半导体集成模块及电力电子设备的制作方法

本技术涉及电力电子，特别涉及一种半导体集成模块及电力电子设备。

背景技术：

1、近些年，半导体器件在电力电子领域中备受瞩目，因为其具有临界击穿场强高、热传导性好、导通电阻小、电子饱和速度更高等优点。然而，为了满足大功率应用，单芯片半导体器件不能满足其需求，因此，通过电路板集成多芯片半导体器件的要求就十分有必要。

2、然而，电路板集成多芯片半导体器件中具有的各模块包括多个引脚，这些模块及引脚的布局会对集成模块产品设计造成极大影响，因此，合理的半导体集成模块的芯片布局设计至关重要。

技术实现思路

1、本实用新型的主要目的是提出一种半导体集成模块及电力电子设备，旨在通过对半导体集成模块中芯片及元器件进行合理布局，提高半导体集成模块的集成度。

2、为实现上述目的，本实用新型提出一种半导体集成模块，该半导体集成模块包括：

3、介质基板，具有相对的第一侧边和第二侧边，以及相对的第三侧边和第四侧边，所述介质基板自所述第一侧边至第二侧边依次设置有第一安装区、第二安装区、第三安装区及第四安装区；

4、电阻模组，设置于所述第一安装区内，且靠近所述介质基板的第一侧边的位置；

5、第一sic模组，设置于所述第二安装区内，且靠近于所述电阻模组；

6、第二sic模组，设置于所述第三安装区内，且远离所述介质基板的第一侧边的位置。

7、可选地，所述电阻模组包括1个热敏电阻。

8、可选地，所述热敏电阻焊接于所述介质基板的热敏电阻引线端，用于对集成模块的温度进行检测。

9、可选地，所述第一sic模组和第二sic模组均包括3个间隔设置的sic mos管。

10、可选地，所述第一sic模组中的每一sic mos管均通过金属线连接至所述介质基板的导电层；其中，

11、所述第一sic模组中的每一sic mos管具有第一栅极、第一源极和第一漏极，所述第一sic模组中的每一sic mos管的第一栅极连接所述介质基板的第一栅极导电层，第一源极连接所述介质基板的第一源极导电层，第一漏极连接所所述介质基板的第一漏极导电层。

12、可选地，所述第二sic模组中的每一sic mos管均通过金属线连接至所述介质基板的导电层；其中，

13、所述第二sic模组中的每一sic mos管具有第二栅极、第二源极和第二漏极，所述第二sic模组中的每一sic mos管的第二栅极连接所述介质基板的第二栅极导电层，第二源极连接所述介质基板的第二源极导电层，第二漏极连接所所述介质基板的第二漏极导电层。

14、可选地，所述第一安装区、所述第二安装区、所述第三安装区及所述第四安装区中的导电层相互隔离设置。

15、可选地，所述介质基板为dbc陶瓷基板或者绝缘金属基板。

16、可选地，所述介质基板上设置有多个定位插针焊接点。

17、本实用新型还提出一种电力电子设备，所述电力电子设备包括如上所述的半导体集成模块，所述半导体集成模块包括：

18、介质基板，具有相对的第一侧边和第二侧边，以及相对的第三侧边和第四侧边，所述介质基板自所述第一侧边至第二侧边依次设置有第一安装区、第二安装区、第三安装区及第四安装区；

19、电阻模组，设置于所述第一安装区内，且靠近所述介质基板的第一侧边的位置；

20、第一sic模组，设置于所述第二安装区内，且靠近于所述电阻模组；

21、第二sic模组，设置于所述第三安装区内，且远离所述介质基板的第一侧边的位置。

22、本实用新型技术方案通过半导体集成模块包括介质基板，以及设置在介质基板第一安装区内的电阻模组，设置在介质基板第二安装区内的第一sic模组，设置在介质基板第三安装区内的第二sic模组；其中介质基板具有相对的第一侧边和第二侧边，相对的第三侧边和第四侧边，介质基板自所述第一侧边至第二侧边依次设置有第一安装区、第二安装区、第三安装区及第四安装区。通过对sic集成模块中电阻模组、第一sic模组和第二sic模组的位置合理布局，提高半导体集成模块的集成度，同时提高了电力电子设备中半导体集成模块的可靠性和易用性。

技术特征：

1.一种半导体集成模块，其特征在于，所述半导体集成模块包括：

2.根据权利要求1所述的半导体集成模块，其特征在于，所述电阻模组包括1个热敏电阻。

3.根据权利要求2所述的半导体集成模块，其特征在于，所述热敏电阻焊接于所述介质基板的热敏电阻引线端，用于对集成模块的温度进行检测。

4.根据权利要求1所述的半导体集成模块，其特征在于，所述第一sic模组和第二sic模组均包括3个间隔设置的sic mos管。

5.根据权利要求4所述的半导体集成模块，其特征在于，所述第一sic模组中的每一sicmos管均通过金属线连接至所述介质基板的导电层；其中，

6.根据权利要求4所述的半导体集成模块，其特征在于，所述第二sic模组中的每一sicmos管均通过金属线连接至所述介质基板的导电层；其中，

7.根据权利要求5或者6所述的半导体集成模块，其特征在于，所述第一安装区、所述第二安装区、所述第三安装区及所述第四安装区中的导电层相互隔离设置。

8.根据权利要求1至7任意一项所述的半导体集成模块，其特征在于，所述介质基板为dbc陶瓷基板或者绝缘金属基板。

9.根据权利要求1至7任意一项所述的半导体集成模块，其特征在于，所述介质基板上设置有多个定位插针焊接点。

10.一种电力电子设备，其特征在于，所述电力电子设备包括如权利要求1至9任意一项所述的半导体集成模块。

技术总结
一种半导体集成模块及电力电子设备，该半导体集成模块包括：介质基板，具有相对的第一侧边和第二侧边，以及相对的第三侧边和第四侧边，介质基板自第一侧边至第二侧边依次设置有第一安装区、第二安装区、第三安装区及第四安装区；电阻模组，设置于第一安装区内，且靠近介质基板的第一侧边的位置；第一SiC模组，设置于第二安装区内，且靠近于电阻模组；第二SiC模组，设置于第三安装区内，且远离介质基板的第一侧边的位置。本技术技术方案通过对半导体集成模块中芯片及元器件进行合理布局，提高半导体集成模块的集成度。

技术研发人员：姚金才,陈宇,朱超群
受保护的技术使用者：深圳爱仕特科技有限公司
技术研发日：20220427
技术公布日：2024/1/12