氮化物半导体、半导体装置及氮化物半导体的制造方法与流程

本发明的实施方式涉及氮化物半导体、半导体装置及氮化物半导体的制造方法。

背景技术：

1、例如，具有采用gan等氮化物半导体的半导体装置。期望提高半导体装置的特性。

技术实现思路

1、发明要解决的问题

2、本发明的实施方式提供一种可提高特性的氮化物半导体、半导体装置及氮化物半导体的制造方法。

3、用于解决问题的手段

4、根据本发明的实施方式，氮化物半导体包含含硼的基体、含alx1ga1-x1n(0.98＜x1≤1)的第1氮化物区域、和含alx2ga1-x2n(0≤x2＜1、x2＜x1)的第2氮化物区域。所述基体中的硼的浓度为1×1019cm-3以上。所述第1氮化物区域位于所述基体与所述第2氮化物区域之间。所述第1氮化物区域包含与所述基体相对的第1面和与所述第2氮化物区域相对的第2面。所述第2面中的硼的第2浓度为所述第1面中的硼的第1浓度的1/8000以下。

5、根据上述构成的氮化物半导体，能够提供可提高特性的氮化物半导体、半导体装置及氮化物半导体的制造方法。

技术特征：

1.一种氮化物半导体，其具备：

2.根据权利要求1所述的氮化物半导体，其中，所述第2浓度为所述第1浓度的1/10000以下。

3.根据权利要求1所述的氮化物半导体，其中，所述第2浓度为所述基体中的所述硼的浓度的1/2500以下。

4.根据权利要求1所述的氮化物半导体，其中，所述基体含有硅。

5.根据权利要求1所述的氮化物半导体，其中，所述第1浓度高于所述基体中的所述硼的所述浓度。

6.根据权利要求1所述的氮化物半导体，其中，所述第2氮化物区域中的硼的第3浓度为所述第2浓度以下。

7.根据权利要求1所述的氮化物半导体，其中，所述第2氮化物区域包含含aly1ga1-y1n的第1氮化物层，其中，0＜y1＜1，y1＜x1，

8.根据权利要求7所述的氮化物半导体，其中，所述第2氮化物区域包含：

9.一种半导体装置，其还具备：

10.一种氮化物半导体的制造方法，其中，

技术总结
本发明提供一种可提高特性的氮化物半导体、半导体装置及氮化物半导体的制造方法。根据实施方式，氮化物半导体包含：含硼的基体、含Al<subgt;x1</subgt;Ga<subgt;1‑x1</subgt;N(0.98＜x1≤1)的第1氮化物区域、和含Al<subgt;x2</subgt;Ga<subgt;1‑x2</subgt;N(0≤x2＜1、x2＜x1)的第2氮化物区域。所述基体中的硼的浓度为1×10<supgt;19</supgt;cm<supgt;‑3</supgt;以上。所述第1氮化物区域位于所述基体与所述第2氮化物区域之间。所述第1氮化物区域包含与所述基体相对的第1面和与所述第2氮化物区域相对的第2面。所述第2面中的硼的第2浓度为所述第1面中的硼的第1浓度的1/8000以下。

技术研发人员：名古肇,田岛纯平,彦坂年辉
受保护的技术使用者：株式会社东芝
技术研发日：
技术公布日：2024/1/12