一种低功耗大功率并联整流二极管结构的制作方法

1.本实用新型涉及半导体相关技术领域，具体为一种低功耗大功率并联整流二极管结构。


背景技术：

2.随着科技的不断进步，半导体领域也进入了飞速发展的道路，而二极管技术是半导体领域的重要组成部分之一，在现在的生产生活中的应用非常广泛，如：
3.如授权公告号为cn213660396u公开了一种低功耗大功率并联整流二极管结构。提供了一种结构简单，方便加工，布局合理的低功耗大功率并联整流二极管结构。本实用新型在工作中，通过设置并列的框架组一和框架组二，其中，框架组一包括通过芯片一以及跳线链接的框架一和框架二，框架组二包括通过芯片二以及跳线连接的框架三和框架四，最后通过塑封体进行封装。框架组一、芯片一以及框架组二、芯片二形成对称的布局形式，结构合理，能更好地减小应力的产生，提高产品质量和使用寿命。而且可以组装多种规格、类型的芯片（180mil、190mil、200mil
…
），具较低的正向功耗，提升产品的自身的输出；
4.上述中的现有技术方案存在以下缺陷：可能会随着使用而导致温度不断升高，使芯片烧坏甚至可能会导致着火，且与铜座之间的连接不够稳定，因此，我们提出一种低功耗大功率并联整流二极管结构，以便于解决上述中提出的问题。


技术实现要素：

5.为解决上述背景技术中提出的问题。本实用新型提供了一种低功耗大功率并联整流二极管结构，解决了可能会随着使用而导致温度不断升高，使芯片烧坏甚至可能会导致着火，且与铜座之间的连接不够稳定的问题。
6.为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种低功耗大功率并联整流二极管结构，包括：
7.连接侧板，所述连接侧板的内端连接有安装板组件，且安装板组件的内部设置有塑封体组件，所述安装板组件的下端连接有铜座，且安装板组件的前端连接有导线；
8.连接杆，所述连接杆设置在连接侧板的内部下端，且连接杆的外端连接有连接头，并且连接杆的外侧连接有限位片。
9.采用上述技术方案可以及时将装置内部的热量散发出去，同时使安装板组件与铜座之间的连接更加的稳定。
10.作为本实用新型的优选技术方案，所述连接侧板关于安装板组件的中心线左右对称设置，且连接侧板的纵截面形状为“l”型。
11.采用上述技术方案使连接侧板与铜座之间的连接更加的方便，同时使连接侧板、安装板组件和铜座之间的连接更加的稳固。
12.作为本实用新型的优选技术方案，所述安装板组件由上安装板、下安装板和散热通孔构成；
13.上安装板，其设置在连接侧板的内端；
14.下安装板，其设置在上安装板的下侧；
15.散热通孔，其设置在上安装板的内部。
16.采用上述技术方案可以对塑封体组件起到一定的保护作用，同时增加散热的效率，能够及时将多余的热量散发出去。
17.作为本实用新型的优选技术方案，所述散热通孔在上安装板的内部均匀分布。
18.采用上述技术方案可以使散热通孔的数量更多，增加了散热面积，使装置的散热效率更高。
19.作为本实用新型的优选技术方案，所述塑封体组件由黑胶、空洞、隔断板、防火层和芯片构成；
20.黑胶，其设置在安装板组件的内部；
21.空洞，其设置在黑胶的内部；
22.隔断板，其安装在黑胶的内部并位于空洞的内侧；
23.防火层，其连接在隔断板的内侧；
24.芯片，其设置在防火层的内部。
25.采用上述技术方案可以对芯片起到很好的保护作用，同时空洞的设置可以防止内应力使黑胶断裂。
26.作为本实用新型的优选技术方案，所述芯片关于安装板组件的中心线左右对称设置，且芯片位于散热通孔的正下方。
27.采用上述技术方案通过对称设置有两组芯片可以使整流效果更佳，同时将芯片设置在散热通孔的正下方可以将热量快速散发，降低功能损耗。
28.与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：
29.1、本实用新型通过设置有连接侧板，利用安装在连接侧板内部下端的连接杆与铜座之间的螺纹连接，将铜座固定在下安装板的下端，同时铜座与下安装板之间的嵌合可以防止铜座随意滑动，使安装板组件与铜座连接的更加的稳固；
30.2、本实用新型通过设置有安装板组件，利用上安装板和下安装板将塑封体组件保护在中间，防止塑封体组件损坏，同时设置有散热通孔，可以利用散热通孔将内部的热量快速散发，降低功能损耗；
31.3、本实用新型通过设置有塑封体组件，利用空洞可以防止内应力使黑胶发生断裂损坏，同时防火层起到防火的作用，使该结构在使用时更加的安全可靠。
附图说明
32.附图用来提供对本实用新型的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本实用新型的实施例一起用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的限制。在附图中：
33.图1为本实用新型正视剖面结构示意图；
34.图2为本实用新型俯视结构示意图；
35.图3为本实用新型侧视结构示意图；
36.图4为本实用新型图1中a处放大结构示意图。
37.图中：1、连接侧板；2、安装板组件；21、上安装板；22、下安装板；23、散热通孔；3、塑
封体组件；31、黑胶；32、空洞；33、隔断板；34、防火层；35、芯片；4、铜座；5、导线；6、连接杆；7、限位片；8、连接头。
具体实施方式
38.下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
39.请参阅图1-4，本实用新型提供以下技术方案：一种低功耗大功率并联整流二极管结构，包括连接侧板1、安装板组件2、上安装板21、下安装板22、散热通孔23、塑封体组件3、黑胶31、空洞32、隔断板33、防火层34、芯片35、铜座4、导线5、连接杆6、限位片7和连接头8；
40.如图1、图3和图4所示，在使用时将铜座4嵌合在下安装板22的下端，再利用螺丝刀转动连接头8，使其带动连接杆6转动，进而使连接杆6与铜座4进行螺纹连接，使铜座4的位置固定，不会随意移动；
41.再如图1和图2所示，通过设置有散热通孔23使内部热量散发出去，防止25由于温度过高而损坏，同时利用空洞32防止内应力使黑胶31发生断裂损坏。
42.最后应说明的是：以上仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。


