:本发明属于半导体封装,特别涉及一种硅基帽代替金属盖的传感器封装结构。
背景技术
0、
背景技术:
1、随着电子信息技术的飞速发展,ai智能、物联网、高性能处理器产品对半导体传感器封装器件的需求量也越来越大,半导体封装是半导体传感器封装器件的重要工序,常规的封装结构采用金属盖的方案,该方案存在封装成本高、贴金属盖的过程中容易因粘接不牢而导致掉盖子的问题,因此很有必要开发一种新的封装结构来降低封装成本,并提高封装结构产品的质量。
2、公开于该背景技术部分的信息仅仅旨在增加对本发明的总体背景的理解,而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。
技术实现思路
0、
技术实现要素:
1、本发明的目的在于提供一种硅基帽代替金属盖的传感器封装结构及封装方法,从而克服上述现有技术中的缺陷。
2、为了实现上述目的,本发明提供了一种硅基帽代替金属盖的传感器封装结构,包括封装壳和在封装壳内从下到上依次设置的基板、第一胶粘层、集成电路芯片、第二胶粘层和传感器芯片,所述基板和集成电路芯片连有第一导线,集成电路芯片和传感器芯片连有第二导线,所述传感器芯片包括晶圆盖和传感器晶圆,所述晶圆盖表面裸露在封装壳外且表面设有若干小孔,所述晶圆盖和传感器晶圆键合成一体且若干小孔下形成空腔型。
3、进一步的,作为优选,所述第一胶粘层采用热塑胶,第一胶粘层采用烘烤的方式将基板和集成电路芯片进行粘接。
4、进一步的,作为优选,所述第二胶粘层采用硅胶,厚度大于50μm。
5、进一步的,作为优选,所述小孔的直径小于25μm。
6、一种硅基帽代替金属盖的传感器的封装方法,包括以下步骤:
7、s1:准备基板,将集成电路芯片用第一胶粘层粘接固定在基板上;
8、s2:准备1片晶圆盖和1片传感器晶圆,在晶圆盖上打上一定数量的小孔,再将晶圆盖与传感器晶圆键合成一体,其中小孔下方形成空腔型;
9、s3:将键合成一体的晶圆盖和传感器晶圆进行减薄划片形成传感器芯片,用第二胶粘层将传感器芯片粘接到集成电路芯片上;
10、s4:将基板和集成电路芯片接上第一导线,集成电路芯片和传感器芯片接上第二导线,使得基板、集成电路芯片和传感器芯片互联导通;
11、s5:采用开放式封装技术,在基板、第一胶粘层、集成电路芯片、第二胶粘层和传感器芯片外封装封装壳,形成封装体结构整体。
12、进一步的,作为优选,所述s2采用tsv技术进行打孔。
13、进一步的,作为优选,所述s5封装后传感器芯片表面裸露在封装壳外。
14、与现有技术相比,本发明的一个方面具有如下有益效果:
15、(1)本发明采用晶圆盖代替传统的金属盖,可降低传感器封装结构产品的成本;
16、(2)晶圆盖与传感器晶圆键合成一体,避免了常规的金属盖贴合的工艺,可避免因粘接不牢而导致掉盖子的问题,可提高传感器封装结构产品的质量。
1.一种硅基帽代替金属盖的传感器封装结构,其特征在于,包括封装壳(1)和在封装壳(1)内从下到上依次设置的基板(2)、第一胶粘层(3)、集成电路芯片(4)、第二胶粘层(5)和传感器芯片(6),所述基板(2)和集成电路芯片(4)连有第一导线(7),集成电路芯片(4)和传感器芯片(6)连有第二导线(8),所述传感器芯片(6)包括晶圆盖(61)和传感器晶圆(62),所述晶圆盖(61)表面裸露在封装壳(1)外且表面设有若干小孔(63),所述晶圆盖(61)和传感器晶圆(62)键合成一体且若干小孔(63)下形成空腔型(64)。
2.根据权利要求1所述的一种硅基帽代替金属盖的传感器封装结构,其特征在于,所述第一胶粘层(3)采用热塑胶,第一胶粘层(3)采用烘烤的方式将基板(2)和集成电路芯片(4)进行粘接。
3.根据权利要求1所述的一种硅基帽代替金属盖的传感器封装结构,其特征在于,所述第二胶粘层(5)采用硅胶,厚度大于50μm。
4.根据权利要求1所述的一种硅基帽代替金属盖的传感器封装结构,其特征在于,所述小孔(63)的直径小于25μm。
5.一种硅基帽代替金属盖的传感器的封装方法,其特征在于,包括以下步骤:
6.根据权利要求5所述的一种硅基帽代替金属盖的传感器的封装方法,其特征在于,所述s2采用tsv技术进行打孔。
7.根据权利要求5所述的一种硅基帽代替金属盖的传感器的封装方法,其特征在于,所述s5封装后传感器芯片(6)表面裸露在封装壳(1)外。