具有不同密度的内连接件的半导体元件的制作方法

本公开涉及一种半导体元件。特别涉及一种具有不同密度的多个内连接件的半导体元件。

背景技术：

1、半导体元件使用在不同的电子应用，例如个人电脑、手机、数码相机，或其他电子设备。半导体元件的尺寸逐渐地变小，以符合计算能力所逐渐增加的需求。然而，在尺寸变小的工艺期间，增加不同的问题，且如此的问题在数量与复杂度上持续增加。因此，仍然持续着在达到改善品质、良率、效能与可靠度以及降低复杂度方面的挑战。

2、上文“的“现有技术”说明仅提供背景技术，并未承认上文“的“现有技术”说明揭示本公开的标的，不构成本公开的现有技术，且上文“的“现有技术”的任何说明均不应作为本公开的任一部分。

技术实现思路

1、本公开的一实施例提供一种半导体元件，包括一封装结构，包括一第一侧一以及一第二侧，该第二侧相对该第一侧设置；一中介结构，设置在该封装结构的该第一侧上；一第一晶粒，设置在该中介结构上；一第二晶粒，设置在该中介结构上；以及多个中间内连接件，设置在该封装结构的该第一侧与该第一晶粒之间，以及在该封装结构的该第一侧与该第二晶粒之间。该多个中间内连接件在形貌上对准包括一第一密度的该第一晶粒。该多个中间内连接件在形貌上对准包括一第二密度的该第二晶粒，该第二密度不同于该第一密度。

2、本公开的另一实施例提供一种半导体元件，包括一封装结构，包括一第一侧以及一第二侧，该第二侧相对该第一侧设置；一中介结构，设置在该封装结构的该第一侧上；一第一晶粒，设置在该中介结构上；一第二晶粒，设置在该中介结构上；以及多个下连接件，设置在该封装结构的该第二侧上，且分别包括：一下外部层，设置在该封装结构的该第二侧上；以及一腔室，被该下外部层所包围。

3、本公开的另一实施例提供一种半导体元件，包括一封装结构，包括一第一侧以及一第二侧，该第二侧相对该第一侧设置；一中介结构，设置在该封装结构的该第一侧上；一第一晶粒，设置在该中介结构上；一第二晶粒，设置在该中介结构上；以及多个下内连接件，设置在该封装结构的该第二侧上，且分别包括：一下外部层，设置在该封装结构的该第二侧上；一下内部层，被该下外部层所包围；以及一腔室，被该下内部层所包围。

4、由于本公开该半导体元件的设计，该等中间内连接件的不同密度可允许更弹性的设计规则。此外，该等中间内连接件以及下内连接件的该等腔室可中和并减少在制造或操作该半导体元件期间所潜在的破坏性应力。因此，可改善该半导体元件的良率以及效能。

5、上文已相当广泛地概述本公开的技术特征及优点，从而使下文的本公开详细描述得以获得较佳了解。构成本公开的权利要求标的的其它技术特征及优点将描述于下文。本公开所属技术领域中技术人员应了解，可相当容易地利用下文揭示的概念与特定实施例可作为修改或设计其它结构或工艺而实现与本公开相同的目的。本公开所属技术领域中技术人员也应了解，这类等效建构无法脱离权利要求所界定的本公开的构思和范围。

技术特征：

1.一种半导体元件，包括：

2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一晶粒晶经配置而成一逻辑晶粒。

3.如权利要求2所述的半导体元件，其中该第二晶粒经配置而成一存储器晶粒。

4.如权利要求3所述的半导体元件，还包括一基座结构,设置在该封装结构的该第二侧下方。

5.如权利要求4所述的半导体元件，其中该中介结构包括多个贯穿中介结构通孔，以电性耦接到该多个中间内连接件。

6.如权利要求5所述的半导体元件，还包括一中间底部填充层，设置在该封装结构的该第一侧与该中介结构之间，并围绕该多个中间内连接件设置。

7.如权利要求6所述的半导体元件，还包括多个下内连接件，设置在该封装结构的该第二侧与该基座结构之间。

8.如权利要求7所述的半导体元件，还包括多个贯穿封装通孔，沿着该封装结构设置，其中该多个中间内连接件与该多个下连接件经由该多个贯穿封装通孔而电性耦接。

9.如权利要求8所述的半导体元件，还包括一下底部填充层，设置在该封装结构与该基座结构之间，并围绕该多个下内连接件。

10.如权利要求9所述的半导体元件，其中该多个中间连接件为锡球。

技术总结
本公开提供一种半导体元件。该半导体元件具有一封装结构，具有一第一侧以及一第二侧，该第二侧相对该第一侧设置；一中介结构，设置在该封装结构的该第一侧上；一第一晶粒，设置在该中介结构上；一第二晶粒，设置在该中介结构上；以及多个中间内连接件，设置在该封装结构的该第一侧与该第二晶粒之间。该多个中间内连接件在形貌上对准包括一第一密度的该第一晶粒。该多个中间内连接件在形貌上对准包括一第二密度的该第二晶粒，该第二密度不同于该第一密度。

技术研发人员：周良宾
受保护的技术使用者：南亚科技股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13