具有轻掺杂延伸区的绝缘体上半导体装置的制作方法

本公开内容中的示例涉及具有半导体层的绝缘体上半导体装置，半导体层包括用于减小电场的轻掺杂延伸区。特别地，绝缘体上半导体装置可以是电力电子中使用的集成电路，例如栅极驱动电路。

背景技术：

1、电力电子组件包括用于控制电力转换电路和电机控制应用中的感性负载的功率半导体开关，例如igbt(绝缘栅双极晶体管)和/或mosfet(金属氧化物半导体场效应晶体管)，以及用于控制和监控功率半导体开关的集成电路。这样的集成电路的示例是使得微控制器或数字信号处理器(dsp)能够高效地接通和关断功率半导体开关的栅极驱动电路。栅极驱动电路的缓冲级包括具有低电平输入的输出晶体管，该低电平输入用于驱动控制功率半导体开关的通断所需的相对高的输入电流。在基于soi(绝缘体上半导体)技术的栅极驱动电路中，各缓冲级的每个输出晶体管可以形成于在所有侧上均具有介电隔离的薄半导体膜中。所有侧上的介电绝缘防止闩锁并且几乎完全消除到块体(bulk)的泄漏电流。

2、一直需要以较低的额外努力来进一步改善电力电子装置的装置特性。

技术实现思路

1、本公开内容的实施方式在不显著增加有源区域的情况下增加向功率半导体开关提供栅极信号的输出晶体管的击穿强度并且/或者减小该输出晶体管泄漏电流。

2、为此，本公开内容的实施方式涉及包括绝缘层和形成在绝缘层上的半导体层的半导体装置。半导体层包括：具有第一导电类型的第一区；具有第二导电类型的第二区；以及具有第一导电类型的轻掺杂延伸区，其沿横向x轴将第一区和第二区隔开。介电结构横向围绕半导体层。第一区和延伸区中的至少一者沿正交于x轴的横向y轴形成在距介电结构一定距离处。沿x轴并且在第二区与第一区之间，半导体层沿y轴的横向延伸随着距第二区的距离的增加而增加。

3、本领域技术人员在阅读以下具体实施方式并查看附图后将认识到附加的特征和优点。

技术特征：

1.一种半导体装置，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：

3.根据权利要求2所述的半导体装置，

4.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，

5.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，还包括：

6.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，还包括：

7.根据前一权利要求中任一项所述的半导体装置，还包括：

8.根据权利要求7所述的半导体装置，

9.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，

10.根据权利要求9所述的半导体装置，

11.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，

12.根据权利要求11所述的半导体装置，

13.根据权利要求12所述的半导体装置，

14.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，

15.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，还包括：

技术总结
一种半导体装置(500)，包括绝缘层(180)和形成在绝缘层(180)上的半导体层(110)。半导体层(110)包括：具有第一导电类型的第一区(111)、具有第二导电类型的第二区(112)、以及具有第一导电类型的轻掺杂延伸区(113)，该延伸区沿横向的x轴将第一区(111)和第二区(112)分隔开。介电结构(210)横向围绕半导体层(110)。第一区(111)和延伸区(113)中的至少一者沿与x轴正交的横向y轴而形成在距介电结构(210)一定距离处。沿x轴并且在第二区(112)与第一区(111)之间，半导体层(110)的沿y轴的横向延伸随着距第二区(112)的距离的增加而增加。

技术研发人员：拉尔夫·鲁道夫
受保护的技术使用者：英飞凌科技奥地利有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13