半导体装置以及半导体装置的制造方法与流程

本发明的实施方式涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。

背景技术：

1、作为半导体装置之一，有通过树脂等密封的半导体装置。通过树脂等密封的半导体装置例如由载置半导体元件的底座部、与半导体元件的电极电连接的连接器、以及将半导体元件、底座部、和连接器的至少一部分密封的树脂等构成。另外，连接器具有成为外部端子的引线部，引线部的一部分从树脂露出，能够与外部电极电连接。

技术实现思路

1、实施方式的半导体装置具有底座部、半导体元件、以及连接器。半导体元件具有与底座部电连接的第一电极、以及设置于在第一方向上与第一电极对置的面上的第二电极。连接器具有第一连接部以及引线部，该第一连接部具有与第二电极电连接的第一面，并且第一面在从第一面的端部朝向中央的方向上倾斜，该引线部与第一连接部电连接，并且与底座部分离地设置。

2、实施方式的半导体装置具有底座部、半导体元件、以及连接器。半导体元件具有与底座部电连接的第一电极、以及设置于在第一方向上与第一电极对置的面上的第二电极。连接器具有第一连接部以及引线部，该第一连接部具有与第二电极电连接的第一面、以及在从第一面的端部朝向中央的方向上设置于第一面的槽部，该引线部与第一连接部电连接，并且与底座部分离地设置。

3、另外，实施方式的半导体装置的制造方法具有：将半导体元件经由接合材料连接于底座部的工序；将连接器经由接合材料连接于第二电极的工序；以及通过加热将底座部以及连接器的第一连接部固定于半导体元件的工序。

4、根据本发明的实施方式，能够提供能够提高电特性并且能够抑制破坏的半导体装置以及半导体装置的制造方法。

技术特征：

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

6.一种半导体装置，其特征在于，具有：

7.如权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

8.如权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

9.一种权利要求1～8中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：

技术总结
本发明的实施方式涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置具有底座部、半导体元件及连接器。半导体元件具有与底座部电连接的第一电极、以及设置于在第一方向上与所述第一电极对置的面上的第二电极。连接器具有第一连接部以及引线部，该第一连接部具有与第二电极电连接的第一面，并且第一面在从第一面的端部朝向中央的方向上倾斜，该引线部与第一连接部电连接，并且与底座部分离地设置。

技术研发人员：田靡京
受保护的技术使用者：株式会社东芝
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15