清洁方法、基板的处理方法以及等离子体处理装置与流程

本公开的示例性实施方式涉及清洁方法、基板的处理方法以及等离子体处理装置。

背景技术：

1、作为抑制静电吸盘表层因残留电荷导致吸附的技术，存在专利文献1中记载的技术。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2014-56928号公报

技术实现思路

1、在清洁等离子体处理装置时，静电吸盘表面带电。本公开提供能够降低静电吸盘表面的带电量的技术。

2、在本公开的一个示例性实施方式中，提供一种清洁方法，具有：(a)在等离子体处理装置的腔室内的静电吸盘上没有保持基板的状态下，在腔室内生成等离子体的工序；以及(b)在(a)的生成等离子体的状态下，向静电吸盘施加电压而降低静电吸盘表面的带电量的工序。

3、发明效果

4、根据本公开的一个示例性实施方式，能够提供可降低静电吸盘表面的带电量的技术。

技术特征：

1.一种清洁方法，所述清洁方法是在对基板进行等离子体处理的等离子体处理装置中的清洁方法，具有：

2.根据权利要求1所述的清洁方法，其中，

3.根据权利要求1或2所述的清洁方法，其中，

4.根据权利要求1～3中任一项所述的清洁方法，还具有：

5.根据权利要求4所述的清洁方法，其中，

6.根据权利要求1～5中任一项所述的清洁方法，其中，

7.根据权利要求1～5中任一项所述的清洁方法，其中，

8.根据权利要求1～5中任一项所述的清洁方法，具有：

9.根据权利要求8所述的清洁方法，其中，

10.一种基板的处理方法，具有：

11.一种等离子体处理装置中的基板的处理方法，具有：

12.一种等离子体处理装置，具备：

技术总结
本申请提供能够降低静电吸盘表面的带电量的技术。本申请提供基板的等离子体处理装置中的清洁方法、基板的处理方法以及等离子体处理装置。清洁方法具有(a)在等离子体处理装置的腔室内的静电吸盘上没有保持基板的状态下在腔室内生成等离子体的工序和(b)在生成(a)的等离子体的状态下向静电吸盘施加电压而降低静电吸盘表面的带电量的工序。

技术研发人员：青木裕介,伊藤骏,布施吉贵
受保护的技术使用者：东京毅力科创株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/12