本技术实施例涉及但不限于电子元器件,尤其涉及一种发光器和光电耦合器。
背景技术:
1、对于光电耦合器,是指以光为媒介来传输电信号的器件,通常把发光器与受光器封装在同一管壳内。当输入端加电信号时发光器发出光线,受光器接受光线之后就产生光电流,从输出端流出,从而实现了“电、光、电”转换。以光为媒介把输入端信号耦合到输出端的光电耦合器,由于它具有体积小、寿命长、无触点,抗干扰能力强,输出和输入之间绝缘,单向传输信号等优点,在数字电路上获得广泛的应用。
2、光电耦合器包括有单极发射功能的光电耦合器以及双极发射功能的光电耦合器,其中,双极发射功能的光电耦合器的输入端由两个平行反向连接的发光二极管构成,可由交流输入电流驱动,即双极发射光电耦合器一般是使用在交流电输入中。
3、但是,市场上的双极发射功能的光电耦合器的ir支架都是采用重新设计的新ir支架,并且这些支架上都是采用电极相同的红外芯片。对于双极发射功能的光电耦合器的支架设计,现有方案是采用新的支架,支架重新开模的费用比较昂贵,一套模具费用高达几十万元。而且重新开一套模具耗费的时间比较长;其次,重新开一套模具要考虑到好多因素,例如新的双极发射ir支架是否可以和以前的pt支架相匹配;另外,固晶焊线机台同样需要做比较大的调整,还有需要重新做固晶焊线的治具。而且现有的双极发射支架设计中的两颗芯片的距离比较远,两颗芯片的中心光强比较小,导致光耦合效率比较低。
技术实现思路
1、以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
2、本实用新型实施例提供了一种发光器和光电耦合器,能够使普通的单极发射ir支架可以实现双极发射的功能,不需要增加任何治具或者设备,而且芯片的中心距离可以大大缩短以达到增强光强的作用,另外还可以使用小尺寸的ir芯片,从而大大节约了生产成本。
3、第一方面,本实用新型实施例提供了一种发光器,包括:
4、ir支架,设置有相互分隔的第一基岛和第二基岛,所述第一基岛上设置有固晶区域,所述第二基岛上设置有焊接区域;
5、第一ir芯片,固定于所述固晶区域,所述第一ir芯片的p面朝上并且n面朝下,所述第一ir芯片通过第一焊线连接至所述焊接区域;
6、第二ir芯片,固定于所述固晶区域,所述第二ir芯片的极性和所述第一ir芯片的极性相反,所述第二ir芯片的n面朝上并且p面朝下,所述第二ir芯片通过第二焊线连接至所述焊接区域。
7、根据本实用新型实施例的发光器,具有如下技术效果:本实用新型实施例的发光器包括ir支架、第一ir芯片和第二ir芯片,其中,ir支架设置有相互分隔的第一基岛和第二基岛,第一基岛上设置有固晶区域,第二基岛上设置有焊接区域;第一ir芯片固定于固晶区域,第一ir芯片的p面朝上并且n面朝下,第一ir芯片通过第一焊线连接至焊接区域;第二ir芯片固定于固晶区域,第二ir芯片的极性和第一ir芯片的极性相反,第二ir芯片的n面朝上并且p面朝下,第二ir芯片通过第二焊线连接至焊接区域。根据本实用新型实施例的技术方案,由于采用了极性相反的第一ir芯片和第二ir芯片,同时将第一ir芯片的p面设置为朝上并且n面设置为朝下,并且将第二ir芯片的n面设置为朝上并且p面设置为朝下,从而可以使得第一ir芯片和第二ir芯片的发光面均能够朝向受光器,能够使得普通的单极发射ir支架可以实现双极发射的功能,不需要增加任何治具或者设备,而且芯片的中心距离可以大大缩短以达到增强光强的作用,另外还可以使用小尺寸的ir芯片,从而大大节约了生产成本。
8、在一些实施例中,所述第一ir芯片和所述第二ir芯片的发光面均朝向受光器。
9、在一些实施例中,所述焊接区域包括第一焊接区域和第二焊接区域,所述第一ir芯片通过所述第一焊线连接至所述第一焊接区域,所述第二ir芯片通过所述第二焊线连接至所述第二焊接区域。
