可配置电容的制作方法

背景技术：

1、除非本文另有说明，否则本部分所描述的材料不是本申请权利要求的现有技术，也 不会因被纳入本部分而被视为现有技术。

2、开关dc/dc稳压器以及其他电子电路，使用去耦电容来降低输入和输出电压线上的 电压纹波和噪声。电子电路元件的小型化和集成化使得需要多个高密度、小面积的电容。 一种方法是将多个分立电容堆叠在印刷电路板或集成电路封装上。由于分立电容的间隔 有限，这种方法可能导致电容的整体特性较差、电路占用空间较大以及电容之间的板空间浪费。

技术实现思路

1、本公开的各个方面涉及电容，更具体地(尽管不一定仅涉及)涉及集成封装中的可配置电容。

2、根据各方面，提供了一种电容设备。在一些方面，所述电容设备可以包括：半导体衬 底；设置在所述半导体衬底上的电容，包括第一正端子和第二正端子以及第一负端子和第二负端子；在所述电容上形成的钝化层、所述第一和第二正端子以及所述第一和第二 负端子，所述钝化层在所述第一正端子上限定第一开口，在所述第二正端子上限定第二 开口，在所述第一负端子上限定第三开口，在所述第二负端子上限定第四开口；设置在 所述钝化层上的第一金属凸块，包括延伸穿过所述第一开口和所述第二开口中每个开口 的第一延伸部分，其将所述第一正端子电耦合至所述第二正端子；设置在所述钝化层上 的第二金属凸块，包括延伸穿过所述第三开口和所述第四开口中每个开口的第二延伸部 分，其将所述第一负端子电耦合至所述第二负端子。

3、根据各方面，提供了一种设备。在一些方面，所述设备可以包括：半导体衬底；设置在所述半导体衬底上且电耦合在第一对金属端子和第二对金属端子之间的第一电容，其中，所述第一对金属端子和第二对金属端子设置在所述半导体衬底的第一表面上；设置 在所述半导体衬底上且电耦合在第三对金属端子和第四对金属端子之间的第二电容，其 中，所述第三对金属端子和第四对金属端子设置在所述半导体衬底的所述第一表面上； 设置在所述半导体衬底的所述第一表面的钝化层，其至少横跨所述第一、第二、第三和 第四对金属端子；所述钝化层限定的一对第一开口以及设置在所述一对第一金属端子上 的所述一对第一开口的各自开口；所述钝化层限定的一对第二开口以及设置在所述一对 第二金属端子上的所述一对第二开口的各自开口；所述钝化层限定的一对第三开口以及 设置在所述一对第三金属端子上的所述一对第三开口的各自开口；所述钝化层限定的一 对第四开口以及设置在所述一对第四金属端子上的所述一对第四开口各自的开口；设置 在所述钝化层上的第一金属凸块，其通过所述一对第一开口将所述一对第一金属端子电 耦合在一起；设置在所述钝化层上的第二金属凸块，其通过所述一对第二开口将所述一 对第二金属端子电耦合在一起；设置在所述钝化层上的第三金属凸块，其通过所述一对 第三开口将所述一对第三金属端子电耦合在一起；设置在所述钝化层上的第四金属凸块， 其通过所述一对第四开口将所述一对第四金属端子电耦合在一起。

4、根据各方面，提供了一种设备。在一些方面，所述设备可以包括：半导体衬底；设置在所述半导体衬底上且电耦合在第一端子和第二端子之间的第一电容；设置在所述半导体衬底上且电耦合在第三端子和第四端子之间的第二电容；设置于所述半导体衬底的第一表面的钝化层，其限定形成于所述第一端子上的第一开口、形成于所述第二端子上的 第二开口、形成于所述第三端子上的第三开口和形成于所述第四端子上的第四开口；设 置在所述钝化层上的第一金属凸块，其通过所述第一开口和所述第三开口分别与所述第 一端子和所述第三端子电耦合；设置在所述钝化层上的第二金属凸块，其通过所述第二 开口和所述第四开口分别与所述第二端子和所述第四端子电耦合。

