半导体封装件及其制造方法与流程

实施例涉及半导体封装件及其制造方法。

背景技术：

1、扇出晶片级封装件是通过使用再分布层而不是印刷电路板来封装半导体芯片而制造的。再分布层可以形成为厚度小于印刷电路板的厚度，并且可以具有相对小型化的覆盖区(footprint)。

技术实现思路

1、实施例涉及一种半导体封装件，包括：第一再分布层；第一半导体芯片，所述第一半导体芯片设置在所述第一再分布层上；模制层，所述模制层设置在所述第一再分布层上以覆盖所述第一半导体芯片的侧表面；第二再分布层，所述第二再分布层设置在所述模制层上；以及连接柱，所述连接柱设置为贯穿所述模制层并被配置为将所述第一再分布层与所述第二再分布层连接。所述连接柱包括：下部区域，所述下部区域在平行于所述第一半导体芯片的上表面的第一方向上具有第一宽度；以及上部区域，所述上部区域与所述下部区域一体连接，并且在所述第一方向上具有小于所述第一宽度的第二宽度。

2、实施例涉及一种半导体封装件，包括：第一再分布层；第一半导体芯片，所述第一半导体芯片设置在所述第一再分布层上；模制层，所述模制层设置在所述第一再分布层上以覆盖所述第一半导体芯片的侧表面；第二再分布层，所述第二再分布层设置在所述模制层上；以及连接柱，所述连接柱设置为贯穿所述模制层并被配置为将所述第一再分布层与所述第二再分布层连接，所述连接柱包括上部区域和下部区域，其中，在所述上部区域与所述下部区域之间的边界处在所述连接柱的靠外的部分限定有台阶部分。

3、实施例涉及一种半导体封装件，包括：第一再分布层；第一半导体芯片，所述第一半导体芯片设置在所述第一再分布层上；模制层，所述模制层设置在所述第一再分布层上以覆盖所述第一半导体芯片的侧表面；第二再分布层，所述第二再分布层设置在所述模制层上；以及连接柱，所述连接柱设置为贯穿所述模制层并被配置为将所述第一再分布层与所述第二再分布层连接，所述连接柱包括上部区域和下部区域，其中，在所述上部区域与所述下部区域之间的边界处在所述连接柱的靠外的部分限定有台阶部分；以及外部连接端子，所述外部连接端子设置在所述第一再分布层的下表面上，其中，所述连接柱包含铜。

4、实施例涉及一种半导体封装件，包括：第一再分布层；第一半导体芯片，所述第一半导体芯片设置在所述第一再分布层上；模制层，所述模制层设置在所述第一再分布层上以覆盖所述第一半导体芯片的侧表面；第二再分布层，所述第二再分布层设置在所述模制层上；以及连接柱，所述连接柱设置为贯穿所述模制层并被配置为将所述第一再分布层与所述第二再分布层连接。所述连接柱包括：下部区域，所述下部区域在平行于所述第一半导体芯片的上表面的第一方向上具有第一宽度；以及上部区域，所述上部区域与所述下部区域一体连接，并且在所述第一方向上具有大于所述第一宽度的第二宽度。

5、实施例涉及一种半导体封装件，包括：第一再分布层；第一半导体芯片，所述第一半导体芯片设置在所述第一再分布层上；模制层，所述模制层设置在所述第一再分布层上以覆盖所述第一半导体芯片的侧表面；第二再分布层，所述第二再分布层设置在所述模制层上；连接柱，所述连接柱设置为贯穿所述模制层并被配置为将所述第一再分布层与所述第二再分布层连接，所述连接柱包括下部区域和上部区域，所述下部区域在平行于所述第一半导体芯片的上表面的第一方向上具有第一宽度，所述上部区域与所述下部区域一体连接并在所述第一方向上具有比所述第一宽度大的第二宽度；以及外部连接端子，所述外部连接端子设置在所述第一再分布层的下表面上，其中，所述连接柱包含铜。

6、实施例涉及一种半导体封装件的制造方法，所述方法包括：在第一载体基板上形成第一再分布层；在所述第一再分布层上形成光刻胶材料层；通过使用包括第一区域、第二区域和第三区域的相移掩模对所述光刻胶材料层执行曝光工艺来形成具有台阶部分的开口，其中，所述第一区域是透射第一波长的光的区域，所述第二区域是不透射所述第一波长的光的区域，所述第三区域是部分透射所述第一波长的光的区域；在所述开口中形成连接柱；以及去除所述光刻胶材料层。

7、实施例涉及一种半导体封装件的制造方法，所述方法包括：在第一载体基板上形成第一再分布层；在所述第一再分布层上形成光刻胶材料层；通过使用包括第一区域、第二区域和第三区域的相移掩模对光刻胶材料层执行曝光工艺来形成具有台阶部分的开口，其中，所述第一区域是透射第一波长的光的区域，所述第二区域是不透射所述第一波长的光的区域，所述第三区域是部分透射所述第一波长的光的区域，其中，所述开口形成在与所述第二区域垂直地交叠的位置处；在所述开口中形成连接柱；以及去除所述光刻胶材料层。

8、实施例涉及一种半导体封装件的制造方法，所述方法包括：在第一载体基板上形成第一再分布层；在所述第一再分布层上形成光刻胶材料层；通过使用包括第一区域、第二区域和第三区域的相移掩模对光刻胶材料层执行曝光工艺来形成具有台阶部分的开口，其中，所述第一区域是透射第一波长的光的区域，所述第二区域是不透射所述第一波长的光的区域，所述第三区域是部分透射所述第一波长的光的区域，其中，所述开口形成在与所述第一区域垂直地交叠的位置处；在所述开口中形成连接柱；以及去除所述光刻胶材料层。

技术特征：

1.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：

2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中：

3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述连接柱包含铜。

4.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中：

5.根据权利要求4所述的半导体封装件，其中：

6.根据权利要求4所述的半导体封装件，其中，所述第一高度与所述第一宽度的比为0.5至5。

7.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中：

8.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述下部区域和所述上部区域具有圆形或椭圆形的水平横截面。

9.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中：

10.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，在所述第一再分布层的下表面上的外部连接端子以扇出结构进行布置。

11.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中：

12.根据权利要求11所述的半导体封装件，其中，所述下部区域、所述中部区域和所述上部区域具有圆形或椭圆形的水平横截面。

13.根据权利要求11所述的半导体封装件，其中：

14.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：

15.根据权利要求14所述的半导体封装件，其中：

16.根据权利要求14所述的半导体封装件，其中：

17.根据权利要求14所述的半导体封装件，其中：

18.根据权利要求17所述的半导体封装件，其中，所述上部区域的底表面的外围被所述模制层覆盖。

19.根据权利要求17所述的半导体封装件，其中：

20.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：

技术总结
本申请提供了半导体封装件及其制造方法。该半导体封装件包括：第一再分布层；第一半导体芯片，该第一半导体芯片设置在该第一再分布层上；模制层，该模制层设置在该第一再分布层上以覆盖该第一半导体芯片的侧表面；第二再分布层，该第二再分布层设置在该模制层上；以及连接柱，该连接柱设置为贯穿该模制层并被配置为将该第一再分布层与该第二再分布层连接。该连接柱包括：下部区域，该下部区域在平行于该第一半导体芯片的上表面的第一方向上具有第一宽度；以及上部区域，该上部区域与该下部区域一体连接，并且在该第一方向上具有小于该第一宽度的第二宽度。

技术研发人员：李知泳
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13