用于处理基板的装置和用于处理基板的方法与流程

本发明为关于一种用于处理基板的装置及用于处理基板的方法，更特别地，为关于一种用于处理基板的装置及可以通过供应液体至基板来用液体处理基板的用于处理基板的方法。

背景技术：

1、一般而言，为了制造半导体装置，执行诸如光工艺、蚀刻工艺、离子植入工艺、及沉积工艺的各种工艺。

2、在执行工艺中的每一者的过程中，产生诸如颗粒、有机污染物、及金属杂质的各种异物。产生的异物可以导致基板中的缺陷，并作为直接影响半导体装置的性能及产率的因子发挥作用。因此，在执行半导体装置的制造工艺之前及之后，执行移除残留于基板上的异物的清洁工艺。

3、清洁工艺包括使用化学品移除残留于基板上的异物的步骤、使用诸如去离子水(deionized water；diw)的清洁液移除残留于基板上的化学品的步骤、使用表面张力低于清洁液的有机溶剂移除残留于基板上的清洁液的步骤、及干燥残留于基板的表面上的有机溶剂的步骤。

4、在执行清洁工艺的过程中使用的各种液体具有流动性。因此，在转移基板以执行干燥步骤时，存在供应至基板的液体可能偏离基板的问题。此外，当将过量的液体供应至基板以移除残留于基板上的颗粒时，供应至基板的液体可能偏离基板。偏离基板的液体充当污染源，其在转移基板的过程中或由于残留于腔室中的液体而污染后续基板。

技术实现思路

1、本发明致力于提供一种能够有效地清洁基板的用于处理基板的装置及用于处理基板的方法。

2、本发明也致力于提供一种能够使供应至基板的液体从基板的上边缘区的偏差最小化的用于处理基板的装置及用于处理基板的方法。

3、本发明的目的不限于此，一般技术人员将从以下描述清楚地理解未提及的其他目的。

4、本发明的示例性实施方案提供一种用于处理基板的方法，该方法包括用液体处理基板，并干燥经液体处理的基板。液体处理步骤包括将第一液体供应至旋转基板的上表面的第一液体供应步骤、及将第二液体供应至旋转基板的上表面的第二液体供应步骤，且在第二液体供应步骤中，调整基板的旋转速度，使得供应至基板上的第二液体仅从基板的中心区流动至基板的边缘区。

5、根据示例性实施方案，第二液体供应步骤包括用第二液体替换供应至基板的第一液体的替换步骤、补偿供应至基板的第二液体的量的补偿步骤、及通过在感应速度范围内改变基板的旋转速度来感应供应至基板的第二液体仅流动至基板的边缘区的感应步骤。

6、根据示例性实施方案，第一清洁腔室可以包括配置为支承并旋转基板的支承单元、配置为清洁由支承单元支承的基板的刷子单元、及配置为将处理液体供应至由支承单元支承的基板的液体供应单元。

7、根据示例性实施方案，感应步骤包括将第二液体供应至以第一感应速度旋转的基板的第一感应步骤，及停止对基板的第二液体的供应及旋转基板的第二感应步骤。

8、根据示例性实施方案，在第二感应步骤中，基板的旋转速度从第一感应速度改变为第二感应速度，且第一感应速度比第二感应转速快。

9、根据示例性实施方案，在替换步骤中，将第二液体供应至以第一速度旋转的基板，且在补偿步骤中，将第二液体供应至以第二速度旋转的基板，且第一速度比第二速度快。

10、根据示例性实施方案，第二速度比第一感应速度快。

11、根据示例性实施方案，第二速度为限制供应至基板的第二液体流动至基板的后表面的速度。

12、根据示例性实施方案，在第二液体供应步骤中，第二液体仅流动至基板的上边缘区。

13、根据示例性实施方案，干燥步骤通过超临界流体执行，且第二溶液具有比第一溶液更高的超临界流体溶解度。

14、根据示例性实施方案，在支承基板的后边缘区的状态下执行干燥步骤。

15、根据示例性实施方案，在液体处理腔室中执行液体处理步骤，在干燥腔室中执行干燥步骤，且在液体处理腔室中，通过转移机械手将在其上完成液体处理的基板转移至干燥腔室。

