半导体蚀刻设备及其工作方法与流程

本申请涉及半导体，特别是涉及一种半导体蚀刻设备及其工作方法。

背景技术：

1、半导体生产技术中，工艺腔室的侧壁上一般会配备有透光侦测窗口，需要通过监测透光侦测窗口来确认工艺制程的当前状态，以监控工艺的进行和停止。

2、但是透光侦测窗口因直接暴露在工艺腔室内，工艺制程产生的生成物会很快堆积在透光侦测窗口的表面上，导致工艺信息的获取结果不够准确，无法帮助正常判断工艺制程的进度是否达到要求，因此会存在较高的产品异常风险。

技术实现思路

1、鉴于上述问题，本申请的目的在于提供一种半导体蚀刻设备及其工作方法，旨在解决工艺腔室的透光侦测窗口的表面堆积生成物导致信息获取不准确，无法帮助正常判断工艺制程的进度是否达到要求的问题。

2、第一方面，本申请提供一种半导体蚀刻设备，包括：

3、工艺腔室，所述工艺腔室的侧壁上开设有一侦测孔，所述侦测孔内设置有一透光侦测窗口，所述透光侦测窗口包括相对设置的入光面和出光面，所述入光面为所述透光侦测窗口与所述工艺腔室接触的一面；

4、脏污信息获取模块，设于所述侦测孔内，且临近所述出光面设置；所述脏污信息获取模块用于获取所述入光面的脏污信息；

5、判断控制模块，与所述脏污信息获取模块连接，用于判断所述脏污信息是否达到对应的清洁标准，并在达到清洁标准时输出一清洁控制信号；

6、清洁模块，临近所述入光面设置，且与所述判断控制模块电连接，被配置为响应所述清洁控制信号以对所述入光面进行清洁。

7、在其中一个实施例中，所述清洁模块包括：

8、真空泵；

9、高压气孔，与所述真空泵连通，且环绕所述透光侦测窗口设置；所述高压气孔朝向所述入光面。

10、在其中一个实施例中，所述脏污信息获取模块包括终点探测器和/或光强传感器和/或图像传感器；

11、所述脏污信息包括由所述终点探测器探测的光强信息和/或由所述光强传感器接收的光强信息和/或由所述图像传感器获取的图像信息。

12、在其中一个实施例中，所述脏污信息获取模块包括所述终点探测器和所述光强传感器时，所述光强传感器设于所述终点探测器和所述透光侦测窗口之间。

13、在其中一个实施例中，所述脏污信息获取模块包括所述终点探测器、所述光强传感器和图像传感器时，所述光强传感器和所述图像传感器设于所述终点探测器和所述透光侦测窗口之间。

14、第二方面，本申请还提供一种半导体蚀刻设备的工作方法，基于上述任一项实施例所述的半导体蚀刻设备而实现；所述半导体蚀刻设备的工作方法包括：

15、获取所述入光面的脏污信息；

16、判断所述脏污信息是否达到对应的清洁标准；

17、若是，则控制所述清洁模块对所述入光面进行清洁。

18、在其中一个实施例中，所述脏污信息包括由终点探测器探测的光强信息和/或由光强传感器接收的光强信息和/或由图像传感器获取的图像信息。

19、在其中一个实施例中，所述判断所述脏污信息是否达到对应的清洁标准的步骤，包括：

20、判断所述由所述终点探测器探测的光强信息是否小于第一预设阈值；和/或

21、判断所述由所述光强传感器接收的光强信息是否小于第二预设阈值；和/或

22、依照所述图像信息判断所述入光面是否被反应物覆盖。

23、在其中一个实施例中，所述第一预设阈值小于所述第二预设阈值。

24、在其中一个实施例中，在对所述透光侦测窗口表面进行清洁之前，还包括：

25、判断当前工艺腔室是否处于工作状态，若是，则控制所述清洁模块暂不对所述入光面进行清洁。

26、本申请的半导体蚀刻设备及其工作方法具有如下有益效果：

27、本申请的半导体蚀刻设备，工艺腔室的侧壁上设有侦测孔，透光侦测窗口和脏污信息获取模块设于侦测孔内，通过脏污信息获取模块获取透光侦测窗口的入光面的脏污信息，通过判断控制模块判断脏污信息是否达到对应的清洁标准，若达到清洁标准，则输出清洁控制信号，清洁模块响应清洁控制信号，对透光侦测窗口的入光面进行清洁，保证入光面处于洁净状态，以解决入光面累积较多生成物导致工艺制程信息的获取结果不够准确的问题，可以降低工艺制程监控失误和产品异常风险。

28、本申请的半导体蚀刻设备的工作方法，通过获取入光面的脏污信息，判断脏污信息是否达到对应的清洁标准，若脏污信息达到对应的清洁标准，则使用清洁模块对入光面进行清洁，以解决入光面累积较多生成物导致工艺制程信息的获取结果不够准确的问题，可以降低工艺制程监控失误和产品异常风险。

技术特征：

1.一种半导体蚀刻设备，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体蚀刻设备，其特征在于，所述清洁模块包括：

3.根据权利要求1所述的半导体蚀刻设备，其特征在于，所述脏污信息获取模块包括终点探测器和/或光强传感器和/或图像传感器；

4.根据权利要求3所述的半导体蚀刻设备，其特征在于，所述脏污信息获取模块包括所述终点探测器和所述光强传感器时，所述光强传感器设于所述终点探测器和所述透光侦测窗口之间。

5.根据权利要求3所述的半导体蚀刻设备，其特征在于，所述脏污信息获取模块包括所述终点探测器、所述光强传感器和图像传感器时，所述光强传感器和所述图像传感器设于所述终点探测器和所述透光侦测窗口之间。

6.一种半导体蚀刻设备的工作方法，其特征在于，基于权利要求1至5中任一项所述的半导体蚀刻设备而实现；所述半导体蚀刻设备的工作方法包括：

7.根据权利要求6所述的半导体蚀刻设备的工作方法，其特征在于，所述脏污信息包括由终点探测器探测的光强信息和/或由光强传感器接收的光强信息和/或由图像传感器获取的图像信息。

8.根据权利要求7所述的半导体蚀刻设备的工作方法，其特征在于，所述判断所述脏污信息是否达到对应的清洁标准的步骤，包括：

9.根据权利要求8所述的半导体蚀刻设备的工作方法，其特征在于，所述第一预设阈值小于所述第二预设阈值。

10.根据权利要求6所述的半导体蚀刻设备的工作方法，其特征在于，在对所述透光侦测窗口表面进行清洁之前，还包括：

技术总结
本申请涉及一种半导体蚀刻设备及其工作方法。半导体蚀刻设备包括：工艺腔室，工艺腔室的侧壁上开设有一侦测孔，侦测孔内设置有一透光侦测窗口，透光侦测窗口包括相对设置的入光面和出光面，入光面为透光侦测窗口与工艺腔室接触的一面；脏污信息获取模块，设于侦测孔内，且临近出光面设置；脏污信息获取模块用于获取入光面的脏污信息；判断控制模块，与脏污信息获取模块连接，用于判断脏污信息是否达到对应的清洁标准，并在达到清洁标准时输出一清洁控制信号；清洁模块，临近入光面设置，且与判断控制模块电连接，被配置为响应清洁控制信号以对入光面进行清洁。可以解决入光面累积较多的生成物导致工艺制程信息的获取结果不够准确的问题。

技术研发人员：王鹏鹏,钟艺谋,张涛,苟先华,苏财钰
受保护的技术使用者：重庆康佳光电科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/2/1