一种支持高功率激光器高兼容性的COC装置的制作方法

本发明涉及激光雷达及光通信领域，具体为一种支持高功率激光器高兼容性的coc装置。

背景技术：

1、传统的coc都只支持某一特定激光器芯片，仅起到结构匹配支撑及电气连接的功能，而当激光器芯片尺寸变化或需要一些滤波、esd保护等附加功能的时候只能通过激光器的外围电路实现，众所周知射频信号的保证以及esd的防护都需要离被保护元件越近其性能越好，况且激光器在装配到外围电路之前的生产及运输过程中也需要相应的保护以提高激光器的可靠性及产品良率。

技术实现思路

1、基于此，本发明的目的是提供一种，以解决传统coc保护附加功能需要外围电路的技术问题。

2、为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种支持高功率激光器高兼容性的coc装置，包括dfb/dfb+soa/eml半导体芯片14、coc、电感/电阻/esd保护二极管、mpd和热敏电阻；

3、所述的coc主要包括共晶区域、第一焊盘与共晶区域隔离区、第二焊盘与共晶区域隔离区、第一s型防溢料隔离带、第二s型防溢料隔离带、第三s型防溢料隔离带、第一附加功能镀金区、第二附加功能镀金区；

4、所述的共晶区域可以同时兼容dfb/dfb+soa/eml半导体芯片；

5、所述的s型防溢料隔离带将辅料的焊盘区与打线区隔离开；

6、所述的共晶区域右侧配置第一附加功能镀金区和第二附加功能镀金区。

7、通过采用上述技术方案，在兼容不同尺寸芯片的同时能为芯片提供更大的导热面积，防止焊料外溢污染打线焊盘，用于共晶芯片工作状态及工作环境的监控。

8、本发明进一步设置为，所述的焊盘与共晶区域隔离区除了为辅料提供焊接空间避免辅料焊接过程中损坏半导体芯片之外还增加了cocsubmount的尺寸增大了coc整体的散热面积。

9、通过采用上述技术方案，共晶区域可以同时兼容dfb/dfb+soa/eml半导体芯片，在兼容不同尺寸芯片的同时能为芯片提供更大的导热面积。

10、本发明进一步设置为，所述第一0402的封装esd保护二极管和第二0402的封装esd保护二极管并联于半导体芯片dfb+soa的正负两极。

11、通过采用上述技术方案，分别实现对soa和dfb芯片的静电和浪涌保护，所示的0402封装包括但不限于0402的封装结构。

12、本发明进一步设置为，所0402封装滤波电感串联于半导体芯片dfb+soa的负极。

13、通过采用上述技术方案，实现对dfb+soa的电流滤波，保证dfb+soa的驱动电流平滑输出，所示的0402封装包括但不限于0402的封装结构。

14、本发明进一步设置为，所述边吸收边吸收mpd置于dfb+soa半导体芯片的右侧。

15、通过采用上述技术方案，实现对dfb+soa出光功率的监控，所示的边吸收边吸收mpd包括但不限于边吸收边吸收mpd，如面吸收边吸收mpd等。

16、本发明进一步设置为，所述热敏电阻置于边吸收mpd右侧。

17、通过采用上述技术方案，实现对coc工作温度的监控。

18、本发明进一步设置为，所述esd保护二极管、滤波电感可根据产品需要换成其他同封装结构的器件。

19、通过采用上述技术方案，如在eml半导体芯的应用中，可将第一esd保护二极管换成同封装结构的电阻并联于ea的正负两极，实现eml激光器ea的阻抗匹配，同时将0402封装滤波电感换成同封装结构的电容并联于ld的正负两极，实现eml激光器ld的滤波。

20、综上所述，本发明主要具有以下有益效果：

21、1.大的共晶区域兼容不同尺寸激光芯片的同时能提供更大的导热路径，满足不同芯片特别是大功率激光器的应用需求；

22、2.模块化的镀金区域可同时支持fp、dfb、dfb+soa及eml芯片的应用；

23、3.预留0402封装标准焊盘位置可满足不同芯片对滤波、esd保护以及阻抗匹配的要求；

24、4.镀金区域预置s型隔离带防止焊料的外溢保护打线区域；

25、5.焊盘与共晶区域之间预留隔离区方便贴片操作的时间增加submount的散热面积。

技术特征：

1.一种支持高功率激光器高兼容性的coc装置，其特征在于：包括dfb/dfb+soa/eml半导体芯片(14)、coc、电感/电阻/esd保护二极管、mpd和热敏电阻(9)；

2.根据权利要求1所述的一种支持高功率激光器高兼容性的coc装置，其特征在于：所述的焊盘与共晶区域(6)隔离区除了为辅料提供焊接空间避免辅料焊接过程中损坏半导体芯片之外还增加了cocsubmount的尺寸增大了coc整体的散热面积。

3.根据权利要求1所述的一种支持高功率激光器高兼容性的coc装置，其特征在于：所述第一0402的封装esd保护二极管(12)和第二0402的封装esd保护二极管(11)并联于半导体芯片dfb+soa的正负两极。

4.根据权利要求1所述的一种支持高功率激光器高兼容性的coc装置，其特征在于：所述半导体芯片dfb+soa的负极串联0402封装滤波电感。

5.根据权利要求1所述的一种支持高功率激光器高兼容性的coc装置，其特征在于：所述dfb+soa半导体芯片的右侧置于边吸收mpd16。

6.根据权利要求1所述的一种支持高功率激光器高兼容性的coc装置，其特征在于：所述热敏电阻(9)置于边吸收mpd(16)右侧。

7.根据权利要求1所述的一种支持高功率激光器高兼容性的coc装置，其特征在于：所述esd保护二极管、滤波电感可根据产品需要换成其他同封装结构的器件。

技术总结
本发明公开了一种支持高功率激光器高兼容性的COC装置，涉及激光雷达及光通信领域，包括DFB/DFB+SOA/EML半导体芯片14、COC、电感/电阻/ESD保护二极管、MPD和热敏电阻。本发明通过大的共晶区域兼容不同尺寸激光芯片的同时能提供更大的导热路径，满足不同芯片特别是大功率激光器的应用需求，模块化的镀金区域可同时支持FP、DFB、DFB+SOA及EML芯片的应用，预留0402封装标准焊盘位置可满足不同芯片对滤波、ESD保护以及阻抗匹配的要求，镀金区域预置S型隔离带防止焊料的外溢保护打线区域，焊盘与共晶区域之间预留隔离区方便贴片操作的时间增加Submount的散热面积。

技术研发人员：卢勇,刘金,黄竹
受保护的技术使用者：南京安瞳半导体有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13