半导体装置及电力变换装置的制作方法

本发明涉及半导体装置及电力变换装置。

背景技术：

1、半导体装置的封装树脂具有彼此相对的第1侧面和第2侧面。信号端子等施加微电压的多个控制端子从第1侧面引出，输出端子等施加高电压的多个主端子从第2侧面引出(例如，参照专利文献1)。

2、专利文献1：日本特开2019-114640号公报

3、在相邻的主端子之间，在封装树脂的第2侧面设置凹部，从而能够确保相邻的主端子间的沿面距离。但是，半导体芯片与被导线键合的主端子的键合部以在相邻的主端子之间与第2侧面相对的方式存在于封装树脂的内部。由于无法将进行导线键合的键合部设得小，因此在端子间区域无法确保设置凹部的空间。

技术实现思路

1、本发明就是为了解决上述那样的课题而提出的，其目的在于，得到能够小型化的半导体装置及电力变换装置。

2、本发明涉及的半导体装置的特征在于具有：多个半导体芯片；多个控制端子，它们与所述多个半导体芯片连接；多个主端子，它们与所述多个半导体芯片连接，具有比所述控制端子宽的宽度；以及封装树脂，其对所述多个半导体芯片、所述多个控制端子的一部分及所述多个主端子的一部分进行封装，所述封装树脂在俯视观察时呈矩形，具有彼此相对的第1侧面和第2侧面，所述多个控制端子从所述封装树脂的所述第1侧面引出，所述多个主端子从所述封装树脂的所述第2侧面引出，所述多个主端子的每一者在所述封装树脂的内部具有与所述多个半导体芯片中的一者进行导线连接的键合部、与所述键合部相邻的导热部、安装有所述多个半导体芯片中的另一者的安装部，在相邻的所述主端子之间，在所述第2侧面设置凹部，所述导热部的侧面与所述凹部相对，所述键合部的侧面不与所述凹部相对。

3、发明的效果

4、在本发明中，在相邻的主端子之间在与第2侧面相对的区域没有配置键合部而是配置导热部。由于能够将没有进行导线键合的导热部的宽度设得窄，因此在相邻的主端子之间能够确保设置凹部的空间。即使在第2面以凹部的深度的量缩小相邻的主端子的间隔，也能够确保沿面距离。因此，能够通过窄间距化而将产品小型化。

技术特征：

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

7.一种半导体装置，其特征在于，具有：

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，

9.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，

10.根据权利要求7至9中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，

12.根据权利要求5、6、10、11中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

13.根据权利要求5、6、10～12中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

14.根据权利要求13所述的半导体装置，其特征在于，

15.根据权利要求5、6、10～14中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

16.根据权利要求1～15中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

17.根据权利要求1～16中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

18.一种电力变换装置，其特征在于，具有：

技术总结
得到能够小型化的半导体装置及电力变换装置。多个主端子(3)从封装树脂(1)的第2侧面(1b)引出。多个主端子(3)的每一者在封装树脂(1)的内部具有与多个半导体芯片(5<subgt;HU</subgt;、5<subgt;HV</subgt;、5<subgt;HW</subgt;)中的一者进行导线连接的键合部(9<subgt;HU</subgt;、9<subgt;HV</subgt;、9<subgt;HW</subgt;)、与键合部(9<subgt;HU</subgt;、9<subgt;HV</subgt;、9<subgt;HW</subgt;)相邻的导热部(6<subgt;HU</subgt;、6<subgt;HV</subgt;、6<subgt;HW</subgt;)、安装有多个半导体芯片(5<subgt;LU</subgt;、5<subgt;LV</subgt;、5<subgt;LW</subgt;)中的一者的安装部(8<subgt;HU</subgt;、8<subgt;HV</subgt;、8<subgt;HW</subgt;)。在相邻的主端子(3)之间，在第2侧面1b设置有凹部(10)。导热部(6<subgt;HU</subgt;、6<subgt;HV</subgt;、6<subgt;HW</subgt;)的侧面与凹部(10)相对，键合部(9<subgt;HU</subgt;、9<subgt;HV</subgt;、9<subgt;HW</subgt;)的侧面不与凹部(10)相对。

技术研发人员：柴田祥吾,横山脩平,池田直辉
受保护的技术使用者：三菱电机株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13