显示面板及显示装置的制作方法

文档序号:33953641发布日期:2023-04-26 13:39阅读:39来源:国知局
显示面板及显示装置的制作方法

本发明涉及显示,尤其涉及一种显示面板及具有该显示面板的显示装置。


背景技术:

1、低温多晶氧化物阵列基板(low temperature polycrystalline oxide,ltpo)一般采用低温多晶硅(low temperature poly-silicon,ltps)与金属氧化物诸如铟镓锌氧化物(indium gallium zinc oxide,igzo)两种材料制作薄膜晶体管(thin filmtransistor,tft),其中,ltps负责驱动tft,金属氧化物负责开关tft。ltpo阵列基板拥有电荷迁移率更高、关态漏电流更低的优势,可以降低屏幕工作时整体的功耗,达到省电的目的。

2、但是,在目前具有ltpo阵列基板的显示面板中,低温多晶硅tft的栅极上方形成有电极板,需要占用空间较大,且低温多晶硅tft和金属氧化物tft皆独立设置于ltpo阵列基板中,同样需要占用较大的空间,不利于显示面板的空间利用率和分辨率的提升。


技术实现思路

1、本发明实施例提供一种显示面板及显示装置,能够减小第一晶体管和第二晶体管的占用空间,提高显示面板的空间利用率和分辨率。

2、本发明实施例提供一种显示面板,其包括电性连接的第一晶体管和第二晶体管,所述第一晶体管包括由低温多晶硅材料形成的第一有源部,所述第二晶体管包括第二栅极以及由金属氧化物材料形成的第二有源部:

3、所述显示面板还包括:

4、基底;

5、第一有源层,设置于所述基底上,并包括所述第一有源部;

6、第二有源层,设置于所述第一有源层远离所述基底的一侧,并包括位于所述第一有源部远离所述基底一侧的所述第二有源部;

7、第一金属层,设置于所述第二有源层远离所述第一有源层的一侧,并包括位于所述第二有源部远离所述第一有源部一侧的所述第二栅极;

8、其中,所述第二有源部在所述基底上的正投影与所述第一有源部在所述基底上的正投影至少部分重叠。

9、在本发明的一种实施例中,所述第二晶体管还包括第二源极和第二漏极,所述显示面板还包括设置于所述第二有源层和所述第一有源层之间的第二金属层,所述第二金属层包括所述第二源极和所述第二漏极,且所述第二有源部的两端分别连接于所述第二源极和所述第二漏极。

10、在本发明的一种实施例中,所述第二有源部包括位于所述第二源极远离所述第一有源部一侧面上的第二源极接触子部、位于所述第二漏极远离所述第一有源部一侧面上的第二漏极接触子部、以及连接于所述第二源极接触子部和所述第二漏极接触子部之间的第二沟道子部,所述第二沟道子部位于所述第二源极和所述第二漏极之间。

11、在本发明的一种实施例中,所述第二源极接触子部的材料的电阻率、所述第二漏极接触子部的材料的电阻率皆等于所述第二沟道子部的材料的电阻率。

12、在本发明的一种实施例中,所述第一晶体管包括与所述第一有源部两端搭接的第一源极和第一漏极;

13、所述第二金属层还包括所述第一源极和所述第一漏极,且所述第二有源部位于所述第一源极和所述第一漏极之间。

14、在本发明的一种实施例中,所述第一有源部包括与所述第一源极连接的第一源极接触子部以及与所述第一漏极连接的第一漏极接触子部,所述第二源极与所述第一漏极接触子部电性连接。

15、在本发明的一种实施例中,所述第一源极与所述第二漏极相间隔设置。

16、在本发明的一种实施例中,所述显示面板还包括设置于所述基底中的遮光层,所述第一有源部还包括连接于所述第一源极接触子部和所述第一漏极接触子部之间的第一沟道子部,所述第一沟道子部在所述基底上的正投影、所述第二沟道子部在所述基底上的正投影皆位于所述遮光层在所述基底上的正投影以内。

17、在本发明的一种实施例中,所述显示面板还包括设置于所述第一金属层远离所述第二有源层一侧的阳极层,所述阳极层包括与所述第一晶体管电性连接的阳极;

