半导体装置的制作方法

本公开涉及一种半导体装置，并且具体地，涉及一种包括场效应晶体管 的半导体装置。

背景技术：

1、半导体装置包括由金属氧化物半导体场效应晶体管(mos-fet)组成的 集成电路。为了满足对具有小图案尺寸和减少的设计规则的半导体装置的日 益增长的需求，mos-fet正在积极地按比例缩小。mos-fet的按比例缩小 会导致半导体装置的操作性质的劣化。已经进行了各种研究以克服与半导体 装置的按比例缩小相关联的技术限制并且实现高性能半导体装置。

技术实现思路

1、提供一种具有改善的电特性的半导体装置是一方面。

2、根据一个或更多个实施例的一方面，半导体装置可以包括：基底，包括 彼此相邻的第一有源区和第二有源区；第一有源图案和第二有源图案，分别 设置在第一有源区和第二有源区上；以及栅电极，延伸以与第一有源图案和 第二有源图案交叉。栅电极可以包括在第一有源区上的第一电极部分和在第 二有源区上的第二电极部分。第二电极部分可以包括顺序地覆盖第二有源图 案的第一金属图案、蚀刻阻挡图案、第二金属图案和第三金属图案。第一电 极部分可以包括覆盖第一有源图案的第二金属图案。蚀刻阻挡图案可以与第一金属图案和第二金属图案接触，并且蚀刻阻挡图案可以比第一金属图案薄 并且比第二金属图案薄。

3、根据一个或更多个实施例的另一方面，一种半导体装置可以包括：基底， 包括彼此相邻的第一有源区和第二有源区；第一有源图案和第二有源图案， 分别设置在第一有源区和第二有源区上；栅电极，延伸以与第一有源图案和 第二有源图案交叉；以及栅极绝缘层，设置在栅电极与第一有源区之间以及 栅电极与第二有源区之间。栅电极可以包括在第一有源区上的第一电极部分 和在第二有源区上的第二电极部分。第二电极部分可以包括顺序地覆盖第二 有源图案的第一金属图案、蚀刻阻挡图案和第二金属图案。第一电极部分可 以包括覆盖第一有源图案的第二金属图案。蚀刻阻挡图案可以与第一金属图 案和第二金属图案接触。蚀刻阻挡图案可以与栅极绝缘层接触。

4、根据一个或更多个实施例的又一方面，半导体装置可以包括：基底，包 括在第一方向上彼此相邻的第一有源区和第二有源区；器件隔离层，填充形 成以限定第一有源区和第二有源区的沟槽；第一有源图案和第二有源图案， 分别设置在第一有源区和第二有源区上；第一源极/漏极图案和第二源极/漏极 图案，分别设置在第一有源图案和第二有源图案上；第一沟道图案和第二沟 道图案，分别连接到第一源极/漏极图案和第二源极/漏极图案，第一沟道图案 和第二沟道图案中的每个包括堆叠以彼此间隔开的第一半导体图案、第二半 导体图案和第三半导体图案；栅电极，在第一方向上延伸以与第一沟道图案 和第二沟道图案交叉；栅极绝缘层，置于栅电极与第一沟道图案之间以及栅 电极与第二沟道图案之间；栅极间隔件，设置在栅电极的侧表面上；栅极覆 盖图案，设置在栅电极的顶表面上；第一层间绝缘层，在栅极覆盖图案上； 有源接触件，穿透第一层间绝缘层并分别结合到第一源极/漏极图案和第二源 极/漏极图案；栅极接触件，穿透第一层间绝缘层并结合到栅电极；第二层间 绝缘层，在第一层间绝缘层上；第一金属层，设置在第二层间绝缘层中，第 一金属层包括分别电连接到有源接触件和栅极接触件的下互连线；第三层间 绝缘层，在第二层间绝缘层上；以及第二金属层，设置在第三层间绝缘层中。 第二金属层可以包括分别电连接到下互连线的上互连线。栅电极可以包括在 第一有源区上的第一电极部分和在第二有源区上的第二电极部分。第二电极 部分可以包括顺序地覆盖第二有源图案的第一金属图案、蚀刻阻挡图案和第 二金属图案。第一电极部分可以包括覆盖第一有源图案的第二金属图案。蚀 刻阻挡图案可以与第二电极部分的第一金属图案和第二金属图案接触。蚀刻阻挡图案可以比第二电极部分的第一金属图案薄并且比第二电极部分的第二 金属图案薄。

技术特征：

1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，基底还包括位于第一有源区与第二有源区之间的器件隔离层，并且

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一电极部分的第二金属图案和第二电极部分的第二金属图案具有相同的厚度并且包括相同的材料。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，基底还包括位于第一有源区与第二有源区之间的器件隔离层，并且

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，蚀刻阻挡图案包括相对于第二电极部分的第一金属图案具有蚀刻选择性的材料。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，蚀刻阻挡图案包括tialn、tialc、tin和tan中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，基底还包括位于第一有源区与第二有源区之间的器件隔离层，

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，蚀刻阻挡图案从所述端部部分延伸到器件隔离层上的区域。

9.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，第二有源图案包括顺序地堆叠的半导体图案，并且

10.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括位于第二有源图案与第二电极部分之间的栅极绝缘层，

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，第二电极部分的第一金属图案包括彼此间隔开的多个电极部分，半导体图案置于所述多个电极部分之间。

12.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一电极部分还包括覆盖第二金属图案的第三金属图案，并且

13.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一电极部分的第三金属图案连接到第二电极部分的第三金属图案。

14.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

15.根据权利要求14所述的半导体装置，其中，第二有源图案包括顺序地堆叠的半导体图案，并且

16.根据权利要求15所述的半导体装置，其中，第一金属图案延伸到半导体图案的侧表面，并且第一金属图案与栅极绝缘层接触。

17.根据权利要求14所述的半导体装置，其中，基底还包括位于第一有源区与第二有源区之间的器件隔离层，并且

18.根据权利要求14所述的半导体装置，其中，蚀刻阻挡图案包括相对于第二电极部分的第一金属图案具有蚀刻选择性的材料。

19.根据权利要求18所述的半导体装置，其中，蚀刻阻挡图案包括tialn、tialc、tin和tan中的至少一种。

20.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

技术总结
提供了一种半导体装置，所述半导体装置可以包括：基底，包括彼此相邻的第一有源区和第二有源区；第一有源图案和第二有源图案，分别设置在第一有源区和第二有源区上；以及栅电极，延伸以与第一有源图案和第二有源图案交叉。栅电极可以包括分别设置在第一有源区和第二有源区上的第一电极部分和第二电极部分。第二电极部分可以包括顺序地覆盖第二有源图案的第一金属图案、蚀刻阻挡图案、第二金属图案和第三金属图案。第一电极部分可以包括覆盖第一有源图案的第二金属图案。蚀刻阻挡图案可以与第一金属图案和第二金属图案接触，并且蚀刻阻挡图案可以比第一金属图案薄并且比第二金属图案薄。

技术研发人员：朴俊模,朴鍊皓,权旭炫,林健
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/14