一种tvs芯片的制备方法
技术领域
1.本发明涉及tvs芯片技术领域，具体为一种tvs芯片的制备方法。
背景技术：
2.tvs二极管，又称为瞬态抑制二极管，是普遍使用的一种新型高效电路保护器件，它具有极快的响应时间(亚纳秒级)和相当高的浪涌吸收能力，其与电阻、电容等元器件配合，以作瞬态高压抑制保护的用途。当它的两端经受瞬间的高能量冲击时，tvs能以极高的速度把两端间的阻抗值由高阻抗变为低阻抗，以吸收一个瞬间大电流，把它的两端电压箝制在一个预定的数值上，从而保护后面的电路元件不受瞬态高压尖峰脉冲的冲击。广泛用于各类保护电子电路中,市场前景广阔，发展空间较大。
3.现有的技术中，硅片腐蚀后一般直接进行后续工序，容易出现腐蚀结果不完整，影响结节层的完整性，增加了芯片生产的不良率，增加生产成本。
技术实现要素：
4.（一）解决的技术问题针对现有技术的不足，本发明提供了一种tvs芯片的制备方法，解决了容易出现腐蚀结果不完整，影响结节层的完整性，增加了芯片生产的不良率，增加生产成本的问题。
5.（二）技术方案为实现以上目的，本发明通过以下技术方案予以实现：一种tvs芯片的制备方法，包括以下步骤：s1、使用超声波清洗装置，在清洗液的作用下，对硅片进行初步清洗，清洗后进行氧化，形成氧化膜；s2、对s1处理后的硅片，涂覆光刻胶，利用光刻设备，对硅片进行光刻，形成需要的开沟区；s3、将s2处理后的硅片，放入腐蚀液，形成浅沟，利用检测设备，对浅沟进行初步检测；s4、将s3合格后的硅片，放入清洗液中，去除硅片表面的光刻胶；s5、将s4处理后的硅片，放入酸洗池中，去除硅片表面的氧化膜，并进行清洗、烘干；s6、在s5处理后的硅片表面，附上扩散源，形成结节层；s7、钝化、表面金属化、切割、测试、形成tvs芯片。
6.优选的，所述s1中，先将硅片浸入清洗液3-8min,然后超声波清洗3-5min，清洗后将硅片烘干。
7.优选的，所述s3中，腐蚀时间为5-7min，形成深度为20-30um的浅沟。
8.优选的，所述s6中，扩散源为硼或者磷液态源，形成深度为50-65um的结节层。
9.（三）有益效果
本发明提供了一种tvs芯片的制备方法。具备以下有益效果：与传统技术相比，本发明增加了腐蚀后的检测步骤，同时与后续测试步骤相互配合，一方面保证腐蚀的结果完整性，减小生产的不良率，减少生产成本，另一方面，保证tvs芯片功能的正常。
具体实施方式
10.下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
11.实施例：本发明实施例提供一种tvs芯片的制备方法，包括以下步骤：s1、使用超声波清洗装置，在清洗液的作用下，对硅片进行初步清洗，清洗后进行氧化，形成氧化膜；s2、对s1处理后的硅片，涂覆光刻胶，利用光刻设备，对硅片进行光刻，形成需要的开沟区；s3、将s2处理后的硅片，放入腐蚀液，形成浅沟，利用检测设备，对浅沟进行初步检测；s4、将s3合格后的硅片，放入清洗液中，去除硅片表面的光刻胶；s5、将s4处理后的硅片，放入酸洗池中，去除硅片表面的氧化膜，并进行清洗、烘干；s6、在s5处理后的硅片表面，附上扩散源，形成结节层；s7、钝化、表面金属化、切割、测试、形成tvs芯片。
12.s1中，先将硅片浸入清洗液3-8min,然后超声波清洗3-5min，清洗后将硅片烘干。
13.s3中，腐蚀时间为5-7min，形成深度为20-30um的浅沟。
14.s6中，扩散源为硼或者磷液态源，形成深度为50-65um的结节层。
15.尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
技术特征：
1.一种tvs芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：s1、使用超声波清洗装置，在清洗液的作用下，对硅片进行初步清洗，清洗后进行氧化，形成氧化膜；s2、对s1处理后的硅片，涂覆光刻胶，利用光刻设备，对硅片进行光刻，形成需要的开沟区；s3、将s2处理后的硅片，放入腐蚀液，形成浅沟，利用检测设备，对浅沟进行初步检测；s4、将s3合格后的硅片，放入清洗液中，去除硅片表面的光刻胶；s5、将s4处理后的硅片，放入酸洗池中，去除硅片表面的氧化膜，并进行清洗、烘干；s6、在s5处理后的硅片表面，附上扩散源，形成结节层；s7、钝化、表面金属化、切割、测试、形成tvs芯片。2.根据权利要求1所述的一种tvs芯片的制备方法，其特征在于：所述s1中，先将硅片浸入清洗液3-8min,然后超声波清洗3-5min，清洗后将硅片烘干。3.根据权利要求1所述的一种tvs芯片的制备方法，其特征在于：所述s3中，腐蚀时间为5-7min，形成深度为20-30um的浅沟。4.根据权利要求1所述的一种tvs芯片的制备方法，其特征在于：所述s6中，扩散源为硼或者磷液态源，形成深度为50-65um的结节层。
技术总结
本发明提供一种TVS芯片的制备方法，涉及TVS芯片技术领域。该TVS芯片的制备方法，包括以下步骤S1、使用超声波清洗装置，在清洗液的作用下，对硅片进行初步清洗，清洗后进行氧化，形成氧化膜，S2、对S1处理后的硅片，涂覆光刻胶，利用光刻设备，对硅片进行光刻，形成需要的开沟区，S3、将S2处理后的硅片，放入腐蚀液，形成浅沟，利用检测设备，对浅沟进行初步检测，S4、将S3合格后的硅片，放入清洗液中，去除硅片表面的光刻胶，增加了腐蚀后的检测步骤，同时与后续测试步骤相互配合，一方面保证腐蚀的结果完整性，减小生产的不良率，减少生产成本，另一方面，保证TVS芯片功能的正常。保证TVS芯片功能的正常。
技术研发人员：郭城 吕明 李充 王永超 弭帅 潘炜
受保护的技术使用者：山东科芯电子有限公司
技术研发日：2022.07.25
技术公布日：2022/9/23