用于先进集成电路结构制造的过孔轮廓收缩的制作方法

本公开的实施例属于先进集成电路结构制造的领域，并且特别地，属于用于集成电路结构制造的过孔轮廓收缩方法和所得结构。

背景技术：

1、在过去的几十年里，集成电路中特征的缩小已经成为不断增长的半导体工业背后的驱动力。缩小到越来越小的特征使得能够在半导体芯片的有限基板面积(real estate)上增加功能单元的密度。例如，缩小晶体管尺寸允许在芯片上并入更多数量的存储器或逻辑器件，从而有助于制造具有增加容量的产品。然而，对越来越大容量的驱动并不是没有问题。优化每个器件的性能的必要性变得日益重要。

2、常规和当前已知的制造工艺中的变化性可能会限制将它们进一步扩展到15纳米节点或亚15纳米节点范围的可能性。因此，未来技术节点所需的功能部件的制造可能要求在当前制造工艺中引入新方法或整合新技术，或者用其取代当前制造工艺。

技术实现思路

技术特征：

1.一种集成电路结构，包括：

2.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述电介质衬层不与所述导电互连线接触。

3.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述电介质衬层与所述导电互连线接触。

4.根据权利要求1、2或3所述的集成电路结构，还包括：

5.根据权利要求1、2或3所述的集成电路结构，其中，所述导电互连线包括选自由铜、钴、钌、钨和钼组成的组中的金属。

6.一种集成电路结构，包括：

7.根据权利要求6所述的集成电路结构，其中，所述电介质衬层不与所述导电互连线接触。

8.根据权利要求6所述的集成电路结构，其中，所述电介质衬层与所述导电互连线接触。

9.根据权利要求6、7或8所述的集成电路结构，其中，所述电介质衬层包括硅和氧。

10.根据权利要求6、7或8所述的集成电路结构，其中，所述导电互连线包括选自由铜、钴、钌、钨和钼组成的组中的金属。

11.一种计算设备，包括：

12.根据权利要求11所述的计算设备，还包括：

13.根据权利要求11或12所述的计算设备，还包括：

14.根据权利要求11或12所述的计算设备，还包括：

15.根据权利要求11或12所述的计算设备，其中，所述部件是封装集成电路管芯。

16.一种计算设备，包括：

17.根据权利要求16所述的计算设备，还包括：

18.根据权利要求16或17所述的计算设备，还包括：

19.根据权利要求16或17所述的计算设备，还包括：

20.根据权利要求16或17所述的计算设备，其中，所述部件是封装集成电路管芯。

技术总结
本公开的实施例属于集成电路结构制造的领域。在示例中，一种集成电路结构包括：在导电互连线之上的层间电介质(ILD)层，ILD层在其中具有沟槽，沟槽暴露导电互连线的一部分。电介质衬层沿着ILD层的顶表面并且沿着沟槽的侧壁，电介质衬层在其中具有开口，开口在导电互连线的一部分之上。导电过孔结构在沟槽中并且在电介质衬层的沿着沟槽的侧壁的部分之间，导电过孔结构具有在电介质衬层之下垂直延伸并且与导电互连线的部分接触的部分。

技术研发人员：T·青克,S·维亚斯,W·韩,S·纳斯卡尔,C·H·华莱士
受保护的技术使用者：英特尔公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13