技术特征：

1.一种电容设备，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的电容设备，其特征在于，所述第一正端子和所述第二正端子以及所述第一负端子和所述第二负端子各自包括延伸穿过所述半导体衬底表面的平行金属迹线。

3.根据权利要求1所述的电容设备，其特征在于，所述第一金属凸块和所述第二金属凸块为铜柱，所述铜柱被配置为电耦合且机械耦合至基板。

4.根据权利要求1所述的电容设备，其特征在于，所述电容还包括第三和第四正端子以及第三和第四负端子。

5.根据权利要求4所述的电容设备，其特征在于，所述钝化层在所述第三正端子上限定第五开口，在所述第四正端子上限定第六开口，在所述第三负端子上限定第七开口，在所述第四负端子上限定第八开口。

6.根据权利要求5所述的电容设备，其特征在于，还包括设置在所述钝化层上的第三金属凸块，所述第三金属凸块包括延伸穿过所述第五开口和所述第六开口中每个开口的第三延伸部分，其将所述第三正端子电耦合至所述第四正端子；和

7.根据权利要求6所述的电容设备，其特征在于，所述第一金属凸块和所述第三金属凸块排列成第一列，所述第二金属凸块和所述第四金属凸块排列成第二列。

8.一种设备，其特征在于，包括：

9.根据权利要求8所述的设备，其特征在于，所述第一电容具有第一电容值，所述第二电容具有第二电容值，所述第一电容值与所述第二电容值不同。

10.根据权利要求8所述的设备，其特征在于，所述第一电容具有第一电容值，所述第二电容具有第二电容值，所述第一电容值等于所述第二电容值。

11.根据权利要求8所述的设备，其特征在于，所述第一、第二、第三和第四对端子各自包括延伸穿过所述半导体衬底的所述第一表面的平行金属迹线。

12.根据权利要求8所述的设备，其特征在于，所述第一金属凸块、所述第二金属凸块、所述第三金属凸块和所述第四金属凸块为铜柱，所述铜柱被配置为电耦合且机械耦合至基板。

13.根据权利要求8所述的设备，其特征在于，所述第一和第三对金属端子分别为所述第一和第二电容的负端子，所述第二和第四对金属端子分别为所述第一和第二电容的正端子。

14.根据权利要求13所述的设备，其特征在于，所述第一对金属端子中的至少一个金属端子电耦合至所述第三对金属端子中的至少一个金属端子。

15.一种设备，其特征在于，包括：

16.根据权利要求15所述的设备，其特征在于，所述第一电容具有第一电容值，所述第二电容具有第二电容值，所述第一电容值与所述第二电容值不同。

17.根据权利要求15所述的设备，其特征在于，所述第一电容具有第一电容值，所述第二电容具有第二电容值，所述第一电容值等于所述第二电容值。

18.根据权利要求15所述的设备，其特征在于，所述第一电容通过所述第一金属凸块和所述第二金属凸块与所述第二电容并联耦合。

19.根据权利要求15所述的设备，其特征在于，所述第一电容通过所述第一金属凸块和所述第二金属凸块与所述第二电容串联耦合。

20.根据权利要求15所述的设备，其特征在于，所述第一金属凸块和所述第二金属凸块为铜柱，所述铜柱被配置为电耦合且机械耦合至基板。

技术总结
一种电容设备包括：半导体衬底；设置在所述半导体衬底上的电容，包括第一正端子和第二正端子以及第一负端子和第二负端子；在所述电容上形成的钝化层、所述第一和第二正端子以及所述第一和第二负端子，所述钝化层分别在所述第一和第二正端子上限定第一和第二开口，在所述第一负端子上限定第三开口，在所述第二负端子上限定第四开口；设置在所述钝化层上的第一金属凸块，包括延伸穿过所述第一开口和所述第二开口中的每个开口的第一延伸部分，其将所述第一正端子和所述第二正端子电耦合；设置在所述钝化层上的第二金属凸块，包括延伸穿过所述第三开口和所述第四开口中每个开口的第二延伸部分，其将所述第一负端子与所述第二负端子电耦合。

技术研发人员：P·奥克,T·A·菲利普斯,T·罗西格,黄毓慧,A·德米纳西亚斯
受保护的技术使用者：予力半导体公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/11