本技术属于igbt模块,具体涉及一种igbt模块固定基座。
背景技术:
1、igbt,又称绝缘栅双极型晶体管,是由bjt(双极型三极管)和mos(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有mosfet的高输入阻抗和gtr的低导通压降两方面的优点,gtr饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;mosfet驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小,igbt综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低,igbt非常适合应用于直流电压为600v及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
2、现有的市面上常见的型号为ed-type的igbt模块,通过将igbt原件构建在基座内从而形成igbt模块,但常用的基座在使用时,由于连接的电路通常为高压电路,模块工作过程中会产生一定的热量,长时间的保持一定的温度,会导致基座内的各元器件加速老化,从而降低该基座的使用寿命的问题,为此我们提出一种igbt模块固定基座。
技术实现思路
1、本实用新型的目的在于提供一种igbt模块固定基座,以解决上述背景技术中提出的现有的型号为ed-type的igbt模块在使用时,由于工作时连接的电路通常为高压电路,模块工作过程中会产生一定的热量,长时间的保持一定的温度,会导致基座内的各元器件加速老化,从而降低该基座的使用寿命的问题。
2、为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种igbt模块固定基座,包括基体组件,所述基体组件包括基座盒、输入引脚、输出引脚和固定孔,所述输入引脚固定装设在所述基座盒的一端,所述输出引脚固定装设在所述基座盒的另一端,且所述固定孔开设在所述基座盒的边缘处,还包括散热组件与绝缘组件,所述散热组件安装在所述基座盒的底部,所述散热组件包括散热件与限位件。
3、优选的,所述散热件包括散热块一、散热块二和散热片,所述散热块一体式成型在所述散热块一的一端。
4、优选的,所述限位件包括嵌块和嵌槽,所述嵌块一体式成型在所述散热块一的另一端,所述嵌槽开设在所述基座盒的底部。
5、优选的,所述散热块一与基座盒之间通过嵌块与嵌槽嵌设卡合,同时所述散热块二通过相同的结构与所述散热块一对称安装在所述基座盒的底部。
6、优选的,所述散热片在所述散热块一上阵列开设有多个,且多个所述散热片等距排列。
7、优选的,所述绝缘组件包括绝缘垫套和凸起,所述绝缘垫套与凸起为一体式结构。
8、优选的,所述绝缘垫套装设在所述固定孔内,且所述绝缘垫套与固定孔之间通过凸起限位卡设。
9、与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:
10、(1)在该模块使用时,模块工作过程中由于电路会产生一定的热量,长时间的保持一定的温度,会导致基座内的各元器件加速老化,从而降低该基座的使用寿命,通过在该构建模块的基座盒底部设置用于散热的散热组件,当该基座盒在安装使用时,可通过散热组件进行加速散热,提高基座盒的散热效率,降低基座盒的老化速率,从而提高了该基座盒构建成igbt模块后的使用寿命。
1.一种igbt模块固定基座,包括基体组件,所述基体组件包括基座盒(100)、输入引脚(101)、输出引脚(102)和固定孔(103),所述输入引脚(101)固定装设在所述基座盒(100)的一端,所述输出引脚(102)固定装设在所述基座盒(100)的另一端,且所述固定孔(103)开设在所述基座盒(100)的边缘处,其特征在于:还包括散热组件与绝缘组件,所述散热组件安装在所述基座盒(100)的底部,所述散热组件包括散热件与限位件;所述散热件包括散热块一(200)、散热块二(2001)和散热片(201),所述散热片(201)一体式成型在所述散热块一(200)的一端。
2.根据权利要求1所述的一种igbt模块固定基座,其特征在于:所述限位件包括嵌块(202)和嵌槽(203),所述嵌块(202)一体式成型在所述散热块一(200)的另一端,所述嵌槽(203)开设在所述基座盒(100)的底部。
3.根据权利要求2所述的一种igbt模块固定基座,其特征在于:所述散热块一(200)与基座盒(100)之间通过嵌块(202)与嵌槽(203)嵌设卡合,同时所述散热块二(2001)通过相同的结构与所述散热块一(200)对称安装在所述基座盒(100)的底部。
4.根据权利要求2所述的一种igbt模块固定基座,其特征在于:所述散热片(201)在所述散热块一(200)上阵列开设有多个,且多个所述散热片(201)等距排列。
5.根据权利要求1所述的一种igbt模块固定基座,其特征在于:所述绝缘组件包括绝缘垫套(300)和凸起(301),所述绝缘垫套(300)与凸起(301)为一体式结构。
6.根据权利要求5所述的一种igbt模块固定基座,其特征在于:所述绝缘垫套(300)装设在所述固定孔(103)内,且所述绝缘垫套(300)与固定孔(103)之间通过凸起(301)限位卡设。