低应力激光改性模具盖封装件的制作方法

背景技术：

1、精密电子器件可能受到封装应力的影响，从而导致性能损失。具有不同于硅材料的热膨胀系数(cte)的有机封装材料除了点载荷应力之外还会引起弯曲应力。弯曲力可能偏移电路性能，并导致精密电路系统的性能损失。向管芯的顶部添加较低模量的再钝化层(诸如聚酰亚胺)可以减少模制封装件中的填料颗粒产生的点应力，但总体弯曲应力仍然产生。陶瓷材料的使用可以帮助克服与有机封装材料的cte差异，但这添加了器件成本和制造复杂性。由于缺少与硅直接接触的模具化合物，结合有盖子的空腔封装件可以减少对电路性能的应力影响，并且在线键合外围内添加硅间隔物也有帮助，但这些方法成本也高，并且底部管芯仍然具有间隔物以外的区域，这些区域具有较低的硬度且易于弯曲。

技术实现思路

1、在一个方面，一种电子器件包括半导体管芯、耦合到半导体管芯的一侧的键合线以及封闭半导体管芯和键合线的封装结构。封装结构具有封装侧，该封装侧具有从封装侧朝向半导体管芯的该侧向内延伸的凹部。凹部具有与半导体管芯的该侧间隔开的底部，并且底部与键合线间隔开。

2、在另一方面，一种封装半导体管芯的方法包括：执行模制工艺，该模制工艺形成封装结构以封闭半导体管芯和键合线；以及烧蚀封装结构的一部分以形成从封装侧朝向半导体管芯的一侧向内延伸的凹部，凹部具有与半导体管芯的该侧和键合线间隔开的底部。

3、在另一方面，一种制造电子器件的方法包括：将半导体管芯附接到支撑结构；将键合线耦合到半导体管芯的一侧；执行模制工艺，该模制工艺形成封装结构以封闭半导体管芯和键合线；以及烧蚀封装结构的一部分以形成从封装侧朝向半导体管芯的该侧向内延伸的凹部，凹部具有与半导体管芯的该侧和键合线间隔开的底部。

技术特征：

1.一种电子器件，包括：

2.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述封装结构具有在所述凹部的所述底部和所述半导体管芯的所述侧之间的25μm或更大的间隔厚度。

3.根据权利要求2所述的电子器件，其中所述凹部具有从所述封装侧到所述凹部的所述底部的50μm或更大的深度。

4.根据权利要求3所述的电子器件，其中所述封装结构具有在所述凹部的所述底部和所述键合线之间的25μm或更大的第二间隔厚度。

5.根据权利要求3所述的电子器件，其中所述凹部在所述半导体管芯的选定部分之上延伸。

6.根据权利要求3所述的电子器件，包括从所述封装侧朝向所述半导体管芯的所述侧向内延伸的另一凹部，所述另一凹部具有与所述半导体管芯的所述侧间隔开的另一底部，并且所述另一底部与所述键合线间隔开。

7.根据权利要求1所述的电子器件，其中：

8.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述凹部具有从所述封装侧到所述凹部的所述底部的50μm或更大的深度。

9.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述封装结构具有在所述凹部的所述底部和所述键合线之间的25μm或更大的第二间隔厚度。

10.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述凹部在所述半导体管芯的选定部分之上延伸。

11.根据权利要求1所述的电子器件，包括从所述封装侧朝向所述半导体管芯的所述侧向内延伸的另一凹部，所述另一凹部具有与所述半导体管芯的所述侧间隔开的另一底部，并且所述另一底部与所述键合线间隔开。

12.一种封装半导体管芯的方法，所述方法包括：

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述封装结构具有在所述凹部的所述底部和所述半导体管芯的所述侧之间的25μm或更大的间隔厚度。

14.根据权利要求12所述的方法，其中所述凹部具有从所述封装侧到所述凹部的所述底部的50μm或更大的深度。

15.根据权利要求12所述的方法，其中所述封装结构具有在所述凹部的所述底部和所述键合线之间的25μm或更大的第二间隔厚度。

16.根据权利要求12所述的方法，其中所述凹部在所述半导体管芯的选定部分之上延伸。

17.一种制造电子器件的方法，所述方法包括：

18.根据权利要求17所述的方法，其中所述封装结构具有在所述凹部的所述底部和所述半导体管芯的所述侧之间的25μm或更大的间隔厚度。

19.根据权利要求17所述的方法，其中所述凹部具有从所述封装侧到所述凹部的所述底部的50μm或更大的深度。

20.根据权利要求17所述的方法，其中所述封装结构具有在所述凹部的所述底部和所述键合线之间的25μm或更大的第二间隔厚度。

技术总结
本申请公开了低应力激光改性模具盖封装件。一种电子器件(100)包括半导体管芯(101、102、103)、耦合到半导体管芯(101、102、103)的一侧(104、105、106)的键合线(109)以及封闭半导体管芯(101、102、103)和键合线(109)的封装结构(110)。封装结构(110)具有封装侧(111)，该封装侧(111)具有从封装侧(111)朝向半导体管芯(101、102、103)的该侧(104、105、106)向内延伸的凹部(120、130、140、150、160)。凹部(120、130、140、150、160)具有与半导体管芯(101、102、103)的该侧(104、105、106)间隔开的底部(121、131、132、141、151、161)，并且底部(121、131、132、141、151、161)与键合线(109)间隔开。

技术研发人员：S·A·库梅尔
受保护的技术使用者：德克萨斯仪器股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13