18、其中,所述第一金属层包括位于所述阳极和所述第一漏极之间的转接部,且所述阳极通过所述转接部与所述第一漏极相连接。

19、在本发明的一种实施例中,所述第二沟道子部在所述基底上的正投影位于所述阳极在所述基底上的正投影以内。

20、在本发明的一种实施例中,所述显示面板还包括设置于所述第二有源层和所述阳极层之间的无机钝化层和有机平坦层,所述无机钝化层覆盖所述第二有源部,所述有机平坦层覆盖所述无机钝化层。

21、在本发明的一种实施例中,所述第一晶体管还包括设置于所述第一有源部和所述第二有源部之间的第一栅极、以及设置于所述第一栅极和所述第二有源部之间的电极板;

22、其中,所述第二沟道子部在所述基底上的正投影位于所述第一栅极在所述基底上的正投影以内,和/或,所述第二沟道子部在所述基底上的正投影位于所述电极板在所述基底上的正投影以内。

23、根据本发明的上述目的,本发明实施例还提供一种显示装置,所述显示装置包括所述显示面板。

24、本发明的有益效果:本发明通过将第一晶体管的第一有源部和第二晶体管的第二有源部进行至少部分重叠设置,进而可以使得第一晶体管和第二晶体管至少部分重叠,有效减小了第一晶体管和第二晶体管的占用空间,提高显示面板的空间利用率和分辨率。



技术特征:

1.一种显示面板,其特征在于,包括电性连接的第一晶体管和第二晶体管,所述第一晶体管包括由低温多晶硅材料形成的第一有源部,所述第二晶体管包括第二栅极以及由金属氧化物材料形成的第二有源部:

2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第二晶体管还包括第二源极和第二漏极,所述显示面板还包括设置于所述第二有源层和所述第一有源层之间的第二金属层,所述第二金属层包括所述第二源极和所述第二漏极,且所述第二有源部的两端分别连接于所述第二源极和所述第二漏极。

3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述第二有源部包括位于所述第二源极远离所述第一有源部一侧面上的第二源极接触子部、位于所述第二漏极远离所述第一有源部一侧面上的第二漏极接触子部、以及连接于所述第二源极接触子部和所述第二漏极接触子部之间的第二沟道子部,所述第二沟道子部位于所述第二源极和所述第二漏极之间。

4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第二源极接触子部的材料的电阻率、所述第二漏极接触子部的材料的电阻率皆等于所述第二沟道子部的材料的电阻率。

5.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述第一晶体管包括与所述第一有源部两端搭接的第一源极和第一漏极;

6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述第一有源部包括与所述第一源极连接的第一源极接触子部以及与所述第一漏极连接的第一漏极接触子部,所述第二源极与所述第一漏极接触子部电性连接。

7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述第一源极与所述第二漏极相间隔设置。

8.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括设置于所述基底中的遮光层,所述第一有源部还包括连接于所述第一源极接触子部和所述第一漏极接触子部之间的第一沟道子部,所述第一沟道子部在所述基底上的正投影、所述第二沟道子部在所述基底上的正投影皆位于所述遮光层在所述基底上的正投影内。

9.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括设置于所述第一金属层远离所述第二有源层一侧的阳极层,所述阳极层包括与所述第一晶体管电性连接的阳极;

10.根据权利要求9所述的显示面板,其特征在于,所述第二沟道子部在所述基底上的正投影位于所述阳极在所述基底上的正投影内。

11.根据权利要求9所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括设置于所述第二有源层和所述阳极层之间的无机钝化层和有机平坦层,所述无机钝化层覆盖所述第二有源部,所述有机平坦层覆盖所述无机钝化层。

12.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第一晶体管还包括设置于所述第一有源部和所述第二有源部之间的第一栅极、以及设置于所述第一栅极和所述第二有源部之间的电极板;

13.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括如权利要求1至12任一项所述的显示面板。


技术总结
本发明公开了一种显示面板及显示装置。显示面板包括电性连接的第一晶体管和第二晶体管,第一晶体管包括由低温多晶硅材料形成的第一有源部,第二晶体管包括第二栅极以及由金属氧化物材料形成的第二有源部:显示面板还包括基底,第一有源部设置于基底上;第二有源部位于第一有源部远离基底的一侧;第二栅极位于第二有源部远离第一有源部的一侧;其中,第二有源部在基底上的正投影与第一有源部在基底上的正投影至少部分重叠。本发明可以提高显示面板的空间利用率和分辨率。

技术研发人员:马倩
受保护的技术使用者:深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/1/11
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