一种LED晶圆片镀膜方法与流程

本发明涉及led芯片，具体涉及一种led晶圆片镀膜方法。

背景技术：

1、在led芯片领域，经常应用真空蒸镀机在晶圆片上蒸镀电极。真空蒸镀是指在真空条件下，使用一定温度加热蒸发镀膜材料(或称膜料)，使之气化，气体粒子飞至晶圆片表面凝聚成膜的工艺方法。

2、现有技术中，led电极的蒸镀技术多为中心蒸镀，即镀源在旋转的镀锅下方，并且镀源在镀锅的旋转轴线上的蒸镀方法。这种方法蒸镀出来的电极侧壁角度较陡(电极的截面近似梯形，且“侧壁角度较陡”意味着梯形的四个角更接近90度)，不利于电极保护层对电极的保护。

技术实现思路

1、本发明所要解决的技术问题是：提供一种led晶圆片镀膜方法，解决蒸镀的电极侧壁较陡的问题。

2、为了解决上述技术问题，本发明采用的一种技术方案为：一种led晶圆片镀膜方法，包括如下步骤：

3、s1：将晶圆片设置在蒸镀机的镀锅上；将镀源设置在镀锅下方；

4、s2：水平方向上，设置镀源到镀锅的公转轴线的距离为镀锅的公转半径的0.3-0.5倍；

5、s3：将镀料放置到镀源上；

6、s4：设置镀源开始蒸镀的同时，设置镀锅公转转速6-10rpm，镀锅绕自身轴线自转，自转速度250-300°/s；

7、s5：完成晶圆片的电极蒸镀。

8、本发明的有益效果(请参考附图1)：传统的电极蒸镀工艺需要在晶圆片上涂抹光刻胶，显影光刻胶，形成截面为梯形的光刻孔。

9、第一镀源点对应传统的电极蒸镀工艺，第一镀源点在镀锅公转轴线上，第一镀源点的镀料的升华镀膜移动路径为第一蒸镀路径；

10、本发明的镀源设置在第二镀源点上，第二镀源点的镀料的升华镀膜移动路径为第二蒸镀路径；

11、传统的电极蒸镀工艺中，晶圆片表面通常与第一蒸镀路径垂直，以保证蒸镀出对称的电极；本发明中，镀源到镀锅公转轴线的距离为镀锅公转半径的二分之一到三分之一，对比第一蒸镀路径和第二蒸镀路径不难发现，在光刻孔的上侧，由于光刻胶的阻挡，第一镀源点的镀料壁第二镀源点的镀料覆盖了更少的晶圆片表面。

12、本发明的镀源可能蒸镀出不对称的电极，故而设置镀锅自转，使电极对称。

13、故使用本发明提供的led晶圆片镀膜方法蒸镀出的电极，电极侧壁与晶圆片表面的坡度平缓，在这种电极上设置电极保护层，电极保护层能更好的保护电极。

技术特征：

1.一种led晶圆片镀膜方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的led晶圆片镀膜方法，其特征在于，所述s1具体为：将晶圆片设置在蒸镀机的半径300-360mm的镀锅上；将镀源设置在镀锅下方。

3.根据权利要求1所述的led晶圆片镀膜方法，其特征在于，所述s1具体为：将晶圆片设置在蒸镀机的镀锅上；将镀源设置在镀锅下方；竖直方向上，镀源到镀锅表面中心的距离为600-700mm。

4.根据权利要求1所述的led晶圆片镀膜方法，其特征在于，所述s1具体为：将晶圆片设置在蒸镀机的镀锅上；将镀源设置在镀锅下方；设置镀锅表面与水平面的夹角为39-43度。

5.根据权利要求1所述的led晶圆片镀膜方法，其特征在于，所述s2具体为：设置镀锅50-60cm的公转半径；设置镀源到镀锅的公转轴线水平方向上的距离为18-27.5cm。

6.根据权利要求1所述的led晶圆片镀膜方法，其特征在于，所述s4的“设置镀源开始蒸镀的同时”具体为：设置镀源的蒸镀温度800-1500度的同时，设置制程温度50-70度。

7.根据权利要求1所述的led晶圆片镀膜方法，其特征在于，所述s3的镀料为黄金；所述s4具体为：设置镀源的蒸镀温度1064度的同时，设置制程温度60度；设置镀锅公转转速6-10rpm，镀锅绕自身轴线自转，自转速度250-300°/s。

8.根据权利要求1所述的led晶圆片镀膜方法，其特征在于，所述s4具体为：设置镀源开始蒸镀的同时，设置镀锅公转转速8rpm，镀锅绕自身轴线自转，自转速度265°/s。

技术总结
本发明涉及LED芯片技术领域，具体涉及一种LED晶圆片镀膜方法，包括如下步骤：S2：设置镀锅50‑60cm的公转半径；水平方向上，设置镀源距离镀锅的公转轴线18‑27.5cm；S4：设置镀源开始蒸镀的同时，设置镀锅公转转速6‑10rpm，镀锅绕自身轴线自转，自转速度250‑300°/S；本发明的有益效果：使用本发明提供的LED晶圆片镀膜方法蒸镀出的电极，电极侧壁与晶圆片表面的坡度平缓，在这种电极上设置电极保护层，电极保护层能更好的保护电极。

技术研发人员：李文浩,林武,尚大可
受保护的技术使用者：福建兆元光电有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13