半导体制造装置及半导体装置的制造方法与流程

本发明涉及半导体制造装置及半导体装置的制造方法。

背景技术：

1、以往，在接合半导体装置的金属端子等被接合物时使用超声波接合。超声波接合是一边用工具对被接合物施加载荷，一边通过超声波振动进行接合的方法。

2、例如，在专利文献1中公开了如下超声波接合装置，该超声波接合装置在工具的前端部即加压面设置有多个宽度随着向前端行进而变细的形状的凸起，通过超声波振动，工具产生振幅，多个凸起按压金属端子，由此进行金属接合。

3、专利文献1：日本特开2014-179435号公报

4、但是，就专利文献1所记载的超声波接合装置而言，在工具与金属端子接触时，构成金属端子的金属被排斥，产生须状物。通过使工具的前端的凸起深深地按压金属端子，留在相邻的凸起之间的空间消失，须状物向加压面的外周侧的广阔空间扩展。因此，难以进行须状物的除去作业。

技术实现思路

1、因此，本发明的目的在于提供能够容易地进行须状物的除去作业的技术。

2、本发明涉及的半导体制造装置具有：工具，其一边对金属端子施加载荷，一边通过超声波振动进行接合，所述工具在面向所述金属端子的前端部处的矩形的加压面具有沿第1方向及与所述第1方向交叉的方向即第2方向排列的多个凸起，就多个所述凸起的间隔而言，在所述加压面的所述第1方向上为等间隔，在所述加压面的所述第2方向上内周侧比外周侧大。

3、发明的效果

4、根据本发明，由于在加压面的第2方向上内周侧的凸起的间隔比外周侧大，因此在接合时产生的须状物容易沿加压面的第2方向的内周侧向第1方向扩展。由此，能够限定须状物的产生方向，因此能够容易地进行须状物的除去作业。

技术特征：

1.一种半导体制造装置，其具有：

2.根据权利要求1所述的半导体制造装置，其中，

3.根据权利要求1或2所述的半导体制造装置，其中，

4.根据权利要求1或3所述的半导体制造装置，其中，

5.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体制造装置，其中，

6.根据权利要求1或3所述的半导体制造装置，其中，

7.一种半导体制造装置，其具有：

8.一种半导体装置的制造方法，一边通过工具对金属端子施加载荷，一边通过超声波振动进行接合而对半导体装置进行制造，

9.一种半导体装置的制造方法，一边通过工具对金属端子施加载荷，一边通过超声波振动进行接合而对半导体装置进行制造，

技术总结
涉及半导体制造装置及半导体装置的制造方法。目的在于提供能够容易地进行须状物的除去作业的技术。半导体制造装置具有工具(1)，该工具(1)一边对金属端子(8)施加载荷，一边通过超声波振动进行接合。工具(1)在面向金属端子(8)的前端部处的矩形的加压面(2)具有沿X轴方向及Y轴方向排列的多个凸起(3a、3b、3c)。就多个凸起(3a、3b、3c)的间隔而言，在加压面(2)的X方向上为等间隔，在加压面(2)的Y轴方向上内周侧的间隔比外周侧大。

技术研发人员：家谷祐辅
受保护的技术使用者：三菱电机株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13