且具有操作速度快的优点。因此，三维存储器元件的发展已逐渐成为目前的趋势。然而，仍存在许多与三维存储器元件相关的挑战。

技术实现思路

1、本公开实施例提出一种三维闪存元件可以在多个存储器阵列之间形成加热器。

2、本公开实施例提出一种三维闪存元件的制造方法可以与现有工艺整合而在多个存储器阵列之间形成加热器。

3、根据本公开实施例的一种三维闪存元件，包括：衬底、栅极叠层结构、多个分隔结构、多个存储器阵列以及多个导电柱。所述栅极叠层结构位于所述衬底上方。所述多个分隔结构延伸穿过所述栅极叠层结构，且将所述栅极叠层结构分割为多个区块。所述多个存储器阵列设置于所述多个区块的所述栅极叠层结构中。所述多个导电柱多个导电柱延伸穿过位于所述多个区块中的所述栅极叠层结构，且位于多个存储器阵列之间以及所述多个分隔结构之间。

4、本公开实施例的一种三维闪存元件具有加热器可以将多个存储器阵列夹置在其彼此之间。

5、上述三维闪存元件可以是三维and闪存元件、三维nand闪存元件或三维nor闪存元件。

技术特征：

1.一种三维闪存元件，包括：

2.根据权利要求1所述的三维闪存元件，其中所述多个存储器阵列包括多个源极柱与多个漏极柱，所述多个源极柱与多个漏极柱延伸穿过所述栅极叠层结构，与所述多个导电柱侧向相邻。

3.根据权利要求2所述的三维闪存元件，还包括：

4.根据权利要求3所述的三维闪存元件，其中所述下内联线结构包括：

5.根据权利要求4所述的三维闪存元件，其中所述多个分隔结构在第一方向延伸，与所述多个导电侧向相邻。

6.根据权利要求5所述的三维闪存元件，其中每一第一下导电块在第二方向延伸，跨过所述多个区块，以使得所述多个区块中的部分所述多个存储器阵列、部分所述多个导电柱以及部分所述多个分隔结构设置在其上方，所述第二方向与所述第一方向不同。

7.根据权利要求6所述的三维闪存元件，其中所述上内联线结构包括：

8.根据权利要求7所述的三维闪存元件，其中每一第一上导电块在所述第二方向延伸，跨过所述多个区块，以覆盖所述多个区块中的所述部分所述多个导电柱以及部分所述多个分隔结构。

9.根据权利要求8所述的三维闪存元件，其中所述第一上导电层还包括：

10.根据权利要求8所述的三维闪存元件，其中所述第一上导电块的面积小于所对应的第二下导电块的面积。

技术总结
本公开提供了一种三维闪存元件，包括：衬底、栅极叠层结构、多个分隔结构、多个存储器阵列以及多个导电柱。所述栅极叠层结构位于所述衬底上方。所述多个分隔结构延伸穿过所述栅极叠层结构，且将所述栅极叠层结构分割为多个区块。所述多个存储器阵列设置于所述多个区块的所述栅极叠层结构中。所述多个导电柱延伸穿过位于所述多个区块中的所述栅极叠层结构，且位于多个存储器阵列之间以及所述多个分隔结构之间。

技术研发人员：吕函庭,叶腾豪,李承宥,陈威臣
受保护的技术使用者：旺宏电子股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15