半导体装置的制作方法

本发明的实施方式涉及半导体装置。

背景技术：

1、在半导体装置中设置单元区域和单元区域的外侧的末端区域，该单元区域例如具有igbt(insulated gate bipolar transistor)、mosfet(metal-oxide-semiconductorfield-effect transistor)或者二极管等元件。在末端区域中，从耐压等观点出发，有时设置与上述的元件的一部分电连接的半导体区域。有时过剩的电流经由这样的半导体区域流过末端区域。

技术实现思路

1、本发明提供能够抑制末端区域中的电流的半导体装置。

2、实施方式所涉及的半导体装置包含第1电极、第1半导体区域、第2半导体区域、第3半导体区域、第2电极、导电部和第4半导体区域。所述第1半导体区域设置于所述第1电极之上，为第1导电型。所述第2半导体区域设置于所述第1半导体区域之上，为第2导电型。所述第3半导体区域为设置于所述第2半导体区域之上的第1导电型。所述第2电极设置于所述第2半导体区域及所述第3半导体区域之上，与所述第2半导体区域及所述第3半导体区域电连接。所述导电部包含第1导电区域和第2导电区域。所述第1导电区域隔着绝缘膜而与所述第1半导体区域、所述第2半导体区域及所述第3半导体区域对置。所述第2导电区域配置于所述第2电极的周围。所述第4半导体区域设置于所述第2半导体区域的周围，与所述第2半导体区域电连接，为第2导电型。所述第4半导体区域具有与从所述第1电极朝向所述第2电极的第1方向垂直的方向上的端部，该端部与所述第1半导体区域相接。所述端部的至少一部分在沿着所述第1方向的方向上位于比所述第2导电区域靠所述第1电极侧。

技术特征：

1.一种半导体装置，其中，具有：

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

3.如权利要求2所述的半导体装置，其中，

4.如权利要求3所述的半导体装置，其中，

5.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

6.如权利要求5所述的半导体装置，其中，

7.如权利要求5所述的半导体装置，其中，

8.如权利要求5所述的半导体装置，其中，

9.如权利要求1至8中任一项所述的半导体装置，其中，

技术总结
实施方式提供能够抑制末端区域中的电流的半导体装置。实施方式所涉及的半导体装置包含第1～2电极、第1～4半导体区域、导电部。第1半导体区域设置于第1电极之上。第2半导体区域设置于第1半导体区域之上。第3半导体区域设置于第2半导体区域之上。第2电极设置于第2～3半导体区域之上。导电部包含第1～2导电区域。第1导电区域隔着绝缘膜而与第1半导体区域、第2～3半导体区域对置。第2导电区域配置于第2电极的周围。第4半导体区域设置于第2半导体区域的周围，与第2半导体区域电连接。第4半导体区域具有横向上的端部，该端部与第1半导体区域相接。端部的至少一部分在沿着第1方向的方向上位于比第2导电区域靠第1电极侧。

技术研发人员：松下宪一
受保护的技术使用者：株式会社东芝
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15