10、在一些实施例中,所述固晶区域呈圆形状设置。
11、在一些实施例中,所述第二ir芯片和所述第一ir芯片沿着所述固晶区域的圆心位置呈对称分布。
12、在一些实施例中,所述第一ir芯片和所述第二ir芯片之间的距离小于或等于0.5毫米。
13、在一些实施例中,所述发光器为红外线发光二极管。
14、第二方面,本实用新型实施例还提供了一种光电耦合器,包括受光器和如上述第一方面所述的发光器,所述发光器和所述受光器设置于同一管壳内。
15、在一些实施例中,所述管壳内开设有透光孔,所述发光器和所述受光器分别位于所述透光孔的两侧,所述第一ir芯片和所述第二ir芯片之间的中心位置、所述透光孔和所述受光器位于同一直线上。
16、在一些实施例中,所述受光器为光敏半导体管。
17、根据本实用新型实施例的光电耦合器,具有如下技术效果:本实用新型实施例的光电耦合器包括有受光器和发光器,其中,发光器包括ir支架、第一ir芯片和第二ir芯片,其中,ir支架设置有相互分隔的第一基岛和第二基岛,第一基岛上设置有固晶区域,第二基岛上设置有焊接区域;第一ir芯片固定于固晶区域,第一ir芯片的p面朝上并且n面朝下,第一ir芯片通过第一焊线连接至焊接区域;第二ir芯片固定于固晶区域,第二ir芯片的极性和第一ir芯片的极性相反,第二ir芯片的n面朝上并且p面朝下,第二ir芯片通过第二焊线连接至焊接区域。根据本实用新型实施例的技术方案,由于采用了极性相反的第一ir芯片和第二ir芯片,同时将第一ir芯片的p面设置为朝上并且n面设置为朝下,并且将第二ir芯片的n面设置为朝上并且p面设置为朝下,从而可以使得第一ir芯片和第二ir芯片的发光面均能够朝向受光器,能够使得普通的单极发射ir支架可以实现双极发射的功能,不需要增加任何治具或者设备,而且芯片的中心距离可以大大缩短以达到增强光强的作用,另外还可以使用小尺寸的ir芯片,从而大大节约了生产成本。
18、本实用新型的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述,并且,部分地从说明书中变得显而易见,或者通过实施本实用新型而了解。本实用新型的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
1.一种发光器,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的发光器,其特征在于,所述第一ir芯片和所述第二ir芯片的发光面均朝向受光器。
3.根据权利要求1所述的发光器,其特征在于,所述焊接区域包括第一焊接区域和第二焊接区域,所述第一ir芯片通过所述第一焊线连接至所述第一焊接区域,所述第二ir芯片通过所述第二焊线连接至所述第二焊接区域。
4.根据权利要求1所述的发光器,其特征在于,所述固晶区域呈圆形状设置。
5.根据权利要求4所述的发光器,其特征在于,所述第二ir芯片和所述第一ir芯片沿着所述固晶区域的圆心位置呈对称分布。
6.根据权利要求4所述的发光器,其特征在于,所述第一ir芯片和所述第二ir芯片之间的距离小于或等于0.5毫米。
7.根据权利要求1至6中任意一项所述的发光器,其特征在于,所述发光器为红外线发光二极管。
8.一种光电耦合器,其特征在于,包括受光器和如权利要求1至7中任意一项所述的发光器,所述发光器和所述受光器设置于同一管壳内。
9.根据权利要求8所述的光电耦合器,其特征在于,所述管壳内开设有透光孔,所述发光器和所述受光器分别位于所述透光孔的两侧,所述第一ir芯片和所述第二ir芯片之间的中心位置、所述透光孔和所述受光器位于同一直线上。
10.根据权利要求8或9所述的光电耦合器,其特征在于,所述受光器为光敏半导体管。