阵列基板、阵列基板的制备方法及显示面板与流程

本发明涉及显示面板的设计及制造，尤其涉及一种阵列基板、阵列基板的制备方法及显示面板。

背景技术：

1、随着显示面板制备技术的不断发展，人们对显示面板及装置的各种性能均提出了更高的要求。

2、现有技术中，在制备形成显示面板时，需要制备形成对应的阵列基板以及该阵列基板内的多个薄膜晶体管，从而保证显示面板的正常使用。其中，常用的薄膜晶体管结构一般包括源极、漏极、栅极以及半导体层等功能膜层。在制备形成上述功能膜层时，如在制备半导体层时，其常用的半导体的材料为无机半导体材料，该无机半导体材料还需要不同的蚀刻工艺进行处理。同时，在制备过程中，还需要经过多道次不同膜层的沉积，以及多道次的光罩处理，才能最终形成所需要的结构。但是，上述工艺步骤较多，且在多次不同的处理步骤中均会出现一定的误差并降低膜层的一致性，从而提高了其生产成本，并不利于薄膜晶体管阵列基板综合性能的进一步提高。

3、综上所述，现有技术中制备得到的薄膜晶体管，其制备工艺较复杂，需要经过多道次的膜层沉积以及蚀刻处理，生成成本较高，且不利于阵列基板综合性能的提高。

技术实现思路

1、本发明实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板。以有效的改善现有的显示面板中薄膜晶体管的制备工艺复杂且薄膜晶体管的综合性能不理想的问题。

2、为解决上述技术问题，本发明提供一种阵列基板，所述阵列基板包括：

3、衬底；

4、设置与所述衬底上的源极，以及设置于所述源极一侧的漏极；

5、设置于所述源极以及所述漏极之间的半导体层，且所述半导体层与所述源极以及所述漏极部分搭接；

6、其中，所述阵列基板还包括沟道定义层，所述沟道定义层对应设置在所述源极上以及所述漏极上，并围绕所述半导体层设置。

7、根据本发明一实施例，所述沟道定义层的膜层厚度大于或等于所述半导体层的膜层厚度。

8、根据本发明一实施例，所述沟道定义层还包括一打印开口，所述半导体层对应设置在所述打印开口内，且所述半导体层与所述打印开口对应的所述沟道定义层、所述源极以及所述漏极相触接。

9、根据本发明一实施例，所述源极以及所述漏极对应设置在所述打印开口的两侧，且部分所述源极以及部分所述漏极延伸至所述打印开口内。

10、根据本发明一实施例，所述源极以及所述漏极均包括一延伸部，所述延伸部均延伸至所述打印开口内，且所述半导体层至少部分覆盖所述延伸部。

11、根据本发明一实施例，在所述第一浓度区以及所述第二浓度区内，所述源极对应所述延伸部的长度与所述漏极对应的所述延伸部的长度相同，且所述半导体层与所述源极的所述延伸部的覆盖面积，与所述半导体层与所述漏极的所述延伸部的覆盖面积相同。

12、根据本发明一实施例，所述源极对应的所述延伸部以及所述漏极对应的所述延伸部的长度大于或等于2.5mm。

13、根据本发明一实施例，所述源极以及所述漏极的宽度小于所述有源层的宽度。

14、根据本发明实施例的第二方面，还提供一种显示面板，该显示面板包括本申请中的阵列基板。

15、根据本发明实施例的第三方面，还提供一种阵列基板的制备方法，包括如下步骤：

16、制备一衬底，并在所述衬底上沉积栅极；

17、在所述栅极上沉积一栅极绝缘层，并在所述栅极绝缘层上制备源/漏金属层；

18、在所述源漏金属层上制备一沟道定义层，并对所述源/漏金属层以及所述沟道定义层蚀刻，并形成打印开口；

19、在所述打印开口内打印半导体层，并对所述半导体层干燥处理；

20、在所述半导体层上制备一钝化层。

21、本发明实施例的有益效果：相比现有技术，本发明实施例提供一种阵列基板及阵列基板的制备方法、显示面板。该阵列基板包括衬底、源极、漏极、半导体层以及沟道定义层。其中，半导体层设置在源极与漏极之间，并部分搭接源极与漏极，沟道定义层围绕半导体层设置，并对应设置在源极和漏极上。在制备半导体层时，将半导体层直接打印在沟道定义层所形成的打印开口内，通过沟道定义层防止半导体层溢出，并使半导体层干燥，并最终形成阵列基板。本申请实施例中，直接通过打印半导体层的工艺进行制备，从而有效的简化了阵列基板中膜层的制备工艺，并提高了显示面板的综合性能。

技术特征：

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述沟道定义层的膜层厚度大于或等于所述半导体层的膜层厚度。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述沟道定义层还包括一打印开口，所述半导体层对应设置在所述打印开口内，且所述半导体层与所述打印开口对应的所述源极以及所述漏极相触接，且所述半导体层与所述沟道定义层的侧壁相触接。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述源极以及所述漏极对应设置在所述打印开口的两侧，且部分所述源极以及部分所述漏极延伸至所述打印开口内。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述源极以及所述漏极均包括一延伸部，所述延伸部均延伸至所述打印开口内，且所述半导体层至少部分覆盖所述延伸部。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述源极对应所述延伸部的长度与所述漏极对应的所述延伸部的长度相同，且所述半导体层与所述源极的所述延伸部的覆盖面积，与所述半导体层与所述漏极的所述延伸部的覆盖面积相同。

7.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述源极对应的所述延伸部以及所述漏极对应的所述延伸部的长度大于或等于2.5mm。

8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述源极以及所述漏极的宽度小于所述半导体层的宽度。

9.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-8中任一项所述的阵列基板。

10.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

技术总结
本发明实施例提供一种阵列基板及制备方法、显示面板。该阵列基板包括衬底、源极、漏极、半导体层以及沟道定义层。其中，半导体层设置在源极与漏极之间，并部分搭接源极与漏极，沟道定义层围绕半导体层设置，并对应设置在源极和漏极上。在制备半导体层时，将半导体层直接打印在沟道定义层所形成的打印开口内，通过沟道定义层防止半导体层溢出。本申请实施例中，直接通过打印半导体层的工艺进行制备，从而有效的简化了阵列基板中膜层的制备工艺，并提高了显示面板的综合性能。

技术研发人员：徐乾坤
受保护的技术使用者：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/2/1