1.本发明涉及一种异质结镀膜后返工片的清洗方法。
背景技术：
2.异质结电池的生成流程为制绒、pecvd（等离子体增强化学的气相沉积）、pvd（物理气相沉积）、丝网印刷四个主要过程，在正常的生成过程中，由于杂质污染、机械设备的接触摩擦、设备工艺缺陷等多种因素，会导致不良品的产生。由于目前晶体硅电池生成过程中，硅片占据的生成成本甚至超过了40%，是最贵的原材料之一。因此会使用返工清洗流程，去除pecvd及pvd的膜层后，重新进行制绒，进行二次工艺，从而实现不良品的回收再利用，降低生成成本。返工片表面存在的薄膜如无法有效去除会阻碍二次制绒时碱同硅片的腐蚀，从而导致返工片制绒时绒面不均匀，外观出现异常，同时表面残留的p层结构，也导致了再次进行pecvd工艺时，镀膜后出现结构性的不良，从而再成品电池出现el黑斑，影响效率。
技术实现要素：
3.为解决现有技术存在的缺陷，本发明提供一种异质结镀膜后返工片的清洗方法，其通过先去除可影响清洗效果的氧化铟锡薄膜，再去除非晶硅膜，可有效的实现膜层的有效去除，使返工片的后续工艺可有效进行，增加良品率。
4.为实现上述目的，本发明采用以下技术方案：一种异质结镀膜后返工片的清洗方法：返工片异质结镀膜的膜层为pecvd工序中形成的主要成分为si-h且p面掺硼的非晶硅膜，及pvd工序中形成的主要成分为氧化铟锡膜的金属氧化膜，采用以下方法对返工片进行清洗：使用氢氟酸与盐酸的混合液对返工片进行混酸清洗，去除异质结镀膜中的氧化铟锡薄膜；对去除氧化铟锡薄膜的返工片使用臭氧水与氢氟酸的混合液进行清洗，去除非晶硅膜；本技术方案的有益效果在于：1，异质结电池的pvd工序镀的膜层主要为金属元素，尤其是铟、锡此种重金属元素，在清洗中形成金属离子附着在硅片的表面，但金属离子会污染硅片，在硅片内部形成深能级的复合中心，影响电池效率以及漏电等，异质结电池pecvd镀膜主要的成分为si-h，尤其是p面为掺硼的非晶硅，该膜层结构较难直接同氢氟酸进行反应，反应的效果较差，且由于异质结电池生成的非晶薄膜不同于单晶制绒工艺的金字塔结构，其晶体结构为非固定结构，晶面结构多种，因此，清洗后表面会残留大量的薄膜；因此，本申请提供氢氟酸与盐酸混合的方案，利用盐酸对金属离子的络合特性，有效的去除减少金属离子；2，在去除氧化铟锡薄膜后，本申请利用臭氧水的强氧化性，臭氧对硅的氧化不受硅表面晶体晶面方向的影响特性，能够使非晶硅薄膜氧化生成二氧化硅，然后使用氢氟酸同二氧化硅反应生成氟硅酸，实现去除非晶微晶薄膜；同时利用臭氧水具有去除硅片金属
离子的效果，大幅降低了金属离子在硅片表面的残留，提高异质结返工片的效率及良品率。
5.进一步的，臭氧水与氢氟酸混合液的浓度为：臭氧水浓度含量为30-60ppm，氢氟酸质量浓度为0.1%-5%；本技术方案的有益效果在于：经申请人多次试验发现该浓度结构为最佳结构，可有效实现清洗效果。
6.进一步的，氢氟酸与盐酸的混合液的浓度为：氢氟酸质量浓度为0.1%-10%，盐酸质量浓度为0.1%-10%。
具体实施方式
7.一种异质结镀膜后返工片的清洗方法，返工片异质结镀膜的膜层为pecvd工序中形成的主要成分为si-h且p面掺硼的非晶硅膜，及pvd工序中形成的主要成分为氧化铟锡膜的金属氧化膜，采用以下方法对返工片进行清洗：a，使用质量浓度0.1%-10%的氢氟酸以及0.1%-10%浓度的盐酸的混合液，对返工片进行浸泡清洗，去除异质结镀膜中的氧化铟锡薄膜；b，使用浓度含量为30-60ppm的臭氧水、氢氟酸质量浓度为0.1%-5%的混合液，对返工片进行浸泡清洗去除非晶硅膜。
8.上述实施方式方法a中，氢氟酸的质量浓度可为0.1%、1%、5%、8%、10%，盐酸的质量浓度可为0.1%、1%、5%、8%、10%。
9.上述实施方式方法b中，臭氧水的浓度(ppm)可为30、35、50、55、60，氢氟酸的质量浓度可为0.1%、0.5%、1%、3%、5%。
10.显而易见，上述实施方式仅仅为本发明的其中一个示范例，任何在本发明所提供原理上的简单改进均属于本发明的保护范围。
技术特征：
1.一种异质结镀膜后返工片的清洗方法，其特征在于：返工片异质结镀膜的膜层为pecvd工序中形成的主要成分为si-h且p面掺硼的非晶硅膜，及pvd工序中形成的主要成分为氧化铟锡膜的金属氧化膜，采用以下方法对返工片进行清洗：使用氢氟酸与盐酸的混合液对返工片进行混酸清洗，去除异质结镀膜中的氧化铟锡薄膜；对去除氧化铟锡薄膜的返工片使用臭氧水与氢氟酸的混合液进行清洗，去除非晶硅膜。2.根据权利要求1所述的一种异质结镀膜后返工片的清洗方法，其特征在于：臭氧水与氢氟酸混合液的浓度为：臭氧水浓度含量为30-60ppm，氢氟酸质量浓度为0.1%-5%。3.根据权利要求1所述的一种异质结镀膜后返工片的清洗方法，其特征在于：氢氟酸与盐酸的混合液的浓度为：氢氟酸质量浓度为0.1%-10%，盐酸质量浓度为0.1%-10%。
技术总结
一种异质结镀膜后返工片的清洗方法：返工片异质结镀膜的膜层为PECVD工序中形成的主要成分为Si-H且P面掺硼的非晶硅膜，及PVD工序中形成的主要成分为氧化铟锡膜的金属氧化膜，采用以下方法对返工片进行清洗：使用氢氟酸与盐酸的混合液对返工片进行混酸清洗，去除异质结镀膜中的氧化铟锡薄膜；对去除氧化铟锡薄膜的返工片使用臭氧水与氢氟酸的混合液进行清洗，去除非晶硅膜；其通过先去除可影响清洗效果的氧化铟锡薄膜，再去除非晶硅膜，可有效的实现膜层的有效去除，使返工片的后续工艺可有效进行，增加良品率。增加良品率。
技术研发人员：安艳龙 王强 王步峰 陈斌
受保护的技术使用者：新疆未来双碳能源有限公司
技术研发日：2022.09.13
技术公布日：2022/11/22