技术特征：
1.一种低功耗大功率并联整流二极管结构，其特征在于，包括：连接侧板（1），所述连接侧板（1）的内端连接有安装板组件（2），且安装板组件（2）的内部设置有塑封体组件（3），所述安装板组件（2）的下端连接有铜座（4），且安装板组件（2）的前端连接有导线（5）；连接杆（6），所述连接杆（6）设置在连接侧板（1）的内部下端，且连接杆（6）的外端连接有连接头（8），并且连接杆（6）的外侧连接有限位片（7）。2.根据权利要求1所述的一种低功耗大功率并联整流二极管结构，其特征在于：所述连接侧板（1）关于安装板组件（2）的中心线左右对称设置，且连接侧板（1）的纵截面形状为“l”型。3.根据权利要求1所述的一种低功耗大功率并联整流二极管结构，其特征在于：所述安装板组件（2）由上安装板（21）、下安装板（22）和散热通孔（23）构成；上安装板（21），其设置在连接侧板（1）的内端；下安装板（22），其设置在上安装板（21）的下侧；散热通孔（23），其设置在上安装板（21）的内部。4.根据权利要求3所述的一种低功耗大功率并联整流二极管结构，其特征在于：所述散热通孔（23）在上安装板（21）的内部均匀分布。5.根据权利要求1所述的一种低功耗大功率并联整流二极管结构，其特征在于：所述塑封体组件（3）由黑胶（31）、空洞（32）、隔断板（33）、防火层（34）和芯片（35）构成；黑胶（31），其设置在安装板组件（2）的内部；空洞（32），其设置在黑胶（31）的内部；隔断板（33），其安装在黑胶（31）的内部并位于空洞（32）的内侧；防火层（34），其连接在隔断板（33）的内侧；芯片（35），其设置在防火层（34）的内部。6.根据权利要求5所述的一种低功耗大功率并联整流二极管结构，其特征在于：所述芯片（35）关于安装板组件（2）的中心线左右对称设置，且芯片（35）位于散热通孔（23）的正下方。

技术总结
本实用新型公开了一种低功耗大功率并联整流二极管结构，包括：连接侧板，所述连接侧板的内端连接有安装板组件，且安装板组件的内部设置有塑封体组件，所述塑封体组件由黑胶、空洞、隔断板、防火层和芯片构成，芯片，其设置在防火层的内部，所述安装板组件的下端连接有铜座，且安装板组件的前端连接有导线，所述安装板组件由上安装板、下安装板和散热通孔构成；连接杆，所述连接杆设置在连接侧板的内部下端，且连接杆的外端连接有连接头。本实用新型提供了一种低功耗大功率并联整流二极管结构，解决了可能会随着使用而导致温度不断升高，使芯片烧坏甚至可能会导致着火，且与铜座之间的连接不够稳定的问题。连接不够稳定的问题。连接不够稳定的问题。


技术研发人员：江俊 赵霞
受保护的技术使用者：江苏顺烨电子有限公司
技术研发日：2022.06.06
技术公布日：2022/10/28