光检测元件的制作方法

本发明涉及光检测元件。

背景技术：

1、光电转换元件被用于多种用途。

2、例如，在专利文献1中记载有一种使用光电二极管接收光信号的接收装置。光电二极管例如是使用了半导体的pn结的pn结二极管等。另外，例如，在专利文献2中记载有一种使用了半导体的pn结的光传感器及使用了该光传感器的图像传感器。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：日本特开2001-292107号公报

6、专利文献2：美国专利第9842874号说明书

技术实现思路

1、发明所要解决的问题

2、使用了半导体的pn结的光检测元件被广泛利用，但为了进一步的发展而寻求新的光检测元件。另外，光检测元件是将光转换成电信号的元件，寻求将光转换成电信号的效率高且光检测能力高的光检测元件。

3、本发明是鉴于上述问题而创建的，其目的在于提供一种光检测能力高的光检测元件。

4、用于解决问题的技术方案

5、为了解决上述问题，提供以下方案。

6、(1)第一方面提供一种光检测元件，其具备在被光照射时产生电压的光感受层、第一电极、及第二电极，所述光感受层位于所述第一电极和所述第二电极之间，所述第二电极是含有选自钌、钼、及钨中的至少一种元素的金属。

7、(2)根据上述方面的光检测元件，所述第一电极也可以为透明电极。

8、(3)根据上述方面的光检测元件，也可以向所述光感受层照射400nm以上且1500nm以下的波长的光。

9、(4)根据上述方面的光检测元件，所述光感受层也可以具备第一铁磁性层、第二铁磁性层、及位于所述第一铁磁性层和所述第二铁磁性层之间的间隔层。

10、发明效果

11、上述方式的光检测元件的光检测能力高。

技术特征：

1.一种光检测元件，其中，

2.根据权利要求1所述的光检测元件，其中，

3.根据权利要求1或2所述的光检测元件，其中，

4.根据权利要求1～3中任一项所述的光检测元件，其中，

技术总结
本发明提供一种光检测能力高的光检测元件。该光检测元件具备在被照射光时产生电压的光感受层、第一电极以及第二电极，所述光感受层位于所述第一电极和所述第二电极之间，所述第二电极是含有选自钌、钼、及钨中的至少一种元素的金属。

技术研发人员：水野友人,福泽英明,柴田哲也
受保护的技术使用者：TDK株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13