薄型电阻器及其制作方法与流程

本发明有关一种薄型电阻器，特别是提供一种具有可挠性的高功率薄型电阻器及其制作方法。

背景技术：

1、传统制造薄型电阻的流程中，一般使用陶瓷材料或高分子材料作为承载基板，再形成电阻材料于基板的上表面后，接着施以端电极工艺，即可形成薄型电阻元件。

2、然而，缩减厚度后的传统薄型元件，易受选用基板影响产品性质。例如，若选用陶瓷基板时，所得薄型元件可能有易脆裂的问题，造成产品的机械性质不符合需求。另一方面，若选用如聚酰亚胺(polyimide；pi)、玻璃纤维(如fr4)与树脂(resin)等的高分子材料时，则会因为高分子材料的导热性不佳，而造成产品的热传导性质不符合需求。

3、有鉴于此，亟需提供一种薄型电阻器及其制作方法，以改进现有薄型电阻器及其制作方法的缺点。

技术实现思路

1、本发明的一态样提供一种薄型电阻器的制作方法，其中此方法可有效地制作兼具导热性质与可挠曲性质的薄型电阻器，以满足应用所需。

2、本发明的另一态样提供一种薄型电阻器，其通过前述方法所制成。

3、根据本发明的另一态样，一种薄型电阻器的制作方法，包含：形成电阻基材于可挠性基材的顶表面上，以形成复合块材，其中可挠性基材的厚度小于0.2mm，可挠性基材的组成包含硅、镁及铝，且可挠性基材不以高分子材料所形成，复合块材具有多个单元区域；对每一此些单元区域进行成型工艺，其中成型工艺包含：图案化每一此些单元区域中的电阻基材，以暴露出可挠性基材的部分的顶表面；形成金属层于图案化的电阻基材的部分上，以形成多个电极，其中金属层具有金属层厚度；以及形成金属层后，形成保护层于电阻基材的剩余部分上，其中保护层具有小于或等于金属层厚度的保护层厚度；进行成型工艺后，分离每一此些单元区域，以获得多个电阻单元；以及形成镀层于每一此些电极的多个表面上，以获得此些薄型电阻器。

4、根据本发明的一些实施例，设置电阻基材于可挠性基材前，制作方法还包含形成粘着层于可挠性基材的顶表面上。

5、根据本发明的一些实施例，可挠性基材的组成还包含钠、钙、钾及/或铁。

6、根据本发明的一些实施例，可挠性基材的最小可卷曲半径大于厚度的五百倍。

7、根据本发明的一些实施例，可挠性基材的导热系数为0.5w/(k.m)至2.0w/(k.m)，以及可挠性基材的热膨胀系数不大于4ppm/k。

8、根据本发明的一些实施例，图案化电阻基材的操作可通过蚀刻电阻基材来形成。

9、根据本发明的一些实施例，形成金属层的操作可通过印刷、涂覆、溅射及/或电镀来形成。

10、根据本发明的一些实施例，保护层紧靠此些电极的侧壁。

11、根据本发明的一些实施例，此些薄型电阻器的厚度小于0.2mm。

12、根据本发明的另一态样，通过先前所述的方法所制成，其中薄型电阻器的厚度小于0.2mm且薄型电阻器可被挠曲。

13、应用本发明的薄型电阻器及其制作方法，其通过可挠性基材来有效地制作具有可挠曲性质的薄型电阻器。其次，由于本发明的薄型电阻器使用非高分子材料所形成的可挠性基材，故通过本发明的制作方法所制备的薄型电阻器比起传统基材具有较佳的导热性质，因此可应用于高功率产品中。据此，本发明的薄型电阻器具有良好的热传导与可挠曲等优异特性。

技术特征：

1.一种薄型电阻器的制作方法，其特征在于，所述制作方法包含：

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，设置所述电阻基材于所述可挠性基材前，所述制作方法还包含形成粘着层于所述可挠性基材的所述顶表面上。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述可挠性基材的所述组成还包含钠、钙、钾及/或铁。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述可挠性基材的最小可卷曲半径大于所述厚度的五百倍。

5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述可挠性基材的导热系数为0.5w/(k.m)至2.0w/(k.m)，以及所述可挠性基材的热膨胀系数不大于4ppm/k。

6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，图案化所述电阻基材的操作可通过蚀刻所述电阻基材来形成。

7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成所述金属层的操作可通过印刷、涂覆、溅射及/或电镀来形成。

8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述保护层紧靠所述多个电极的侧壁。

9.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述多个薄型电阻器的厚度小于0.2mm。

10.一种薄型电阻器，其特征在于，所述薄型电阻器通过根据权利要求1至9中任一项所述的制作方法所制成，其中所述多个薄型电阻器的厚度小于0.2mm且所述多个薄型电阻器可被挠曲。

技术总结
本发明揭露一种薄型电阻器及其制作方法。此制作方法中，先设置电阻基材于可挠性基材的顶表面上。接着，进行电极成型步骤、分离步骤、形成镀层步骤，以获得薄型电阻器。因此，通过本发明的方法，可获得兼具可挠曲与良好导热性质的薄型电阻器。

技术研发人员：林广成,李焕文
受保护的技术使用者：国巨电子（中国）有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/25