中介结构和包括其的半导体封装的制作方法

本发明构思涉及半导体封装，更具体地，涉及包括中介结构的半导体封装。

背景技术：

1、会期望增加半导体器件的存储容量，同时还提供包括薄且重量轻的半导体器件的半导体封装。正在进行关于提高多个半导体芯片的操作速度的研究以及关于提高半导体封装的结构可靠性的研究。

技术实现思路

1、本发明构思提供了其中结构可靠性得到提高的半导体封装。

2、此外，本发明构思提供了其中制造方法的时间减少的半导体封装。

3、根据本发明构思的一方面，提供了中介结构，其包括：中介基板；中介贯通电极，在垂直方向上延伸到中介基板中；在中介基板上的再分布结构，包括连接到中介贯通电极的再分布图案以及在再分布图案的侧表面和中介基板上的再分布绝缘层；导电柱，在再分布结构上并连接到再分布图案；以及中介绝缘层，在导电柱的侧表面和再分布结构上。

4、根据本发明构思的另一方面，提供了半导体封装，其包括：中介结构，包括：中介基板；在垂直方向上延伸到中介基板中的中介贯通电极；在中介基板上的再分布结构，包括连接到中介贯通电极的再分布图案以及在再分布图案的侧表面和中介基板上的再分布绝缘层；在再分布结构上并连接到再分布图案的导电柱；在导电柱上的芯片连接端子；以及在导电柱的侧表面和芯片连接端子的侧表面以及再分布结构上的中介绝缘层；半导体芯片，在中介结构上并包括：半导体基板，包括有源层；以及芯片焊盘，在半导体基板的下部上，连接到有源层，并接触芯片连接端子；以及模制层，在半导体芯片的侧表面和中介结构上。

5、根据本发明构思的另一方面，提供了半导体封装，其包括：封装基板；中介结构，在封装基板上并包括：中介基板；在垂直方向上延伸到中介基板中的中介贯通电极；再分布结构，提供在中介基板上，并包括连接到中介贯通电极的再分布图案以及在再分布绝缘层的侧表面和中介基板上的再分布绝缘层；导电柱，在再分布结构上并连接到再分布图案；在导电柱上的芯片连接端子；中介绝缘层，在导电柱的侧表面和芯片连接端子的侧表面以及再分布结构上；以及中介连接端子，在中介基板的下部上并连接到封装基板；半导体芯片，在中介结构上并包括：半导体基板，包括有源层；以及芯片焊盘，在半导体基板的下部上，连接到有源层，并接触芯片连接端子；模制层，在半导体芯片的侧表面和中介结构上；以及底部填充层，在中介基板和封装基板之间以及在中介连接端子的侧表面上。

6、根据本发明构思的实施方式的半导体封装包括在半导体基板和中介基板之间的中介绝缘层，因此可以改善在将半导体芯片安装在中介结构上的热压缩接合工艺期间，由于半导体基板和中介基板之间的热膨胀系数差异而发生的半导体封装的翘曲。因此，可以改善半导体封装的接合缺陷并且可以提高半导体封装的结构可靠性。

7、此外，根据本发明构思的制造半导体封装的方法，可以省略在多个半导体芯片与中介结构之间的空间中形成底部填充层的工艺。因此，可以减少制造本发明构思的半导体封装的方法的时间。

技术特征：

1.一种中介结构，包括：

2.根据权利要求1所述的中介结构，还包括在所述导电柱上的芯片连接端子。

3.根据权利要求2所述的中介结构，其中所述中介绝缘层的顶表面和所述芯片连接端子的顶表面共面。

4.根据权利要求2所述的中介结构，其中所述中介绝缘层包括绝缘孔，所述绝缘孔暴露所述芯片连接端子的至少一部分。

5.根据权利要求2所述的中介结构，其中所述导电柱在所述垂直方向上的长度和所述芯片连接端子在所述垂直方向上的长度之和为10微米至50微米。

6.根据权利要求1所述的中介结构，其中所述导电柱包括：

7.根据权利要求6所述的中介结构，还包括：

8.根据权利要求2所述的中介结构，其中所述导电柱的材料包括铜(cu)和镍(ni)中的至少一种，并且所述芯片连接端子的材料包括锡(sn)。

9.一种半导体封装，包括：

10.根据权利要求9所述的半导体封装，其中所述中介绝缘层的顶表面和所述芯片连接端子的顶表面共面。

11.根据权利要求10所述的半导体封装，其中所述半导体基板的底表面和所述中介绝缘层的所述顶表面在所述垂直方向上间隔开，并且所述模制层在所述半导体基板的所述底表面和所述中介绝缘层的所述顶表面之间。

12.根据权利要求9所述的半导体封装，其中所述中介绝缘层的顶表面在比所述芯片连接端子的顶表面高的水平处。

13.根据权利要求12所述的半导体封装，其中所述中介绝缘层的所述顶表面和所述半导体基板的底表面共面。

14.根据权利要求9所述的半导体封装，其中所述导电柱在水平方向上的截面包括圆形、矩形和八边形当中的至少一种形状。

15.根据权利要求9所述的半导体封装，其中所述半导体芯片的所述芯片焊盘在所述垂直方向上的长度为1微米至5微米。

16.根据权利要求9所述的半导体封装，其中所述模制层的侧表面、所述中介绝缘层的侧表面、所述再分布结构的侧表面和所述中介基板的侧表面在同一平面上。

17.一种半导体封装，包括：

18.根据权利要求17所述的半导体封装，还包括热沉，所述热沉在所述封装基板、所述中介结构的侧表面、以及所述模制层的侧表面和顶表面上。

19.根据权利要求17所述的半导体封装，其中所述中介绝缘层的顶表面和所述芯片连接端子的顶表面共面，

20.根据权利要求17所述的半导体封装，其中所述中介绝缘层的顶表面在比所述芯片连接端子的顶表面高的水平处，以及

技术总结
一种中介结构包括：中介基板；中介贯通电极，在垂直方向上穿透中介基板；再分布结构，在中介基板上并包括连接到中介贯通电极的再分布图案以及在中介基板上在再分布图案的侧表面上的再分布绝缘层；导电柱，在再分布结构上并连接到再分布图案；以及中介绝缘层，在再分布结构上在导电柱的侧表面上。

技术研发人员：卢宝仁,安正勋
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/12