用于双电阻器集成的电子装置及其制造方法与流程

本申请案大体上涉及电子装置，且特定来说，涉及用于双电阻器集成的电子装置及其制造方法。

背景技术：

1、封装式电子装置中的不同薄层电阻的薄膜电阻器的集成为集成电路设计提供灵活性。然而，在晶片制造期间集成高及较低薄层电阻组件涉及不同金属化层级中的电阻器膜的单独沉积、图案化、清洁及可能的退火。这增加制造成本。另外，跨越经处理晶片的薄层电阻不均匀性是一个问题，其抑制关于控制绝对薄层电阻的设计目标。

技术实现思路

1、在一方面中，一种电子装置包含半导体表面层、电介质层、第一电阻器及第二电阻器。所述电介质层在所述半导体表面层上方且所述电介质层具有在正交的第一及第二方向的第一平面中延伸的侧。所述第一电阻器具有相对的第一及第二侧以及凹口。所述第一电阻器的所述第一侧在所述电介质层的所述侧上方且面向所述电介质层的所述侧，且所述第一电阻器的所述第二侧在所述第一及第二方向的第二平面中延伸。所述第一及第二平面沿着与所述第一及第二方向正交的第三方向间隔开。所述凹口沿着所述第三方向延伸到所述第一电阻器的所述第二侧中。所述第二电阻器具有相对的第一及第二侧且沿着所述第一及第二方向中的一者与所述第一电阻器间隔开。所述第二电阻器的所述第一侧在所述电介质层的所述侧上方且面向所述电介质层的所述侧，且所述第二电阻器的所述第二侧在所述第二平面中延伸。

2、在另一方面中，一种电阻器包含具有相对的第一及第二侧、第一部分、第二部分、第三部分以及凹口的经图案化膜。所述第一侧在正交的第一及第二方向的平面中延伸，且所述第二部分沿着所述第一方向在所述第一与第三部分之间延伸。所述凹口沿着与所述第一及第二方向正交的第三方向延伸到所述第二部分的所述第二侧中。

3、在另一方面中，一种制造电子装置的方法包含：在电介质层上方形成膜；图案化所述膜以界定第一及第二电阻器；及蚀刻所述第一电阻器的一部分以在所述第一电阻器的侧中产生凹口。

技术特征：

1.一种电子装置，其包括：

2.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述第一电阻器具有第一部分、第二部分及第三部分，所述第二部分沿着所述第一方向在所述第一与第三部分之间延伸，且所述凹口延伸到所述第一电阻器的所述第二部分的所述第二侧中。

3.根据权利要求2所述的电子装置，其中：

4.根据权利要求3所述的电子装置，其进一步包括：

5.根据权利要求2所述的电子装置，其中：所述第一厚度是或更大，且所述第二厚度是或更小。

6.根据权利要求1所述的电子装置，其进一步包括：

7.根据权利要求1所述的电子装置，其中：所述第二电阻器沿着所述第三方向具有或更大的第一厚度，且所述第一电阻器的凹陷部分具有或更小的第二厚度。

8.根据权利要求7所述的电子装置，其中所述第二厚度是或更小。

9.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述第一电阻器及所述第二电阻器包含硅-铬。

10.一种电阻器，其包括：

11.根据权利要求10所述的电阻器，其中：

12.根据权利要求11所述的电阻器，其中所述第二厚度是或更小。

13.根据权利要求11所述的电阻器，其进一步包括：

14.根据权利要求10所述的电阻器，其进一步包括：

15.一种制造电子装置的方法，所述方法包括：

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述第一电阻器具有第一部分、第二部分及第三部分，所述第二部分沿着第一方向在所述第一与第三部分之间延伸，且所述凹口延伸到所述第一电阻器的所述第二部分中；所述方法进一步包括：

17.根据权利要求15所述的方法，其中：

18.根据权利要求17所述的方法，其中所述蚀刻工艺蚀刻所述第一电阻器的所述部分中的所述膜以产生具有20到的第二厚度的所述凹口。

19.根据权利要求15所述的方法，其中蚀刻所述第一电阻器的所述部分以在所述第一电阻器的所述侧中产生所述凹口包含：

20.根据权利要求19所述的方法，其中：

技术总结
本申请的实施例涉及用于双电阻器集成的电子装置及其制造方法。一种电子装置(100)包含电介质层(150)上方的第一薄膜电阻器(121)及第二薄膜电阻器(122)，所述电介质层在正交的第一及第二方向(X、Y)的第一平面中延伸，所述第一电阻器(121)具有：三个部分，其中第二部分(154)在第一与第三部分(153、155)之间延伸；及凹口(R)，其通过受控蚀刻工艺蚀刻到所述第二部分(154)的顶侧(182)中以增加所述第一电阻器(121)的薄层电阻以用于双薄膜电阻器集成。

技术研发人员：B·斯里尼瓦桑,Q-Z·洪,贾维斯·本杰明·雅各布斯
受保护的技术使用者：德州仪器公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/12