半导体激光退火制作及系统的制作方法

背景技术：

1、实例性实施例涉及举例来说关于集成电路(ic)中的激光退火结构的半导体制作。

2、半导体ic遍及电子装置的所有方式，且改进操作、可靠性、一致性及成本/合格率的努力已经且是这些装置过去及正在进行的演进的一部分。在半导体制作中，退火及在一些实例中激光退火已被用于例如先进互补金属氧化物半导体(cmos)技术中。激光退火，有时称为激光尖峰退火(lsa)，通常会活化cmos掺杂剂、可用于实现更精确的边界(例如浅结及突变结)，且可校正植入损伤(举例来说，在更长的退火持续时间下)。

3、尽管激光退火提供了特定益处，但其还可包含一些限制。举例来说，已观察到薄膜或其它电路特征边界附近的激光衍射在激光中产生光强度振荡或其它图案干涉，这可能发生在经照射区具有测量小于激光波长的属性的情况下。光强度振荡最终将通过热扩散而稳定下来，但随后会产生残余温度梯度。因此，取决于局部薄膜或其它边界条件，由光束产生的热量会变化且所述变化相应地影响掺杂剂活化的量。掺杂剂活化变化可导致ic有源层及/或多晶硅层中的不期望电阻变化(失配)。事实上，在一些电路中，组件与组件‘匹配’要求至关重要(例如在模拟电路设计中)，且特定其它电路组件(例如带隙)也具有相对较高组件准确度要求。

4、因此，可需要提供ic制作退火，且本文件提供了可改进某些上述概念的实例性实施例，如下文详述。

技术实现思路

1、描述一种形成集成电路的方法。所述方法包括首先，将半导体晶片定位在处理室中，且其次，对所述半导体晶片的至少一部分进行激光退火。所述激光退火包含使第一激光束跨越所述半导体晶片的所述至少一部分以具有第一方向的第一路径进行描划，使第二激光束跨越所述半导体晶片的所述至少一部分以具有与所述第一方向相反且共线的第二方向的第二路径进行描划。

2、还描述及主张其它方面。

技术特征：

1.一种形成集成电路的方法，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体晶片的所述至少一部分包含所述半导体晶片中的经掺杂剂植入的特征。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述经掺杂剂植入的特征包含晶体管或电阻器的一部分。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述激光退火进一步包含：

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述半导体晶片的所述至少一部分包含所述半导体晶片中的经掺杂剂植入的特征。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述经掺杂剂植入的特征包含晶体管或电阻器的一部分。

7.根据权利要求4所述的方法，且其进一步包含：

8.根据权利要求7所述的方法：

9.根据权利要求1所述的方法，且其进一步包含：

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体晶片的所述至少一部分包含所述半导体晶片上的集成电路区。

11.根据权利要求10所述的方法：

12.根据权利要求10所述的方法：

13.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体晶片的所述至少一部分包含所述半导体晶片上的多个集成电路区。

14.一种形成集成电路的方法，所述方法包括：

15.根据权利要求14所述的方法，且其进一步包含：

16.根据权利要求14所述的方法且其进一步包含：第三，使激光束跨越所述半导体晶片的所述至少一部分在第三方向上进行扫描，并接着使激光束在与所述第三方向共线且相反的第四方向上进行扫描。

17.根据权利要求16所述的方法，其中所述第三方向及所述第四方向中的每一者正交于所述第一方向及所述第二方向。

18.根据权利要求16所述的方法，且其进一步包含：

19.根据权利要求14所述的方法：

20.根据权利要求14所述的方法：

技术总结
本发明描述一种形成集成电路的方法(600)。所述方法首先(604)将半导体晶片定位在处理室中，且其次对所述半导体晶片的至少一部分进行激光退火(606)。所述激光退火包含使第一激光束跨越所述半导体晶片的所述至少一部分以具有第一方向的第一路径进行描划(608)，使第二激光束跨越所述半导体晶片的所述至少一部分以具有与所述第一方向相反且共线的第二方向的第二路径进行描划。

技术研发人员：柏向正,闻煌春
受保护的技术使用者：德州仪器公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13