16、本发明的另一示例性实施方案提供一种用于处理基板的装置，该装置包括配置为通过将液体供应至基板来用液体处理基板的液体处理腔室、配置为从基板移除液体的干燥腔室、配置为在液体处理腔室与干燥腔室之间转移基板的转移单元、及配置为控制液体处理腔室、干燥腔室、及转移单元的控制器。液体处理腔室包括具有内部空间的壳体、配置为在内部空间中支承及旋转基板的支承单元、及配置为将液体供应至放置于支承单元上的基板的上表面的液体供应单元，且液体供应单元包括：配置为将第一液体供应至基板的第一液体供应喷嘴，及配置为将第二液体供应至基板的第二液体供应喷嘴，且控制器配置为分别控制第一液体供应喷嘴及第二液体供应喷嘴，从而将第一流体供应至基板，且将第二液体供应至供应有第一液体的基板，并在将第二液体供应至基板期间通过调整基板的旋转速度来控制支承单元，使得供应至基板的第二液体仅流动至基板的边缘区。

17、根据示例性实施方案，控制器控制支承单元，使得在将第二液体供应至基板期间，基板的旋转速度从第一速度改变至比第一速度慢的感应速度，且感应速度为供应至基板的第二液体仅流动至基板的上边缘区的速度。

18、根据示例性实施方案，感应速度包括第一感应速度及比第一感应速度慢的第二感应速度，且控制器控制支承单元，使得基板的旋转速度以第一速度、第一感应速度、及第二感应速度依序改变。

19、根据示例性实施方案，控制器控制第二液体供应喷嘴，使得在基板以第一速度、第一感应速度及第二感应速度中的第一速度及第一感应速度旋转期间，将第二液体供应至基板。

20、根据示例性实施方案，控制器控制支承单元，使得基板的旋转速度改变为第一速度与感应速度之间的、比第一速度慢并比感应速度快的第二速度。

21、根据示例性实施方案，控制器控制第二液体供应喷嘴，从而在基板以第二速度旋转期间将第二液体供应至基板。

22、根据示例性实施方案，干燥腔室包括用于支承基板的支承件，且支承件支承基板的后边缘区，液体处理在基板上完成。

23、根据示例性实施方案，在干燥腔室中，使用超临界流体从基板移除第二液体，且第二液体具有比第一液体更高的超临界流体溶解度。

24、此外，本发明的另一示例性实施方案提供一种用于处理基板的方法，该方法包括液体处理步骤，在液体处理腔室中通过将液体供应至基板来用液体处理基板；及干燥步骤，在干燥腔室中使用超临界流体从经液体处理的基板移除液体。液体处理步骤包括：第一液体供应步骤，将第一液体供应至旋转基板的上表面；及第二液体供应步骤，将第二液体供应至旋转基板的上表面，且在第二液体供应步骤中，在将第二液体供应至基板期间，基板的旋转速度从第一速度改变为比第一速度慢的第二速度，从第二速度改变为比第二速度慢的第一感应速度，及从第一感应速度改变为比第一感应速度慢的第二感应速度，使得供应至基板的第二液体经感应，以仅流动至上表面的边缘区，且在第二液体供应步骤中，在基板以第一速度、第二速度、第一感应速度、及第二感应速度中的第一速度、第二速度及第一感应速度旋转的同时，供应供应至基板的第二流体。

25、根据本发明的示例性实施方案，有效地清洁基板是可能的。

26、此外，根据本发明的示例性实施方案，使供应至基板的液体从基板的上边缘区偏差最小化是可能的。

27、本发明的效果不限于上述效果，本领域技术人员将从本说明书及附图中清楚地理解未提及的效果。