用于集成电路设备的浸没冷却的制作方法

文档序号:34006569发布日期:2023-04-29 20:43阅读:22来源:国知局
用于集成电路设备的浸没冷却的制作方法

本说明书的实施例总体上涉及集成电路设备的热管理领域,并且更具体地,涉及用于集成电路设备的浸没冷却。


背景技术:

1、集成电路工业不断努力生产更快、更小和更薄的集成电路设备和封装,以用于各种电子产品,包括但不限于计算机服务器和便携式产品,例如便携式计算机、电子平板、蜂窝电话、数码相机等。

2、随着这些目标的实现,集成电路设备变得更小。因此,集成电路设备内的电子部件的功耗密度增加,这进而增加了集成电路设备的平均结温(junction temperature)。如果集成电路设备的温度变得太高,则集成电路可能被损坏或毁坏。因此,散热设备用于从集成电路封装中的集成电路设备去除热量。在一个示例中,热扩散和耗散设备可以热附接到集成电路设备以用于热量去除。热扩散和耗散设备进而将热量耗散到周围大气中。在另一示例中,诸如热交换器或热管的液体冷却设备可以热附接到集成电路设备以用于热量去除。然而,随着功率密度和功率包络增大以达到峰值性能,这些方法在去除足够的热量方面变得无效。

3、一种新兴的热量去除技术是两相浸没冷却。该技术主要包括将集成电路组件浸入到包含低沸点液体的液体冷却浴中,该低沸点液体蒸发,并且因此在集成电路组件生成热量时通过潜热传递冷却集成电路组件。尽管两相浸没冷却是有前途的技术,但如本领域技术人员将理解的,两相浸没冷却对于有效操作具有各种挑战。


技术实现思路



技术特征:

1.一种装置,包括:

2.根据权利要求1所述的装置,其中,所述散热设备包括第一表面和相反的第二表面,并且其中,所述至少一个表面积增强结构包括从所述散热设备的所述第二表面延伸的至少一个突出部。

3.根据权利要求2所述的装置,其中,所述至少一个突出部由至少一个侧壁和顶表面限定。

4.根据权利要求3所述的装置,其中,所述至少一个沸腾增强材料层接触所述至少一个突出部的所述至少一个侧壁,而不接触所述至少一个突出部的所述顶表面。

5.根据权利要求4所述的装置,其中,所述至少一个沸腾增强材料层接触所述散热设备的所述第二表面。

6.根据权利要求1所述的装置,其中,所述散热设备包括第一表面和相反的第二表面,并且其中,所述至少一个表面积增强结构包括从所述散热设备的所述第二表面延伸到所述散热设备中的至少一个开口。

7.根据权利要求6所述的装置,其中,所述至少一个开口由至少一个侧壁和底表面限定,并且其中,所述至少一个沸腾增强材料层接触所述至少一个开口的所述至少一个侧壁和所述底表面。

8.根据权利要求7所述的装置,其中,所述至少一个沸腾增强材料层接触所述至少一个开口的所述至少一个侧壁和所述底表面,而不接触所述散热设备的所述第二表面。

9.根据权利要求6所述的装置,其中,所述至少一个表面积增强结构包括从所述散热设备的所述第一表面穿过所述散热设备延伸到所述散热设备的所述第二表面的至少一个开口。

10.一种装置,包括:

11.根据权利要求10所述的装置,其中,所述至少一个表面积增强结构包括从所述散热设备的所述第二表面延伸的至少一个突出部。

12.根据权利要求11所述的装置,其中,所述至少一个突出部由至少一个侧壁和顶表面限定。

13.根据权利要求12所述的装置,其中,所述至少一个沸腾增强材料层接触所述至少一个突出部的所述至少一个侧壁,而不接触所述至少一个突出部的所述顶表面。

14.根据权利要求13所述的装置,其中,所述至少一个沸腾增强材料层接触所述散热设备的所述第二表面。

15.根据权利要求10所述的装置,其中,所述至少一个表面积增强结构包括从所述散热设备的所述第二表面延伸到所述散热设备中的至少一个开口。

16.根据权利要求15所述的装置,其中,所述至少一个开口由至少一个侧壁和底表面限定,并且其中,所述至少一个沸腾增强材料层接触所述至少一个开口的所述至少一个侧壁和所述底表面。

17.根据权利要求16所述的装置,其中,所述至少一个沸腾增强材料层接触所述至少一个开口的所述至少一个侧壁和所述底表面,而不接触所述散热设备的所述第二表面。

18.根据权利要求15所述的装置,其中,所述至少一个表面积增强结构包括从所述散热设备的所述第一表面穿过所述散热设备延伸到所述散热设备的所述第二表面的至少一个开口。

19.一种系统,包括:

20.根据权利要求19所述的系统,其中,所述至少一个表面积增强结构包括从所述散热设备的所述第二表面延伸的至少一个突出部。

21.根据权利要求20所述的系统,其中,所述至少一个突出部由至少一个侧壁和顶表面限定。

22.根据权利要求21所述的系统,其中,所述至少一个沸腾增强材料层接触所述至少一个突出部的所述至少一个侧壁,而不接触所述至少一个突出部的所述顶表面。

23.根据权利要求19所述的系统,其中,所述至少一个表面积增强结构包括从所述散热设备的所述第二表面延伸到所述散热设备中的至少一个开口。

24.根据权利要求23所述的系统,其中,所述至少一个开口由至少一个侧壁和底表面限定,并且其中,所述至少一个沸腾增强材料层接触所述至少一个开口的所述至少一个侧壁和所述底表面。

25.根据权利要求23所述的系统,其中,所述至少一个表面积增强结构包括从所述散热设备的所述第一表面穿过所述散热设备延伸到所述散热设备的所述第二表面的至少一个开口。


技术总结
一种用于集成电路组件的两相浸没冷却系统可以利用热耦接到至少一个集成电路设备的散热设备形成,其中,散热设备可以包括表面积增强结构和在表面积增强结构上的沸腾增强材料层,例如微孔材料。

技术研发人员:A·阿德比义,J-Y·张,D·库尔卡尼
受保护的技术使用者:英特尔公司
技术研发日:
技术公布日:2024/1/11
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