一种晶圆标记方法与流程

本发明涉及半导体，特别涉及一种晶圆标记方法。

背景技术：

1、晶圆id标记是用于管理晶圆的；在发生停电等经济事故时，需要用来区分同一批次内的晶圆，抑或是不同批次的晶圆。晶圆激光标记属于晶圆管理层面上的工艺，在目前的方案中，是需要单独的晶圆激光标记设备才能实现的。

2、在光刻工艺中，晶圆表面会产生一层不透明膜质或沉淀物，导致无法辨识晶圆表面的id，同时图案工艺也会妨碍晶圆id的辨识。

3、因此即使在工艺初期标记了一次晶圆id，在工艺中期晶圆id也会变得难以辨识，需要再次进行id标识，而重新标识又需要单独的设备，导致成本增加。

技术实现思路

1、针对现有技术中存在的问题，提供了一种晶圆标记方法，直接在光刻装置的基础上，直接对晶圆进行标记。

2、本发明采用的技术方案如下：一种晶圆标记方法，通过准分子激光器产生准分子激光光束，传输到光刻装置，由光刻装置通过准分子激光光束对晶圆进行id标记。

3、进一步的，在标记过程中，先检测出晶圆上切口位置，再进行id标记。

4、进一步的，检测方法为：准分子激光光束沿晶圆移动方向扫描，完成晶圆切口的检测。

5、进一步的，所述准分子激光光束在移动扫描时不直接穿过晶圆，而是环绕晶圆进行扫描。

6、进一步的，在对标记id时，准分子激光光束固定，移动晶圆进行id标识。

7、进一步的，晶圆在x轴或y轴方向移动。

8、进一步的，所述标记光束波长为193mm。

9、与现有技术相比，采用上述技术方案的有益效果为：直接在现有的光刻装置上就能完成晶圆id的重新标识，不需要额外购买专用的晶圆标识设备，极大的节省了成本。

技术特征：

1.一种晶圆标记方法，其特征在于，通过准分子激光器产生准分子激光光束，传输到光刻装置，由光刻装置通过准分子激光光束对晶圆进行id标记。

2.根据权利要求1所述的晶圆标记方法，其特征在于，在标记过程中，先检测出晶圆上切口位置，再进行id标记。

3.根据权利要求2所述的晶圆标记方法，其特征在于，检测方法为：准分子激光光束沿晶圆移动方向扫描，完成晶圆切口的检测。

4.根据权利要求3所述的晶圆标记方法，其特征在于，所述准分子激光光束在移动扫描时不直接穿过晶圆，而是环绕晶圆进行扫描。

5.根据权利要求1所述的晶圆标记方法，其特征在于，在对标记id时，准分子激光光束固定，移动晶圆进行id标识。

6.根据权利要求5所述的晶圆标记方法，其特征在于，晶圆在x轴或y轴方向移动。

7.根据权利要求1所述的晶圆标记方法，其特征在于，所述标记光束波长为193mm。

技术总结
本发明提供了提出了一种晶圆标记方法，通过准分子激光器产生准分子激光光束，传输到光刻装置，由光刻装置通过准分子激光光束对晶圆进行ID标记。本发明提出的晶圆标识方法，直接在现有的光刻装置上就能完成晶圆ID的重新标识，不需要额外适用专用的晶圆标识设备，极大的节省了成本。

技术研发人员：金成昱,梁贤石
受保护的技术使用者：成都高真科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/11