半导体封装装置的制作方法

本公开有关于一种电子装置，特别是有关于一种以特殊线路结构保护信号走线的半导体封装装置。

背景技术：

1、扇出(fan-out)封装芯片的重布线层需横跨芯片与封装材料，造成重布线层的信号走线在异质交界区域承受较大应力，导致重布线层的线路容易脱层或破裂。

技术实现思路

1、根据本公开的一实施例，提供一种半导体封装装置，包括：一芯片；以及一重布线层，设置于该芯片上并电性连接该芯片，该重布线层包括多个第一金属线与多个第二金属线，其中至少一该多个第二金属线设置于两相邻该多个第一金属线之间，该至少一该多个第二金属线与两相邻该多个第一金属线的夹角大于或等于0度且小于或等于10度，且两相邻该多个第一金属线的其中之一的第一宽度大于该至少一该多个第二金属线的第二宽度。

技术特征：

1.一种半导体封装装置，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体封装装置，其特征在于，该多个第一金属线为接地走线。

3.如权利要求1所述的半导体封装装置，其特征在于，该第一宽度大于或等于两倍该第二宽度。

4.如权利要求1所述的半导体封装装置，其特征在于，该至少一该多个第二金属线电性连接该芯片。

5.如权利要求1所述的半导体封装装置，其特征在于，两相邻该多个第一金属线的其中之一具有一第一部分与一第二部分，该第二部分连接该第一部分，该第一部分重叠该芯片，且该第一部分与该第二部分的宽度不同。

6.如权利要求1所述的半导体封装装置，更包括一保护层，围绕该芯片。

7.如权利要求6所述的半导体封装装置，其特征在于，该保护层至少接触该芯片的两侧面。

8.如权利要求1所述的半导体封装装置，更包括多个接合垫，与该多个第一金属线及该多个第二金属线的端点对应设置，且两相邻该多个接合垫的距离大于或等于4倍该第一宽度且小于或等于8倍该第一宽度。

9.如权利要求1所述的半导体封装装置，其特征在于，该至少一该多个第二金属线与两相邻该多个第一金属线的间距小于或等于两倍该第二宽度。

10.如权利要求6所述的半导体封装装置，其特征在于，该至少一该多个第二金属线与两相邻该多个第一金属线横跨该芯片与该保护层之间。

技术总结
本公开提供一种半导体封装装置，包括：一芯片；以及一重布线层，设置于该芯片上并电性连接该芯片，该重布线层包括多个第一金属线与多个第二金属线，其中至少一该多个第二金属线设置于两相邻该多个第一金属线之间，该至少一该多个第二金属线与两相邻该多个第一金属线的夹角大于或等于0度且小于或等于10度，且两相邻该多个第一金属线的其中之一的第一宽度大于该至少一该多个第二金属线的第二宽度。

技术研发人员：林德勋,廖文祥,陈美燕,施铭贤,陈永锋,王程麒
受保护的技术使用者：群创光电股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/5/19