复合铜箔及其制作方法与流程

本申请属于电池，具体涉及一种复合铜箔及其制作方法。

背景技术：

1、在锂离子电池的制造过程中，需要使用铜箔作为负极材料，而作为锂离子电池负极的铜箔往往具有十分严苛的要求，不仅要求铜箔必须具有优异的导电性、耐蚀性、高常温延伸率、高抗拉强度以及低粗糙度等性能，同时由于电子行业逐渐向更轻更薄的方向发展，故锂离子电池中的铜箔也需要进一步轻薄化。

2、其中，相同厚度的复合铜箔面密度仅有现广泛应用的铜箔的60％，故，复合铜箔可以显著减少铜金属应用。但是，复合铜箔一般采用塑料基膜、两面溅射铜层、电解铜层构成。而目前大多采用电镀形成铜层，但形成的铜层表面缺陷多，均匀性差。

技术实现思路

1、本申请的目的在于提供一种复合铜箔及其制作方法，能够提高铜层的均匀性，减少其表面缺陷。

2、本申请第一方面公开了一种复合铜箔制作方法，所述复合铜箔制作方法包括：提供衬底；在衬底的表面设置导电种子层；依据所述导电种子层依次进行化学镀、电镀以形成铜层。

3、在本申请的一种示例性实施例中，所述导电种子层由导电金属粒子形成，所述导电金属粒子包括钯、镍、铝或者锰至少其中一种。

4、在本申请的一种示例性实施例中，对所述导电种子层进行化学镀包括：将所述导电金属粒子的靶离子通过真空离子溅射的方式注入于所述衬底的表面；将带有所述靶离子的所述衬底放入由硫酸铜、酒石酸盐、硫酸镍、氢氧化钠、碳酸盐以及甲醛水混合形成的化学镀液中，以进行化学镀。

5、在本申请的一种示例性实施例中，所述硫酸铜的用量范围为0.05-0.1mol/l；所述酒石酸盐的用量范围为0.16-0.18mol/l；所述硫酸镍的用量范围为0.005-0.006mol/l；所述氢氧化钠的用量范围为0.2-0.3mol/l；所述碳酸盐的用量范围为0.065-0.075mol/l。

6、在本申请的一种示例性实施例中，所述导电种子层进行化学镀的时间范围为27-32min。

7、在本申请的一种示例性实施例中，对所述导电种子层进行电镀包括：在所述导电种子层厚度方向上的两侧电镀铜层，使所述铜层覆盖所述导电金属粒子层的表面。

8、在本申请的一种示例性实施例中，所述衬底为聚碳酸酯或聚四氟乙烯材料形成。

9、在本申请的一种示例性实施例中，所述导电种子层的厚度范围为0.01-0.06um。

10、在本申请的一种示例性实施例中，所述导电种子层至少覆盖所述衬底的表面75％的区域。

11、本申请第二方面公开了一种复合铜箔，所述复合铜箔包括衬底，所述衬底具有相对设置的第一表面和第二表面，通过采用上述的复合铜箔制作方法在所述第一表面和\或所述第二表面上设置铜层。

12、本申请方案具有以下有益效果：

13、在本申请实施例中，通过在对复合铜箔的导电种子层进行电镀形成铜层之前进行化学镀，进而可以使得衬底表面的导电种子层在电镀前具有良好的导电性，同时可以在不需要严格把控工艺的情况下使得导电种子层更均匀。

14、本申请的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本申请的实践而习得。

15、应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本申请。

技术特征：

1.一种复合铜箔制作方法，其特征在于，所述复合铜箔制作方法包括：

2.根据权利要求1所述的复合铜箔制作方法，其特征在于，所述导电种子层由导电金属粒子形成，所述导电金属粒子包括钯、镍、铝或者锰至少其中一种。

3.根据权利要求2所述的复合铜箔制作方法，其特征在于，对所述导电种子层进行化学镀包括：

4.根据权利要求3所述的复合铜箔制作方法，其特征在于，

5.根据权利要求3所述的复合铜箔制作方法，其特征在于，所述导电种子层进行化学镀的时间范围为27-32min。

6.根据权利要求2所述的复合铜箔制作方法，其特征在于，对所述导电种子层进行电镀包括：

7.根据权利要求1所述的复合铜箔制作方法，其特征在于，所述衬底为聚碳酸酯或聚四氟乙烯材料形成。

8.根据权利要求1所述的复合铜箔制作方法，其特征在于，所述导电种子层的厚度范围为0.01-0.06um。

9.根据权利要求1所述的复合铜箔制作方法，其特征在于，所述导电种子层至少覆盖所述衬底的表面75％的区域。

10.一种复合铜箔，其特征在于，所述复合铜箔包括衬底，所述衬底具有相对设置的第一表面和第二表面，通过采用如权利要求1-9中的任一项所述的复合铜箔制作方法在所述第一表面和\或所述第二表面上设置铜层。

技术总结
本申请涉及一种复合铜箔及其制作方法，所述复合铜箔制作方法包括：提供衬底；在衬底的表面设置导电种子层；依据所述导电种子层依次进行化学镀、电镀以形成铜层。本方案的复合铜箔制作方法能够提高铜层的均匀性，减少其表面缺陷。

技术研发人员：谢文宾,杜培云,肖辉建,高晓航,尹卫华
受保护的技术使用者：深圳惠科新材料股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13