芯片的清洗方法与流程

本发明涉及半导体制造，尤其涉及一种芯片的清洗方法。

背景技术：

1、集成电路芯片(integrated circuit，ic)广泛应用在计算机，手机和其他数字电器，俨然已经成为社会结构不可或缺的一部分，尤其是能精密调整微处理器，传感器负载等供电电压的高压功率mos型电源管理芯片。由于芯片的精密性和高性能性，因此在制备过程中，需要对其进行严格的清洗，否则便可对其性能产生严重的影响，无法达到使用要求。

2、同时集成电路的制作向超大规模集成电路发展，芯片上的电路密度越来越大，所含元件数量不断增加，芯片表面已无法提供足够的面积来制作所需的互连线(interconnect)，为此，提出了两层以上的多层金属互连线的设计方法，所述设计方法通过刻蚀层间介质层形成布线的沟槽和通孔，并在所述沟槽和通孔中填充导电材料来实现芯片内的多层电互连，这样就给芯片的清洗带来更大的困难。

3、然而，现在芯片的清洗的技术仍有待提升。

技术实现思路

1、本发明解决的技术问题是提供一种芯片的清洗方法，能够有效提升芯片表面清洗的效果，保证芯片的良率。

2、为解决上述问题，本发明提供一种芯片的清洗方法，包括：提供芯片；对芯片进行刻蚀处理，刻蚀处理的刻蚀方向在芯片表面的投影为第一方向；在对芯片进行刻蚀处理之后，对芯片进行清洗处理，清洗处理包括：沿第二方向对芯片进行第一清洗处理，第二方向与第一方向之间非平行设置。

3、可选的，第二方向与第一方向之间的夹角为锐角或者钝角。

4、可选的，第二方向与第一方向之间的夹角为锐角时，锐角的范围为7°至16°。

5、可选的，在第二方向上对刻蚀后的芯片进行清洗处理之前还包括步骤：旋转芯片，使得在第二方向上对准芯片。

6、可选的，清洗处理还包括：沿第三方向对芯片进行第二清洗处理，第三方向与第二方向非平行设置。

7、可选的，清洗处理的工艺的清洗时间为5min-60min。

8、可选的，清洗处理的工艺的清洗液包括酸清洗液、碱清洗液、有机溶剂清洗液以及二次去离子水清洗液中一种或多种清洗液。

9、可选的，清洗液的流量为0.16ml/min～5ml/min。

10、可选的，芯片包括基底和位于基底上的器件层；器件层包括位于基底上的介质层，位于介质层内的通孔；位于通孔侧壁上的粘附层。

11、可选的，对芯片进行刻蚀处理的刻蚀气体包括含有cf4和o2组合的刻蚀气体或者含有cf4和chf3组合的刻蚀气体或者含有cl2的刻蚀气体。

12、可选的，刻蚀气体的流量20sccm～200sccm、控制精度+/-1％、流量稳定时间<1s、温度范围30～60℃、压强150～250mtorr。

13、与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：

14、本发明的技术方案中，在对芯片进行刻蚀处理之后，对芯片进行清洗处理，清洗处理包括：沿第二方向对芯片进行第一清洗处理，第二方向与第一方向之间非平行设置，即第一方向与第二方向之间具有一定的夹角，由于对芯片进行刻蚀之后，在第一方向上芯片内会形成若干通孔，通孔所在的区域属于较脆弱的地方，此时调整清洗处理的方向即第二方向，使得第一方向与第二方向之间具有一定的夹角，这样减少了对第一方向上的通孔内的冲击和损伤，提高了通孔内的形成质量，减少了由于通孔内的损伤导致芯片良率降低的风险，保证了芯片的质量，提升了生产效率，具有较广泛的使用范围。

技术特征：

1.一种芯片的清洗方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述芯片的清洗方法，其特征在于，所述第二方向与所述第一方向之间的夹角为锐角或者钝角。

3.如权利要求2所述芯片的清洗方法，其特征在于，所述第二方向与所述第一方向之间的夹角为锐角时，所述锐角的范围为7°至16°。

4.如权利要求1所述芯片的清洗方法，其特征在于，在所述第二方向上对刻蚀后的所述芯片进行清洗处理之前还包括步骤：旋转所述芯片，使得在所述第二方向上对准所述芯片。

5.如权利要求1所述芯片的清洗方法，其特征在于，所述清洗处理还包括：沿第三方向对所述芯片进行第二清洗处理，所述第三方向与所述第二方向非平行设置。

6.如权利要求1所述芯片的清洗方法，其特征在于，所述清洗处理的工艺的清洗时间为5min-60min。

7.如权利要求1所述芯片的清洗方法，其特征在于，所述清洗处理的工艺的清洗液包括酸清洗液、碱清洗液、有机溶剂清洗液以及二次去离子水清洗液中一种或多种清洗液。

8.如权利要求7所述芯片的清洗方法，其特征在于，所述清洗液的流量为0.16ml/min～5ml/min。

9.如权利要求1所述芯片的清洗方法，其特征在于，所述芯片包括基底和位于所述基底上的器件层；所述器件层包括位于基底上的介质层，位于所述介质层内的通孔；位于所述通孔侧壁上的粘附层。

10.如权利要求1所述芯片的清洗方法，其特征在于，对所述芯片进行刻蚀处理的刻蚀气体包括含有cf4和o2组合的刻蚀气体或者含有cf4和chf3组合的刻蚀气体或者含有cl2的刻蚀气体。

11.如权利要求10所述芯片的清洗方法，其特征在于，所述刻蚀气体的流量20sccm～200sccm、控制精度+/-1％、流量稳定时间<1s、温度范围30～60℃、压强150～250mtorr。

技术总结
本发明提供一种芯片的清洗方法，包括：提供芯片；对所述芯片进行刻蚀处理，所述刻蚀处理的刻蚀方向在芯片表面的投影为第一方向；在对所述芯片进行刻蚀处理之后，对所述芯片进行清洗处理，所述清洗处理包括：沿第二方向对所述芯片进行第一清洗处理，所述第二方向与所述第一方向之间非平行设置；即所述第一方向与所述第二方向之间具有一定的夹角，这样减少了对所述第一方向上的所述通孔内的冲击和损伤，提高了所述通孔内的形成质量，减少了由于所述通孔内的损伤导致芯片良率降低的风险，保证了芯片的质量，提升了生产效率，具有较广泛的使用范围。

技术研发人员：郑磊,孙亚龙,姜东旭,刘超,陆韵峰
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（天津）有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/2/8