电介质组合物和电子部件的制作方法

本发明涉及一种电介质组合物和电子部件。

背景技术：

1、例如，如专利文献1所示，开发了不含铅或碱金属而具有高的相对介电常数的电介质组合物。

2、但是，新开发的新型的电介质组合物存在如果不以高温进行烧成则无法得到高密度的电介质的问题。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：日本特开2000-103671号公报

技术实现思路

1、发明所要解决的技术问题

2、本发明是鉴于这样的现状作出的，其目的在于提供一种即使以比较低的温度进行烧成也能够得到高密度的新型的电介质组合物。

3、用于解决技术问题的手段

4、本发明所涉及的电介质组合物含有钡和锶中的至少一种以及钽作为主成分，并且含有钙和硅作为副成分。

5、本发明所涉及的电介质组合物即使以比较低的温度进行烧成，密度也高，并且相对介电常数也高。作为其理由，认为是以下的事项。

6、认为通过作为本发明所涉及的电介质组合物的副成分含有钙和硅，构成主成分的元素经由副成分而变得容易移动。其结果，认为即使对电介质组合物以比较低的温度进行烧成也能够提高密度。另外，也能够提高相对介电常数。

7、所述主成分优选包含锶。

8、由此，即使对电介质组合物以比较低的温度进行烧成，也能够进一步提高密度，并且能够进一步提高相对介电常数。

9、所述主成分优选包含钡和锶。

10、由此，即使对电介质组合物以比较低的温度进行烧成，也能够进一步提高密度，并且能够进一步提高相对介电常数。

11、所述副成分优选还包含钡。

12、由此，即使对电介质组合物以比较低的温度进行烧成，也能够进一步提高密度，并且能够进一步提高相对介电常数。

13、将所述电介质组合物的总量设为100质量份时，

14、钙和硅的合计含量在将钙的原子价设定为2价、将硅的原子价设定为4价时以氧化物换算优选为0.5～10质量份。

15、所述主成分优选以{baxsr(1-x)}mta4o12表示，x为0.75以下。由此，相对介电常数进一步变高，并且密度也进一步变高。进一步，电阻率变高，并且介电损耗变低。

16、m优选为1.8～2.2。由此，相对介电常数进一步变高，并且密度和电阻率进一步变高，并且介电损耗进一步变低。

17、所述主成分的结晶的晶系优选为四方晶系。

18、本发明所涉及的电介质组合物优选实质上不含铌、碱金属和铅。

19、另外，本发明所涉及的电子部件具备上述的电介质组合物。

1.一种电介质组合物，其中，

2.如权利要求1所述的电介质组合物，其中，

3.如权利要求1所述的电介质组合物，其中，

4.如权利要求1所述的电介质组合物，其中，

5.如权利要求1所述的电介质组合物，其中，

6.如权利要求1所述的电介质组合物，其中，

7.如权利要求6所述的电介质组合物，其中，

8.一种电子部件，其中，